Το εταιρικό blog για Infineon IPW65R110CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Τρανζίστορ

Infineon IPW65R110CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., ως ένας αναγνωρισμένος προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων, προσφέρει τώρα την Infineon IPW65R110CFD 650V CoolMOS™ N-channel power MOSFET transistor. Αυτό το προϊόν αντιπροσωπεύει τη δεύτερη γενιά MOSFET υψηλής τάσης της Infineon, που ηγείται της αγοράς, προσφέροντας εξαιρετική απόδοση και αξιοπιστία που το καθιστούν ιδανική επιλογή για βιομηχανικές εφαρμογές.

【IPW65R110CFD Επισκόπηση Προϊόντος】

Το IPW65R110CFD αντιπροσωπεύει τη δεύτερη γενιά CoolMOS™ MOSFET υψηλής τάσης της Infineon, χρησιμοποιώντας προηγμένη τεχνολογία 650V με ενσωματωμένη γρήγορη δίοδο σώματος. Αυτή η συσκευή διαδέχεται την τεχνολογία 600V CFD, προσφέροντας περαιτέρω βελτιώσεις στην ενεργειακή απόδοση.

Η τεχνολογία CoolMOS™ είναι σχεδιασμένη με βάση την επαναστατική αρχή Super-Junction, ξεπερνώντας τους περιορισμούς των συμβατικών MOSFET ισχύος. Ως μέρος της σειράς CFD2, το IPW65R110CFD όχι μόνο κληρονομεί την υψηλή απόδοση της σειράς CoolMOS™ αλλά διαθέτει επίσης βελτιστοποιήσεις σε πολλές βασικές παραμέτρους.

Σχεδιασμένο για να προσφέρει υψηλότερη πυκνότητα ισχύος και ανώτερη απόδοση μεταγωγής, το IPW65R110CFD προσφέρει σημαντικά καλύτερη ανταγωνιστικότητα από τα ανταγωνιστικά προϊόντα μέσω της πιο ομαλής συμπεριφοράς μεταγωγής και των βελτιωμένων χαρακτηριστικών ηλεκτρομαγνητικών παρεμβολών. Αυτά τα χαρακτηριστικά διευκολύνουν την ευκολότερη ενσωμάτωση του σχεδιασμού, ενώ προσφέρουν ένα πιο ανταγωνιστικό σημείο τιμής.

【Βασικά Χαρακτηριστικά και Παράμετροι Απόδοσης του IPW65R110CFD】

Το IPW65R110CFD διαθέτει αρκετές εντυπωσιακές παραμέτρους χαρακτηριστικών που καθορίζουν άμεσα την εξαιρετική του απόδοση σε διάφορες εφαρμογές:

Αυτό το MOSFET διαθέτει τάση διάσπασης αποστράγγισης-πηγής (VDS) έως 650V, παρέχοντας άφθονο περιθώριο ασφαλείας. Στους 25°C, το συνεχές ρεύμα αποστράγγισης (ID) φτάνει τα 31,2A, ενώ το παλμικό ρεύμα αποστράγγισης (IDM) φτάνει τα 99,6A.

Η μέγιστη αντίσταση αποστράγγισης-πηγής (RDS(on)) είναι 110mΩ (δοκιμασμένο στα 10V τάσης πύλης), με τυπικές τιμές ακόμη χαμηλότερες. Αυτό μεταφράζεται σε μειωμένες απώλειες αγωγιμότητας και βελτιωμένη ενεργειακή απόδοση.

Το IPW65R110CFD χρησιμοποιεί ένα πακέτο TO-247 με τυπικό φορτίο πύλης (Qg) 118 nC (@10V). Αυτό το χαμηλό φορτίο πύλης μειώνει σημαντικά τις απώλειες μεταγωγής. Η συνολική απαγωγή ισχύος (Ptot) φτάνει τα 277,8W, αποδεικνύοντας εξαιρετική ικανότητα χειρισμού ισχύος.

Το IPW65R110CFD ενσωματώνει επίσης μια εξαιρετικά γρήγορη δίοδο σώματος με εξαιρετικά χαμηλό ρεύμα ανάστροφης ανάκτησης (Qrr), επιτρέποντάς του να περιορίζει την υπέρβαση τάσης κατά τη σκληρή μεταγωγή και, ως εκ τούτου, να ενισχύει την αξιοπιστία του συστήματος.

