Ινφίνιον1EDI3033ASΑυτοκινητοβιομηχανικός οδηγός πύλης υψηλής τάσης με ενιαίο κανάλι για SiC MOSFET
Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,Η Infineon, ως κορυφαίος εγχώριος προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων, έχει συνεχώς προμηθεύσει την Infineon με1EDI3033ASΟ οδηγός μονοκαναλικής υψηλής τάσης θύρας αυτοκινήτου, παρέχοντας μια βέλτιστη λύση οδήγησης για εφαρμογές SiC MOSFET.
Σύνοψη της1EDI3033ASΟδηγός πύλης
Ο Infineon 1EDI3033AS είναι ένας υψηλής απόδοσης μονόκαναλος απομονωμένος οδηγός πύλης ειδικά σχεδιασμένος για MOSFET καρβιδίου πυριτίου (SiC).Χρησιμοποιεί προηγμένη τεχνολογία απομόνωσης μετασχηματιστή χωρίς πυρήνα (CT) για την παροχή ασφαλών και αξιόπιστων σημάτων κίνησης για διακόπτες υψηλής τάσηςΗ συσκευή συμμορφώνεται με το πρότυπο πιστοποίησης αυτοκινητοβιομηχανικής ποιότητας AEC-Q100, εξασφαλίζοντας σταθερή λειτουργία σε σκληρά ηλεκτρονικά περιβάλλοντα αυτοκινήτου.Είναι η ιδανική επιλογή για εφαρμογές όπως τα ηλεκτρικά συστήματα κίνησης σε οχήματα νέας ενέργειας, ενσωματωμένοι φορτιστές (OBC) και μετατροπείς DC-DC.
Το 1EDI3033AS διαθέτει τάση απομόνωσης έως 5 kVrms και μέγιστο ρεύμα κίνησης ±10 A,η δυνατότητα γρήγορης εναλλαγής των MOSFET SiC και η πλήρης αξιοποίηση των πλεονεκτημάτων υψηλής συχνότητας και υψηλής απόδοσηςΣε σύγκριση με τις παραδοσιακές λύσεις απομόνωσης που βασίζονται σε οπτικοσύνδεσμους ή μετασχηματιστές παλμού, το 1EDI3033AS χρησιμοποιεί τεχνολογία μετασχηματιστή χωρίς πυρήνα,που προσφέρει χαμηλότερη καθυστέρηση εξάπλωσης (τυπική τιμή 25 ns) και υψηλότερη μεταβατική ανοσία κοινής λειτουργίας (CMTI > 150 kV/μs), εξασφαλίζοντας σταθερή λειτουργία του συστήματος ακόμη και σε περιβάλλοντα υψηλού θορύβου.
Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά του1EDI3033AS
Ο οδηγός πύλης Infineon 1EDI3033AS ενσωματώνει πολλαπλές καινοτόμες τεχνολογίες, δίνοντάς του σημαντικό πλεονέκτημα στον τομέα των οδηγών SiC MOSFET.Η συσκευή χρησιμοποιεί μια συμπαγή συσκευασία DSO-8 με διαστάσεις μόλις 5 mm × 6Υποστηρίζει ένα ευρύ φάσμα τάσης λειτουργίας από 15V έως 30V, συμβατό με διάφορα σχέδια τροφοδοσίας συστήματος,και περιλαμβάνει προστασία από αποκλεισμό κάτω από τάση (UVLO) για την αποτροπή της ακούσιας λειτουργίας σε συνθήκες ανώμαλης τάσης.
Όσον αφορά την ικανότητα κίνησης, το 1EDI3033AS παρέχει μέγιστο ρεύμα εξόδου ± 10A,που επιτρέπει την ταχεία φόρτιση και εκφόρτιση της χωρητικότητας πύλης του SiC MOSFET για την επίτευξη ταχυτήτων εναλλαγής σε επίπεδο νανοδευτερολέπτουΑυτό το χαρακτηριστικό είναι κρίσιμο για την πλήρη αξιοποίηση των πλεονεκτημάτων υψηλής συχνότητας των συσκευών SiC, μειώνοντας αποτελεσματικά τις απώλειες εναλλαγής και βελτιώνοντας την αποτελεσματικότητα του συστήματος.Ο οδηγός ενσωματώνει μια ενεργή λειτουργία συμπίεσης Miller εσωτερικά, αποτρέποντας την ακούσια αγωγιμότητα των SiC MOSFET που προκαλείται από την επίδραση Miller υπό υψηλές συνθήκες dv/dt, βελτιώνοντας σημαντικά την αξιοπιστία του συστήματος.
