Αφήστε ένα μήνυμα
We bellen je snel terug!
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
Παρακαλούμε ελέγξτε το email σας!
Περισσότερες πληροφορίες διευκολύνουν την καλύτερη επικοινωνία.
Υποβλήθηκε με επιτυχία!
We bellen je snel terug!
Αφήστε ένα μήνυμα
We bellen je snel terug!
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
Παρακαλούμε ελέγξτε το email σας!
—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία
—— Λουίς Από τις Ηνωμένες Πολιτείες
—— Ρίτσαρντ από τη Γερμανία
—— Τιμ από τη Μαλαισία
—— Βίνσεντ από τη Ρωσία
—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία
—— Σαμ Από τις Ηνωμένες Πολιτείες
—— Η Λίνα από τη Γερμανία
INFINEONΔελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧΤρανζίστορα N-Channel OptiMOSTM 6 MOSFETs
Περιγραφή του προϊόντοςΔελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Το IQE057N10NM6CGSC είναι ένα 100V N-Channel OptiMOSTM 6 MOSFETs Τρανζίστορ.
ΠροδιαγραφέςΔελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Πολικότητα του τρανζίστορα:N-Channel
Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι
Vds - Τετάρτη διάσπασης της πηγής αποχέτευσης:100 V
Id - Συνεχή ροή αποχέτευσης:98 A
Rds On - Αντίσταση της πηγής αποστράγγισης:5.7 mOhms
Vgs - Η τάση πύλης πύλης:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Πύλη-Πηγή Πύλη-Πύλη:3.3 V
Qg - Πύλη χρέωσης:26 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:- 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 175 C
Pd - Δυναμική διάσπαση:125 W
Τρόπος καναλιού:Αύξηση
Χρόνος πτώσης: 4,6 σ.μ.
Τύπος προϊόντος: MOSFET
Χρόνος άνοδος: 1,9 σ.
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης: 12 ms
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ανάφλεξης:5.6 ns
ΧαρακτηριστικάΔελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
N-κανάλι, κανονικό επίπεδο
Πολύ χαμηλή αντίσταση ρεύματος (Rps))
Εξαιρετική χρέωση πύλης X Ros ((on) προϊόν (FOM)
Πολύ χαμηλή αντίστροφη φόρτιση ανάκτησης (Qr)
Υψηλή ενεργειακή ικανότητα χιονοστιβάδας
Θερμοκρασία λειτουργίας 175°C
Βελτιστοποιημένο για μετατόπιση υψηλής συχνότητας και συγχρονισμένη διόρθωση
Επικάλυψη με μόλυβδο χωρίς Pb, συμβατή με το RoHS
Χωρίς αλογόντα σύμφωνα με την IEC61249-2-21
MSL 1 που ταξινομείται σύμφωνα με την J-STD-020
ΠακέτοΔελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