【IPW65R110CFD Χαρακτηριστικά Προϊόντος】

Το IPW65R110CFD χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία CoolMOS™ CFD2 της Infineon με ενσωματωμένη γρήγορη δίοδο σώματος, προσφέροντας σημαντικές βελτιώσεις απόδοσης σε σχέση με τις προηγούμενες γενιές.

Βασικά χαρακτηριστικά περιλαμβάνουν:

Δυνατότητα υψηλής τάσης: Η τάση διάσπασης αποστράγγισης-πηγής (VDS) 650V παρέχει επιπλέον περιθώριο σχεδιασμού.

Χαμηλή αντίσταση: Η μέγιστη RDS(on) των 110mΩ (στα 10V VGS) μειώνει αποτελεσματικά τις απώλειες αγωγιμότητας.

Ικανότητα χειρισμού υψηλού ρεύματος: Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης (ID) έως 31,2A, με παλμικό ρεύμα (IDpuls) που φτάνει τα 99,6A.

Γρήγορη απόδοση μεταγωγής: Οι απώλειες μεταγωγής μειώνονται σημαντικά χάρη στο χαμηλό φορτίο πύλης (Qg μόλις 118nC) και το χαμηλό ρεύμα ανάστροφης ανάκτησης (Qrr).

Ανώτερα θερμικά χαρακτηριστικά: Μέγιστη απαγωγή ισχύος 277,8W με θερμική αντίσταση (RthJC) μόλις 0,45K/W. Χρησιμοποιεί το κλασικό πακέτο TO-247 για απλή θερμική διαχείριση.

【IPW65R110CFD Βασικά Πλεονεκτήματα】

Το IPW65R110CFD ξεπερνά ένα τυπικό MOSFET, προσφέροντας πολλαπλά οφέλη σχεδιασμού:

Πιο ομαλή συμπεριφορά μεταγωγής και ανώτερη απόδοση ηλεκτρομαγνητικών παρεμβολών (EMI), προσφέροντας σαφή πλεονεκτήματα έναντι των ανταγωνιστικών λύσεων.

Χαμηλό Qrr κατά τη διάρκεια επαναλαμβανόμενης μεταγωγής διόδου σώματος, μειώνοντας αποτελεσματικά τις απώλειες μεταγωγής.

Δυνατότητα αυτοπεριορισμού di/dt και dv/dt, ενισχύοντας την αξιοπιστία του συστήματος.

Σημαντικά μειωμένο Qg σε σύγκριση με την τεχνολογία 600V CFD, με βελτιωμένη συμπεριφορά μεταγωγής και πιο ανταγωνιστική τιμή.

【IPW65R110CFD Τομείς Εφαρμογής】

Το IPW65R110CFD είναι κατάλληλο για διάφορες εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής απόδοσης:

Στην υποδομή επικοινωνιών, όπως οι κυψελωτοί σταθμοί βάσης, η υψηλή του απόδοση συμβάλλει στη μείωση του λειτουργικού κόστους και στην ενίσχυση της αξιοπιστίας του συστήματος.

Τα τροφοδοτικά διακομιστών αντιπροσωπεύουν έναν άλλο κρίσιμο τομέα εφαρμογής, όπου οι αυξανόμενες απαιτήσεις ισχύος των κέντρων δεδομένων δημιουργούν μια επείγουσα ανάγκη για αποδοτική μετατροπή ισχύος.

Στους τομείς των ανανεώσιμων πηγών ενέργειας, όπως οι ηλιακοί μετατροπείς, η ικανότητα υψηλής τάσης και η απόδοση του IPW65R110CFD το καθιστούν ιδανική επιλογή.

Η υποδομή φόρτισης ηλεκτρικών οχημάτων, ιδιαίτερα οι σταθμοί ταχείας φόρτισης, επωφελείται επίσης από την ικανότητα χειρισμού υψηλής ισχύος και την απόδοση αυτής της συσκευής.

Επιπλέον, μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε εφαρμογές όπως τα ballast λαμπτήρων HID, ο φωτισμός LED και οι λύσεις ηλεκτρικής κινητικότητας.