Η απόδοση απομόνωσης είναι ένα άλλο βασικό χαρακτηριστικό του 1EDI3033AS. Η συσκευή χρησιμοποιεί την πατενταρισμένη τεχνολογία μετασχηματιστή χωρίς πυρήνα της Infineon,που επιτυγχάνουν ενισχυμένη απομόνωση 5 kVrms (συμμόρφωση με τα πρότυπα UL 1577) και μεταβατική ανοσία κοινής λειτουργίας (CMTI) άνω των 150 kV/μsΤο υψηλό αυτό επίπεδο απομόνωσης είναι ιδιαίτερα σημαντικό για συστήματα υψηλής τάσης (όπως οι πλατφόρμες ηλεκτρικών οχημάτων 800V),αποτρέποντας αποτελεσματικά τις παρεμβολές σήματος μεταξύ των κυκλωμάτων υψηλής και χαμηλής πλευράς και εξασφαλίζοντας σταθερή λειτουργία του συστήματος σε ακραίες συνθήκες.
Το 1EDI3033AS διαθέτει επίσης ολοκληρωμένες λειτουργίες προστασίας, συμπεριλαμβανομένης της αποκλεισμού χαμηλής τάσης (UVLO), της προστασίας από υπερθερμοκρασία και της προστασίας από βραχυκύκλωμα.Αυτοί οι μηχανισμοί προστασίας ενεργοποιούνται αμέσως όταν εμφανίζονται ανωμαλίες στο σύστημα, αποτρέποντας τη βλάβη των MOSFET SiC λόγω υπερτάσης, υπερτάσης ή υπερθέρμανσης.που πληρούν πλήρως τις περιβαλλοντικές απαιτήσεις των εφαρμογών ηλεκτρονικής αυτοκινήτου.
Τέλεια αντιστοιχία των1EDI3033ASμε Silicon Carbide MOSFETs
Ο συνδυασμός του οδηγού πύλης Infineon 1EDI3033AS και των MOSFET SiC (CoolSiCTM) αντιπροσωπεύει την αιχμή της τεχνολογίας ηλεκτρονικής ισχύος.χαμηλότερες απώλειες αγωγήςΩστόσο, για να αξιοποιηθούν πλήρως αυτά τα πλεονεκτήματα, είναι απαραίτητος ένας ειδικά βελτιστοποιημένος οδηγός πύλης.
Το 1EDI3033AS έχει βελτιστοποιηθεί ειδικά για να ανταποκρίνεται στις μοναδικές απαιτήσεις κίνησης των SiC MOSFET.Οι συσκευές SiC απαιτούν συνήθως υψηλότερες τάσεις κίνησης πύλης (συνήθως από +18V/-3V έως +20V/-5V) για να εξασφαλίσουν πλήρη αγωγιμότητα και αξιόπιστο κλείσιμοΕπιπλέον, το στρώμα οξειδίου της πύλης των SiC MOSFET είναι πιο ευαίσθητο στο στρες τάσης,και ο ακριβής έλεγχος τάσης πύλης που παρέχεται από το 1EDI3033AS μπορεί να επεκτείνει αποτελεσματικά τη διάρκεια ζωής της συσκευής.
