Το εταιρικό blog για MOSFETs αποκτήσεων κρυσταλλολυχνίες, ολοκληρωμένο κύκλωμα μικροελεγκτών, ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης, ολοκληρωμένο κύκλωμα αισθητήρων

MOSFETs αποκτήσεων κρυσταλλολυχνίες, ολοκληρωμένο κύκλωμα μικροελεγκτών, ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης, ολοκληρωμένο κύκλωμα αισθητήρων

Συγκεκριμένη ανακύκλωσης διαδικασία:
1. Μπορείτε απλά να ταξινομήσετε τα αποθέματα IC/module σας και να προσδιορίσετε το πρότυπο, το εμπορικό σήμα, την ημερομηνία παραγωγής, την ποσότητα, κ.λπ.
2. Παρακαλώ στείλετε τον κατάλογο καταλόγων σας στην ομάδα αξιολόγησής μας με φαξ ή το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο.
3. Όταν λαμβάνετε την προσφορά αγορών από έναν από τους επαγγελματίες μας, μπορούμε να διαπραγματευτούμε τη συγκεκριμένες μέθοδο και την παράδοση συναλλαγής και να επιτύχουμε μια συμφωνία.
4. Ανακυκλώνουμε μόνο από τα κανονικά κανάλια, όπως οι πράκτορες, τους εμπόρους, και τα εργοστάσια, και δεν δεχόμαστε τις ανώμαλες πηγές.

MOSFETs αποκτήσεων N-Channel 1200V 68A 352W -247-4L κρυσταλλολυχνιών NTH4L022N120M3S

Περιγραφή προϊόντων
NTH4L022N120M3S MOSFETs καρβιδίου του πυριτίου (SIC) είναι οικογένεια επίπεδα SIC MOSFETs 1200V M3S. Το NTH4L022N120M3S βελτιστοποιείται για τις εφαρμογές γρήγορος-αλλαγής. Η επίπεδη εργασία τεχνολογίας σοβαρά με την αρνητική τάση πυλών οδηγεί και κλείνει τις ακίδες στην πύλη. Αυτά τα MOSFETs χαρακτηρίζουν τη βέλτιστη απόδοση όταν με μια κίνηση αλλά και μια εργασία πυλών 18V οδηγείται καλά με μια κίνηση πυλών 15V.

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
Τύπος. RDS (επάνω) = 22 μ @ VGS = 18 Β
Χαμηλές απώλειες μετατροπής (τύπος. EON 490 J ΣΕ 40 Α, 800 Β)
100% χιονοστιβάδα δοκιμασμένη
Αυτή η συσκευή είναι αλογονίδιο ελεύθερο και RoHS υποχωρητικό με την απαλλαγή 7a,
Pb−Free 2LI (στη δεύτερη διασύνδεση επιπέδων)

Χαρακτηριστικές εφαρμογές
Ηλιακοί αναστροφείς
Ηλεκτρικοί σταθμοί χρέωσης οχημάτων
UPS (Uninterruptible παροχές ηλεκτρικού ρεύματος)
Συστήματα ενεργειακής αποθήκευσης
SMPS (παροχές ηλεκτρικού ρεύματος τρόπου διακοπτών)