STGW80H65DFB ολοκληρωμένο κύκλωμα Chip Trench Gate Field-Stop υψηλής ταχύτητας HB σειράς IGBT τρανζίστορες

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
May 29, 2025
Σύνδεση Κατηγορίας: Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Brief: Discover the STGW80H65DFB Integrated Circuit Chip, a high-speed HB Series IGBT Transistor with a trench gate field-stop structure. Ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters, this 650V 80A device offers optimal efficiency with low saturation voltage and safe paralleling capabilities.
Related Product Features:
  • Προχωρημένη δομή διακοπής πεδίου για υψηλή απόδοση.
  • 650V collector-emitter breakdown voltage and 80A collector current.
  • Σειρά μεταγωγής υψηλής ταχύτητας με ελαχιστοποιημένο ρεύμα ουράς.
  • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (typ.) @ IC = 80A.
  • Positive VCE(sat) temperature coefficient for safer paralleling.
  • Σφιχτή κατανομή παραμέτρων που εξασφαλίζει συνεπή απόδοση.
  • Very fast soft recovery antiparallel diode for enhanced reliability.
  • Operating temperature range: -55°C to 175°C (TJ).
FAQS:
  • What is the maximum junction temperature of the STGW80H65DFB?
    The maximum junction temperature is TJ = 175°C.
  • What applications is the STGW80H65DFB suitable for?
    It is ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters.
  • Does the STGW80H65DFB support safe paralleling?
    Yes, its slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution enable safe paralleling.
Σχετικά βίντεο

CSD68837L Τσιπ IC για iPhone CSD68837 Τσιπ Motherboard για κινητά τηλέφωνα

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος Iphone
March 03, 2025