Το εταιρικό blog για Το CoolGaNTM 600V Power Transistor IGT60R190D1SATMA1 προσφέρει εξαιρετική αποτελεσματικότητα και αξιοπιστία

Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. προμηθεύει και ανακυκλώνει τρανζίστορες ισχύος CoolGanTM 600V IGT60R190D1SATMA1 με υψηλή απόδοση και αξιοπιστία

Εισαγωγή

Τα αντίστοιχα transistors ισχύος CoolGanTM 600V Enhanced Mode (e-Mode) της Infineon Technologies επιτρέπουν απλούστερες τοπολογίες μισής γέφυρας με γρήγορες ταχύτητες ενεργοποίησης και απενεργοποίησης.υψηλή πυκνότητα ισχύοςΟι εφαρμογές περιλαμβάνουν τηλεπικοινωνίες/datacom/server SMPS, ασύρματη φόρτιση, φορτιστές και προσαρμογείς.

Τεχνικά δεδομένα

Σειρά: CoolGaNTM

Τύπος FET: N-Channel

Τεχνολογία: GaNFET (νιτρικό γάλλιο)

Η τάση της πηγής αποχέτευσης (Vdss): 600 V

ρεύμα σε 25°C - συνεχής αποστράγγιση (Id): 12,5A (Tc)

Vgs(th) σε διαφορετικές Id (μέγιστο): 1,6V @ 960μA

Vgs(th) (μέγιστο): 1,6V @ 960μA σε διαφορετικές Id's

Η χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγιστη) σε διαφορετικά Vds: 157 pF @ 400 V

Δυναμική διάσπαση (μέγιστη): 55,5W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας: -55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης: επιφανειακή τοποθέτηση

Πακέτο συσκευής προμηθευτή: PG-HSOF-8-3

Πακέτο/Κουτί: 8-PowerSFN

Αριθμός βασικού προϊόντος: IGT60R190

Χαρακτηριστικά

• Τρανζίστορα με ενισχυτικό τρόπο, κανονικά κλειστό διακόπτη
• Υπερ-γρήγορη ταχύτητα αλλαγής
• Καμία αντιστροφή χρέωσης ανάκτησης
• Επικοινωνιακές συσκευές για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
• Χαμηλή φόρτιση πύλης, χαμηλή φόρτιση εξόδου
• Εξαιρετική ανοχή μετάβασης
• Βελτιωμένη αποδοτικότητα του συστήματος
• Αυξημένη πυκνότητα ισχύος
• Υποστηρίζει υψηλότερες συχνότητες λειτουργίας
• Λιγότερο κόστος συστήματος
• Μειωμένη ΕΜΕ
• Συμμορφώνονται με τα πρότυπα JEDEC (JESD47 και JESD22), κατάλληλα για βιομηχανικές εφαρμογές.

Η εταιρεία ανακυκλώνει μόνο κανονικές πηγές, όπως πράκτορες, εμπόρους, εργοστάσια τερματικών κλπ. και δεν δέχεται πηγές που δεν είναι κανονικές πηγές.

Αρχική σελίδα της εταιρίας:www.hkmjd.com