Όσον αφορά τα χαρακτηριστικά εναλλαγής, ο συνδυασμός των 1EDI3033AS και των MOSFET SiC επιτυγχάνει ταχύτητες εναλλαγής σε επίπεδο νανοδευτερολέπτου, μειώνοντας σημαντικά τις απώλειες εναλλαγής.Τα δεδομένα δοκιμών δείχνουν ότι η μονάδα MOSFET 1200V CoolSiCTM που τροφοδοτείται από το 1EDI3033AS μειώνει τις απώλειες μετάβασης κατά περισσότερο από 50% σε σύγκριση με τα παραδοσιακά IGBT με βάση το πυρίτιο, βελτιώνοντας την αποδοτικότητα του συστήματος κατά 3-5%. Αυτό μεταφράζεται σε σημαντικές εξοικονόμηση ενέργειας και εκτεταμένη αυτονομία για εφαρμογές υψηλής ισχύος, όπως τα συστήματα κίνησης ηλεκτρικών οχημάτων.
Η θερμική διαχείριση είναι επίσης μια κρίσιμη εξέταση στις εφαρμογές SiC. Το 1EDI3033AS υποστηρίζει περιβάλλοντα λειτουργίας υψηλών θερμοκρασιών έως 175 °C,που ανταποκρίνονται απόλυτα στα χαρακτηριστικά υψηλής θερμοκρασίας των MOSFET CoolSiCTMΑυτή η συμβατότητα υψηλών θερμοκρασιών επιτρέπει στα συστήματα να χρησιμοποιούν μικρότερους απορροφητές θερμότητας ή σχέδια υψηλότερης πυκνότητας ισχύος, συμβάλλοντας στη μείωση του μεγέθους και του βάρους του συστήματος,ειδικά κατάλληλο για εφαρμογές ηλεκτρονικής αυτοκινήτου με περιορισμένο χώρο.
Εφαρμογές της1EDI3033ASσε οχήματα νέας ενέργειας
Τα νέα οχήματα ενέργειας αποτελούν έναν από τους σημαντικότερους τομείς εφαρμογής για τον οδηγό πύλης 1EDI3033AS.με υψηλή τάσηΤο 1EDI3033AS, το οποίο έχει σχεδιαστεί ειδικά για τα SiC MOSFETs, είναι ένα από τα πιο ευέλικτα συστήματα ηλεκτροκίνησης.παίζει καθοριστικό ρόλο σε αυτόν τον μετασχηματισμό.
Σε εφαρμογές μετατροπέα κύριας κίνησης, το 1EDI3033AS χρησιμοποιείται για την κίνηση των μονάδων ισχύος CoolSiCTM MOSFET, επιτρέποντας την αποτελεσματική μετατροπή της ισχύος συνεχούς ρεύματος της μπαταρίας σε ισχύ ρεύματος μετατροπής κινητήρα.Σε σύγκριση με τις παραδοσιακές λύσεις με βάση το πυρίτιο, οι μετατροπείς SiC μπορούν να βελτιώσουν την απόδοση κατά 3-5%, πράγμα που σημαίνει ότι τα ηλεκτρικά οχήματα μπορούν να επιτύχουν αύξηση της αυτονομίας κατά 5-8% με την ίδια χωρητικότητα της μπαταρίας.Η υψηλή ικανότητα κίνησης του 1EDI3033AS και τα χαρακτηριστικά ταχείας απόκρισης εξασφαλίζουν τη σύνδεση υψηλής ταχύτητας των SiC MOSFETΤο σύστημα αυτό είναι εξοπλισμένο με ηλεκτρονικά συστήματα, ενώ τα ισχυρά χαρακτηριστικά προστασίας του αυξάνουν την αξιοπιστία του συστήματος, ικανοποιώντας τις αυστηρές απαιτήσεις των ηλεκτρονικών συσκευών αυτοκινήτου.
Τα ενσωματωμένα φορτιστήρια (OBC) είναι ένα άλλο σημαντικό σενάριο εφαρμογής.Υποστήριξη φόρτισης επιβατών 11 kW ή ακόμη και 22 kWΤο μικρό του μέγεθος είναι ιδιαίτερα κατάλληλο για ηλεκτρονικά περιβάλλοντα αυτοκινήτου με περιορισμένο χώρο.ενώ η υψηλή τάση απομόνωσης εξασφαλίζει ασφαλή απομόνωση μεταξύ της πλευράς υψηλής τάσης και της πλευράς χαμηλής τάσης, που πληρούν τα πρότυπα ασφάλειας ηλεκτρονικών συσκευών αυτοκινήτων.
