Το εταιρικό blog για Η Infineon εισάγει το MOSFET αυτοκινητοβιομηχανίας (IPW65R115CFD7A) 650V CoolMOSTM N-Channel

Η Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd εισήγαγε την αρχική Infineon λανσάρει MOSFET αυτοκινητοβιομηχανικής κλάσης (IPW65R115CFD7A) 650V CoolMOSTM N-Channel Automotive Grade SJ Power MOSFET CFD7A

Περιγραφή της συσκευής

Το 115mOhm IPW65R115CFD7A σε ένα πακέτο καρφίτσης TO-247 αποτελεί μέρος της οικογένειας MOSFET CFD7A ισχύος 650V CoolMOSTM SJ πιστοποιημένης για αυτοκίνητο.το CoolMOSTM CFD7A προσφέρει υψηλότερη αξιοπιστία και πυκνότητα ισχύος με βελτιωμένη ευελιξία σχεδιασμού.

Περιγραφή χαρακτηριστικών

Συμμόρφωση με την πιστοποίηση AEC-Q101

Η τάση της μπαταρίας φτάνει τα 475V χωρίς να θίγονται τα πρότυπα αξιοπιστίας

Μέχρι 98,4% βελτίωση της αποδοτικότητας σε τοπολογίες σκληρής και μαλακής εναλλαγής

Εσωτερική ταχεία διόδη σώματος Qrr 30% χαμηλότερη από την CoolMOSTM CFDA

Χαρακτηριστικά του προϊόντος

Κατασκευαστής Infineon Technologies

Σειρά CoolMOSTM CFD7A

Σωλήνες συσκευασίας

Κατάσταση τμήματος προς πώληση

Τύπος FET N-Channel

Τεχνολογία MOSFET (οξείδιο μετάλλου)

Η τάση της πηγής αποστράγγισης (Vdss) 650 V

ρεύμα σε 25°C - συνεχής αποστράγγιση (Id) 21A (Tc)

Τετάρτη, 15 Ιανουαρίου 2019

Σε αντίσταση (Max) σε διαφορετικό Id, Vgs 115 mOhm @ 9,7A, 10V

Vgs(th) σε διαφορετικό Id (μέγιστο) 4,5V @ 490μA

Τεχνική διάταξη (Qg) σε Vgs (μέγιστο) 41 nC @ 10 V

Vgs (μέγιστο) ±20V

Η χωρητικότητα εισόδου (Ciss) σε διάφορα Vds (μέγιστο) 1950 pF @ 400 V

Λειτουργία FET -

Δυναμική διάσπαση (μέγιστη) 114W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 150°C (TJ)

Κατηγορία Κατηγορία αυτοκινήτων

Πιστοποίηση AEC-Q101

Τύπος τοποθέτησης μέσα από τρύπα

Πακέτο συσκευής προμηθευτή PG-TO247-3-41

Πακέτο/Κατοικία TO-247-3

Πιθανές εφαρμογές

Συσκευές φόρτισης αυτοκινήτων

Τοπολογίες σκληρής διακόπτησης (με διόδους SiC)

Στάδιο ενίσχυσης PFC

Στάδια συνεχούς ρεύματος για φορτιστές αυτοκινήτων

Μετατροπείς συνεχούς ρεύματος HV-LV

ΕΠΕ ή πλήρης μετατόπιση φάσης γέφυρας (ZVS)

Βοηθητικές πηγές ρεύματος