Κίνα Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

• 

  400A αυτοκίνητη Mosfet ενοτήτων 1200V SIC IGBT ενότητα FS03MR12A6MA1LBBPSA1

  Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss):1200V (1.2kV)

  Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C:400A

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:3.7mOhm @ 400A, 15V

  Επικοινωνήστε
• 

  αυτοκίνητες IGBT ενότητες 3 ενότητα F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 400A επιπέδων IGBT

  Αριθμός τμήματος:F3L400R10W3S7B11BPSA1

  Τύπος IGBT:Τάφρος

  Κατάσταση του προϊόντος:Ενεργός

  Επικοινωνήστε
• 

  Στάση τομέων τάφρων ενότητας 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

  Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max):950 Β

  Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max):310 Α

  Δύναμη - Max:20 MW

  Επικοινωνήστε
• 

  Αυτοκίνητες ενότητες FS05MR12A6MA1BBPSA1 ενοτήτων 1200V 200A δύναμης καρβιδίου του πυριτίου HEV

  Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)

  Τεχνική μέθοδος:1200V (1,2kV)

  ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:200A

  Επικοινωνήστε
• 

  Ενότητες IGBT αυτοκινήτου FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

  Αριθμός τμήματος:FF300R08W2P2B11ABOMA1

  Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη):750 Β

  Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο):200 A

  Επικοινωνήστε
• 

  Μονάδες IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

  Αριθμός τμήματος:FS03MR12A6MA1BBPSA1

  Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)

  Τεχνική μέθοδος:1200V (1,2kV)

  Επικοινωνήστε
• 

  1700V ενιαίο αυτοκίνητο IGBT ModulesTransistors IXYN50N170CV1 μέθυσος-227-4

  Αριθμός μερών:IXYN50N170CV1

  Μέγιστη τάση εκπομπών πυλών:- 20 Β, 20 Β

  Pd - διασκεδασμός δύναμης:880 W

  Επικοινωνήστε
• 

  Μέθυσος-227-4 τα πλαίσια τοποθετούν τις ενιαίες κρυσταλλολυχνίες ενότητας IXYN140N120A4 380A IGBT

  Αριθμός τμήματος:IXYN140N120A4

  Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max):380 Α

  Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών:NA 200

  Επικοινωνήστε
• 

  Τα πλαίσια τοποθετούν την αυτοκίνητη ενιαία κρυσταλλολυχνία ενοτήτων 1200V 220A IGBT

  Αριθμός μερών:IXYN110N120C4

  Τρέχων - διακοπή συλλεκτών:50 μΑ

  Ικανότητα εισαγωγής:5.42 nF @ 25 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

  Αριθμός τμήματος:MSCSM120DDUM31CTBL2NG

  Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:79 Α

  Pd - διασκεδασμός δύναμης:310 W

  Επικοινωνήστε
• 

  Η βίδα τοποθετεί τις αυτοκίνητες Mosfet ενοτήτων 79A 310W IGBT κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:MSCSM120DUM31CTBL1NG

  Vf - μπροστινή τάση:1.5 Β σε 30 Α

  Vr - Αντίστροφη τάση:1,2 kV

  Επικοινωνήστε
• 

  Διοδιακοί διορθωτές MSCDR90A160BL1NG Διοδιακή συστοιχία 1 ζευγάρι Σύνδεση σειράς

  Αριθμός τμήματος:MSCDR90A160BL1NG

  Διαμόρφωση διόδων:Σύνδεση σειράς 1 ζεύγους

  Τεχνολογία:Τύπος

  Επικοινωνήστε