Το εταιρικό blog για IGBT μονάδα SNXH75M65L3F2STG 650V 75A Field Cutoff πλήρης γέφυρα μετατροπέας

IGBT μονάδα SNXH75M65L3F2STG 650V 75A Field Cutoff πλήρης γέφυρα μετατροπέας

Περιγραφή του προϊόντος
Το SNXH75M65L3F2STG διαθέτει μια τοπολογία HERIC για να παρέχει μια λύση υψηλής απόδοσης για εφαρμογές ηλιακών μετατροπέων.Τα ενσωματωμένα IGBT διακοπής πεδίου υψηλής ταχύτητας παρέχουν χαμηλότερες απώλειες αγωγιμότητας και διακόπτηΤο προεφαρμοσμένο PCM εξαλείφει την ανάγκη για μια πρόσθετη θερμική διαδικασία εκτύπωσης υλικού διεπαφής.

Προδιαγραφές
Τύπος IGBT: Περιορισμός πεδίου
Διαμόρφωση: Μετατροπέας πλήρους γέφυρας
Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (Max): 75 A 75 A
Δύναμη - μέγιστη: 236 W
Vce (εκτός) σε μεταβλητές Vge, Ic (μέγιστο): 2,2 V @ 15 V, 75 A
Τρέμα - Κόψιμο συλλέκτη (μέγιστο): 250 μA 250 μA
Εισαγωγές: Πρότυπο
Θερμοστήρας NTC: Ναι
Θερμοκρασία λειτουργίας: -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης: τοποθέτηση στο πλαίσιο
Συσκευή/ενώμα: Μονάδα
Η προμήθεια περιλαμβάνει: 32-PIM (56.7x42.5)

Εφαρμογές
Ηλιακοί μετατροπείς