Σε μετατροπείς συνεχούς ρεύματος, ο συνδυασμός του οδηγού 1EDI3033AS και των MOSFET SiC επιτρέπει συχνότητες εναλλαγής σε επίπεδο MHz,μείωση σημαντικά του μεγέθους και του βάρους των παθητικών εξαρτημάτων, όπως των επαγωγών και των πυκνωτώνΑυτό είναι ιδιαίτερα σημαντικό για τη μετατροπή τάσης 800V-400V ή 800V-12V σε ηλεκτρικά οχήματα, συμβάλλοντας στη μείωση του συνολικού βάρους του οχήματος και τη βελτίωση της ενεργειακής απόδοσης.
Εφαρμογές της1EDI3033ASστους τομείς της βιομηχανίας και της ανανεώσιμης ενέργειας
Εκτός από τα οχήματα νέας ενέργειας, ο οδηγός πύλης Infineon 1EDI3033AS έχει ευρείες εφαρμογές στους τομείς της βιομηχανικής αυτοματοποίησης και των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας.0 και ενεργειακή μετάβαση, η ζήτηση για αποδοτικές και αξιόπιστες ηλεκτρονικές λύσεις ισχύος αυξάνεται ραγδαία και ο συνδυασμός των 1EDI3033AS και των MOSFET SiC γίνεται τεχνικό σημείο αναφοράς σε αυτούς τους τομείς.
Στο βιομηχανικό τομέα κινητήρων, τα SiC MOSFET που κινούνται από το 1EDI3033AS μπορούν να επιτύχουν απόδοση μετατροπέα έως 98%, υποστηρίζοντας συχνότητες διασύνδεσης 50~100 kHz,σημαντική μείωση του μεγέθους των φίλτρων εξόδουΑυτό είναι ιδιαίτερα σημαντικό για εφαρμογές υψηλής δυναμικής απόδοσης, όπως servo drives, drives μεταβλητής συχνότητας και ρομποτική, καθώς βελτιώνει την ταχύτητα απόκρισης του συστήματος και την ακρίβεια ελέγχου.Η υψηλή ανθεκτικότητα του 1EDI3033AS στον θόρυβο το καθιστά επίσης εξαιρετικά κατάλληλο για την αντιμετώπιση κοινών προκλήσεων ηλεκτρομαγνητικών παρεμβολών (EMI) σε βιομηχανικά περιβάλλοντα.
Οι φωτοβολταϊκοί μετατροπείς είναι μια άλλη βασική εφαρμογή.5-2% βελτίωση σε σχέση με τις παραδοσιακές λύσεις με βάση το πυρίτιοΤα χαρακτηριστικά λειτουργίας υψηλής θερμοκρασίας του 1EDI3033AS του επιτρέπουν να αντέχει στις αυστηρές διακυμάνσεις θερμοκρασίας των εξωτερικών φωτοβολταϊκών συστημάτων,ενώ η υψηλή τάση απομόνωσης εξασφαλίζει την ασφάλεια του συστήματος στην πλευρά υψηλής τάσης συνεχούς ρεύματος.
στον τομέα της τροφοδοσίας ηλεκτρικής ενέργειας κέντρων δεδομένων, ο συνδυασμός των 1EDI3033AS και των MOSFET SiC επιτρέπει τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας διακομιστών με απόδοση άνω του 96% και πυκνότητα ισχύος που φτάνει ή υπερβαίνει τα 100W/in3,σημαντική μείωση της κατανάλωσης ενέργειας και των αναγκών ψύξης του κέντρου δεδομένωνΤα χαρακτηριστικά ταχείας εναλλαγής του 1EDI3033AS διευκολύνουν την εφαρμογή υψηλής συχνότητας LLC αντηχητικών μετατροπών,μείωση του μεγέθους των μετασχηματιστών και των συστατικών φίλτρων για την κάλυψη της ζήτησης των κέντρων δεδομένων για τροφοδοσίες υψηλής πυκνότητας ισχύος.
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
