Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.διατηρεί μακροπρόθεσμη προμήθεια γνήσιας Infineon σε αποθέματαIPM018N10/Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2014.- ένα 100V MOSFET N-Channel με τεχνολογία OptiMOSTM 5 Linear FET 2. Με αντίσταση ανάφλεξης μόλις 1,7 mΩ, συνεχές ρεύμα αποχέτευσης έως 285 A και ευρεία περιοχή ασφαλείας λειτουργίας (SOA),Η συσκευή αυτή έχει σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές προστασίας, όπως η θερμή ανταλλαγή., ηλεκτρονικές ασφάλειες (e-Fuses) και συστήματα διαχείρισης μπαταριών (BMS) που απαιτούν αντοχή σε υψηλές τάσεις.
Επισκόπηση του προϊόντος: Το σημείο αναφοράς για την τεχνολογία OptiMOSTM 5 Linear FET 2
Ο IPM018N10 ανήκει στη σειρά OptiMOSTM 5 Linear FET 2 της Infineon και χρησιμεύει ως σημείο αναφοράς απόδοσης για την κατηγορία τάσης 100V εντός αυτής της πλατφόρμας.Η συσκευή διαθέτει ένα νέο πακέτο mTOLG 8 × 8 mm (PG-HSOG-4-1), είναι συμβατό με τα MOSFET τύπου φτερούγα 8×8 mm2 όπως το LFPAK88 και είναι μια συσκευή τυποποιημένης συσκευής που έχει καταχωρηθεί από την JEDEC.
Η βασική φιλοσοφία σχεδιασμού αυτού του προϊόντος είναι ο συνδυασμός της εξαιρετικά χαμηλής αντίστασης με μια ευρεία ασφαλής περιοχή λειτουργίας (SOA),ειδικά βελτιστοποιημένα για κυκλώματα προστασίας που πρέπει να αντέχουν σε ρεύματα εισροής και να λειτουργούν σε γραμμική λειτουργία.
IPM018N10Βασικές τεχνικές προδιαγραφές
Η τάση της πηγής αποχέτευσης (VDS): 100 V
Συνεχή ροή αποστράγγισης (ID): 285 A (Tc)
Αντίσταση ενεργοποίησης (RDS ((on)): Μέγιστο 1,7 mΩ @ 100 A, 15 V
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας: -55°C έως +175°C
Τύπος συσκευασίας: PG-HSOG-4-1 (8×8 mm mTOLG)
Τεχνική διάταξη:
Δυνατότητα εισόδου (Ciss): 14.000 pF @ 50V
IPM018N10Βασικά χαρακτηριστικά και οφέλη
Ηγετική στον κλάδο αντίσταση ανάφλεξης: RDS ((on) τόσο χαμηλή όσο 1,4 mΩ έως 1,7 mΩ, μειώνοντας σημαντικά τις απώλειες αγωγιμότητας και βελτιώνοντας την ενεργειακή απόδοση του συστήματος
Ευρεία περιοχή ασφαλείας λειτουργίας (SOA): Εξαιρετική ικανότητα λειτουργίας γραμμικής λειτουργίας, ασφαλή χειρισμός ρεύματος εισροής κατά την εκκίνηση και τις συνθήκες βλάβης
Υψηλή πυκνότητα ισχύος: Επιτυγχάνει διάχυση ισχύος 349 W σε ένα συμπαγές πακέτο 8 × 8 mm, εξοικονομώντας σημαντικά χώρο PCB
Βελτιωμένα χαρακτηριστικά μεταφοράς: στενότερο εύρος διανομής Vgs ((th), βελτιώνοντας τη διανομή ρεύματος όταν πολλές συσκευές συνδέονται παράλληλα
100% δοκιμή χιονοστιβάδας: διασφαλίζει την αξιοπιστία της συσκευής υπό σκληρές συνθήκες λειτουργίας
Βασικές εφαρμογές
ΗIPM018N10είναι ειδικά σχεδιασμένο για να είναι η ιδανική επιλογή για την προστασία από υπερβολικό ρεύμα και εφαρμογές διακόπτη υψηλής πυκνότητας ισχύος:
Σύστημα διαχείρισης μπαταρίας (BMS): Χρησιμοποιείται για την προστασία του κύριου κυκλώματος και των κυκλωμάτων προφόρτισης σε πακέτα μπαταριών για να εξασφαλιστεί η ασφάλεια και η αξιοπιστία του συστήματος
Ηλεκτρονικές ασφάλειες και ηλεκτρονικές ασφάλειες (ηλεκτρονικές ασφάλειες): παρέχει ομαλό περιορισμό του ρεύματος και προστασία από βραχυκύκλωμα, αποτρέποντας την καταστροφική τάση ή τα κύματα ρεύματος κατά τη διάρκεια της θερμής ανταλλαγής
Εφοδιασμοί ηλεκτρικής ενέργειας διακομιστών (server power supplies): ανταποκρίνεται στις αυστηρές απαιτήσεις των κέντρων δεδομένων για μονάδες ηλεκτρικής ενέργειας υψηλής απόδοσης και υψηλής πυκνότητας ισχύος
Υποδομή τηλεπικοινωνιών: Κατάλληλη για προστασία από θερμή ανταλλαγή και μετατροπή ισχύος στις πηγές τροφοδοσίας εξοπλισμού επικοινωνιών
Για να ζητήσετε προσφορά προϊόντος, δείγματα ή πληροφορίες αποθέματος, παρακαλούμε επικοινωνήστε με την Mingjiada Electronics:
Επαφή: κ. Τσεν
Τηλέφωνο: 13410018555
Ηλεκτρονικό μήνυμα: +86 sales@hkmjd.com
Ιστοσελίδα:Η Επιτροπή διαπιστώνει ότι η Επιτροπή δεν έχει λάβει καμία απόφαση σχετικά με το εν λόγω μέτρο.
Ετικέτες:Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2014.,Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ,Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ,Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2014.,IPM018N10NM,IPM018N10N,IPM018N10
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sales Manager
Τηλ.:: 86-13410018555
Φαξ: 86-0755-83957753