Το εταιρικό blog για Διαθέσιμη προμήθεια Infineon N-channel Power MOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS™3 Power Transistor, 100V

Μινγκτζιάντα Ηλεκτρονική: Infineon N-Channel Power MOSFETBSZ440N10NS3G, OptiMOSTM3 Τρανζίστορα ισχύος, 100 V.

BSZ440N10NS3GΠεριγραφή του προϊόντος
Το Infineon BSZ440N10NS3G N-channel power MOSFET είναι ένα τρανζίστορ ισχύος σειράς OptiMOSTM3 100 V. Το BSZ440N10NS3G συσκευάζεται σε ένα πακέτο PG-TSDSON-8, με συμπαγές μέγεθος (3,3 × 3,3 × 1).1 mm)Το BSZ440N10NS3G συμμορφώνεται με τα πρότυπα RoHS και AEC-Q101, καθιστώντας το κατάλληλο για βιομηχανικές και αυτοκινητοβιομηχανικές εφαρμογές ηλεκτρονικών.

BSZ440N10NS3GΧαρακτηριστικά του προϊόντος
Χαμηλή αντίσταση: RDS ((on) τόσο χαμηλά όσο 3,8 milliohms (τυπικό), το BSZ440N10NS3G μειώνει σημαντικά την απώλεια ισχύος και βελτιώνει την αποδοτικότητα του συστήματος.
Ικανότητα γρήγορης εναλλαγής: Το BSZ440N10NS3G υποστηρίζει σενάρια λειτουργίας υψηλής συχνότητας, ικανοποιώντας τις απαιτήσεις της σύγχρονης αποτελεσματικής μετατροπής ισχύος.
Υψηλή ικανότητα κυμάτων: Το BSZ440N10NS3G μπορεί να αντέξει μεγαλύτερες κυματίες ρεύματος για σύντομες περιόδους χωρίς ζημιά.
Ενσωματωμένη αντίστροφη δίοδος: Το BSZ440N10NS3G μειώνει την ανάγκη για πρόσθετα εξαρτήματα και απλοποιεί τον σχεδιασμό κυκλωμάτων.
Συμμόρφωση με το RoHS: φιλική προς το περιβάλλον και κατάλληλη για εφαρμογές παγκόσμιας αγοράς.
Τύπος συσκευασίας: Το BSZ440N10NS3G χρησιμοποιεί συσκευασία PG-TSDSON-8, βελτιώνοντας τις θερμικές και ηλεκτρικές επιδόσεις ενώ μειώνει τον χώρο εγκατάστασης.

ΗBSZ440N10NS3Gέχει τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:
Υπερ-χαμηλή αντίσταση ανάφλεξης: RDS(ανάφλεξη) = 3,8 mΩ @ Vgs = 10 V
Δυνατότητα γρήγορης εναλλαγής: Qg = 9,1 nC @ 10 V
Δυνατότητα υψηλού ρεύματος: Id = 18 A @ 25°C
Ευρύ φάσμα θερμοκρασίας λειτουργίας: -55°C έως +150°C
Ενσωματωμένη αντίστροφη δίοδος

Βασικές παραμέτρους
Οι βασικές παραμέτρους τηςBSZ440N10NS3Gπεριλαμβάνουν:
Η τάση της πηγής αποχέτευσης (VDS): 100 V
Συνεχή ροή αποχέτευσης (Id): 18A
Τρόπος εκφόρτωσης παλμού (Idp): 660A
Η τάση πύλης πύλης (Vgs): ±20V
Τεχνική μέθοδος:
Η χωρητικότητα εισόδου (Ciss): 640 pF

Τυπικές εφαρμογές
Το BSZ440N10NS3G χρησιμοποιείται ευρέως σε:
Εναλλακτικές πηγές ρεύματος (SMPS)
Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος
Μηχανοκίνητα συστήματα
Συστήματα διαχείρισης μπαταριών
Βιομηχανικά ενεργειακά συστήματα

Η Mingjiada Electronics εγγυάται τηνBSZ440N10NS3GΜε τις εξαιρετικές παραμέτρους απόδοσης και την αξιοπιστία του, τοBSZ440N10NS3Gείναι μια ιδανική επιλογή για το σχεδιασμό ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος.

Για ερωτήσεις σχετικά με την αγοράBSZ440N10NS3G, παρακαλούμε επικοινωνήστε με την Mingjiada Electronics για τις τελευταίες πληροφορίες τιμών και αποθεμάτων.

Πληροφορίες επικοινωνίας:
Κε Τσεν: +86 13410018555
Ε-mail: sales@hkmjd.com
Ιστοσελίδα:www.integrated-ic.com
Διεύθυνση: Δωμάτιο 1239-1241, κτίριο Xinyazhou Guoli, οδός Zhenzhong, περιοχή Futian, πόλη Shenzhen