Κίνα Ολοκληρωμένο κύκλωμα GaN

Μισός γενικός σκοπός ολοκληρωμένου κυκλώματος IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 GaN οδηγών γεφυρών

Κατηγορία:Πλήρεις οδηγοί μισό-γεφυρών PMIC

Σειρά:CoolGaN™

Εφαρμογές:Γενικός σκοπός
Κανάλι 32VQFN διακοπτών Π διανομής δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος δύναμης οδηγών LMG3411R070RWHR Gan FET

Σχέδιο - Εισροές:Αποτελέσματα:1:1

Διασύνδεση:Λογική, PWM

Η τάση - τροφοδοσία (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
Οδηγός GaN καναλιών οδηγών Π διακοπτών δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος LMG3410R070RWHR GaN που ενσωματώνεται

Διαμόρφωση εξόδου:Υψηλή πλευρά

Τύπος εξόδου:P-Channel

Δυναμικό - φορτίο:480V (Max)
Ενσωματωμένοι απομονωμένοι GaN LMG3422R030RQZR GaN οδηγοί πυλών FET 600V

ρεύμα εξόδου:1.2 Α

Η τάση τροφοδοσίας - Min:7.5 V

Τετάρτη, Ιανουαρίου:18 V
Κανάλι ολοκληρωμένου κυκλώματος Ν διακοπτών διανομής δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος 6A VQFN32 οδηγών LMG3411R150RWHR Gan

Τάση - Φορτίο:480V (Max)

Τάση - ανεφοδιασμός (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V

Τρέχων - παραγωγή (Max):6A
Οδηγοί φορτίων οδηγών FET ολοκληρωμένου κυκλώματος 150mohm Gan LMG3410R150RWHR GaN έξυπνοι

Διεπαφή:Λογική, PWM

Τάση - Φορτίο:480V (Max)

Τάση - ανεφοδιασμός (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
MOSFET GaN γενικός σκοπός VQFN54 οδηγών γεφυρών ολοκληρωμένου κυκλώματος LMG3422R050RQZR μισός

Διαμόρφωση εξόδου:μισή γέφυρα

Εφαρμογές:Γενικού σκοπού

Τρέχων - παραγωγή/κανάλι:1.2A
Mosfet LMG3425R050RQZR Gan οδηγοί FET Gan οδηγών πυριτίου οδηγών που ενσωματώνονται

Λειτουργούσα θερμοκρασία:-40°C ~ 125°C (TJ)

Τάση ανεφοδιασμού:7.5 Β ~ 18 Β

Χρόνος ανόδου:2,5 NS
MOSFET TO247 τάφρων κρυσταλλολυχνιών 14mohm SIC FET ολοκληρωμένου κυκλώματος 1200V Gan IMZA120R014M1HXKSA1 GaN

Τύπος FET:N-Channel

Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss):1200 Β

Vgs (Max):+20V, -5V
Ενσωματωμένος μισός οδηγός Gan γεφυρών οδηγών πυλών FET LMG3425R030RQZR Gan VQFN54

Διαμόρφωση:Αναστροφή, μη-αναστροφή

Συσκευασία/περίπτωση:Vqfn-54

Τάση ανεφοδιασμού:7.5 Β - 18 Β
TP65H300G4JSGB GaN IC SuperGaN FET 650V Νιτρίδια γαλίου FET PQFN56 GaN FET

Ποσότητα παραγγελίας min:10

Τιμή:Contact for Sample

Συσκευασία λεπτομέρειες:Τυπικό πακέτο
TP65H300G4LSGB GaN IC GaN FETs 650V SuperGaN FET PQFN88 GaN Power Discretes

Ποσότητα παραγγελίας min:10

Τιμή:Contact for Sample

Συσκευασία λεπτομέρειες:Τυπικό πακέτο

Page 1 of 7|< << 1 2 3 4 5 6 7 >> >|

Ολοκληρωμένο κύκλωμα GaN

Κίνα Ολοκληρωμένο κύκλωμα GaN

Μισός γενικός σκοπός ολοκληρωμένου κυκλώματος IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 GaN οδηγών γεφυρών

Κανάλι 32VQFN διακοπτών Π διανομής δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος δύναμης οδηγών LMG3411R070RWHR Gan FET

Οδηγός GaN καναλιών οδηγών Π διακοπτών δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος LMG3410R070RWHR GaN που ενσωματώνεται

Ενσωματωμένοι απομονωμένοι GaN LMG3422R030RQZR GaN οδηγοί πυλών FET 600V

Κανάλι ολοκληρωμένου κυκλώματος Ν διακοπτών διανομής δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος 6A VQFN32 οδηγών LMG3411R150RWHR Gan

Οδηγοί φορτίων οδηγών FET ολοκληρωμένου κυκλώματος 150mohm Gan LMG3410R150RWHR GaN έξυπνοι

MOSFET GaN γενικός σκοπός VQFN54 οδηγών γεφυρών ολοκληρωμένου κυκλώματος LMG3422R050RQZR μισός

Mosfet LMG3425R050RQZR Gan οδηγοί FET Gan οδηγών πυριτίου οδηγών που ενσωματώνονται

MOSFET TO247 τάφρων κρυσταλλολυχνιών 14mohm SIC FET ολοκληρωμένου κυκλώματος 1200V Gan IMZA120R014M1HXKSA1 GaN

Ενσωματωμένος μισός οδηγός Gan γεφυρών οδηγών πυλών FET LMG3425R030RQZR Gan VQFN54

TP65H300G4JSGB GaN IC SuperGaN FET 650V Νιτρίδια γαλίου FET PQFN56 GaN FET

TP65H300G4LSGB GaN IC GaN FETs 650V SuperGaN FET PQFN88 GaN Power Discretes

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

VN7008AJTR Ενοποιημένο κύκλωμα Chip High-Side Driver 96A High Side Switches PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7Ohm Βιομηχανικοί αναλογικοί διακόπτες CMOS

LT6700CS6-1 Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Μικροηλεκτρική χαμηλής τάσης διπλός συγκριτής με αναφορά 400mV

IC Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Αλάσκα Ultra Gigabit Ethernet PHY Πληροφοριακοί δέκτες