Το εταιρικό blog για Η Mingjiada Electronics προμηθεύει και ανακυκλώνει τα CoolSiCTM 750V G2 Silicon Carbide MOSFET της σειράς Infineon IMBG75R (για εφαρμογές διακομιστών AI)

Με την εκρηκτική αύξηση της κατανάλωσης ενέργειας που οδηγείται από μεγάλα μοντέλα τεχνητής νοημοσύνης και διακομιστές υψηλής απόδοσης, οι μονάδες παροχής ενέργειας διακομιστών (PSU) εξελίσσονται προς εξαιρετικά υψηλή απόδοση,υψηλές συχνότητες εναλλαγής και υψηλή πυκνότητα ισχύοςΧάρη στις εξαιρετικές του επιδόσεις και τη σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες,Η σειρά 750V CoolSiCTM MOSFET G2 της δεύτερης γενιάς της Infineon (IMBG75R) έχει γίνει η βασική συσκευή ισχύος για την επόμενη γενιά συστημάτων παροχής ενέργειας διακομιστών AI.

Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.διατηρεί μακροπρόθεσμα αποθέματα γνήσιων MOSFET καρβιδίου πυριτίου IMBG75R της Infineon σε ολόκληρη την γκάμα προϊόντων.Η εταιρεία προσφέρει επίσης προνομιακές τιμές για την επαναγορά πλεονάσματος και παρωχημένων αποθεμάτων από αυτή τη σειρά σε όλους τους κλάδους., παρέχοντας υπηρεσίες προμήθειας εξαρτημάτων υψηλής ποιότητας και βελτιστοποίησης αποθεμάτων σε πελάτες στους τομείς του διακομιστή τεχνητής νοημοσύνης, του κέντρου δεδομένων, της βιομηχανικής παροχής ενέργειας και της νέας ενέργειας.

Ι. Πλήρης κατάλογος των μοντέλων της σειράς IMBG75R (προμήθεια και επαναγορά)

Η σειρά IMBG75R χρησιμοποιεί την συσκευή PG-TO263-7 (D2PAK-7) επιφανειακής τοποθέτησης με ενσωματωμένη ανεξάρτητη πένα πηγής (Πηγή Kelvin),που καλύπτει μια περιοχή αντίστασης (RDS(on)) από 7 mΩ έως 60 mΩ για να ταιριάζει σε σχέδια τροφοδοσίας ισχύος διαφόρων βαθμίδων ισχύοςΟ πλήρης κατάλογος των μοντέλων περιλαμβάνει:

IMBG75R007M2H

IMBG75R011M2H

IMBG75R016M2H

IMBG75R020M2H

IMBG75R025M2H

IMBG75R033M2H

IMBG75R040M2H

IMBG75R050M2H

IMBG75R060M2H

ΙΙ. Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά

Η σειρά αυτή βασίζεται στην τεχνολογία του Infineon της δεύτερης γενιάς CoolSiCTM,που προσφέρει βελτίωση 20% έως 35% στις βασικές μετρήσεις του δείκτη αξίας (FOM) σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά, προσφέρει τα ακόλουθα σημαντικά πλεονεκτήματα:

Υπερ-χαμηλές απώλειες διασύνδεσης: Οι κορυφαίες στον κλάδο παραμέτροι RDS ((on) × Qfr, RDS ((on) × Qoss και RDS ((on) × QG μειώνουν σημαντικά τις απώλειες ισχύος τόσο σε τοπολογίες σκληρής διασύνδεσης όσο και σε τοπολογίες μαλακής διασύνδεσης,βοηθώντας τα συστήματα τροφοδοσίας ενέργειας να επιτύχουν αποδόσεις άνω του 97%.

Υψηλή ανθεκτικότητα και αξιοπιστία: 100% συμμόρφωση με τη δοκιμή χιονοστιβάδας, ικανή να αντέχει σε συνθήκες υψηλής τάσης στη γραμμή διασύνδεσης άνω των 500 V και αποτελεσματικά ανθεκτική στις επιδράσεις παρασιτικής αγωγίας.

Εξαιρετικές θερμικές επιδόσεις: Χρησιμοποιώντας την πατενταρισμένη διαδικασία σύνδεσης διάχυσης.XT της Infineon, παρέχει εξαιρετική απώλεια θερμότητας,με μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας διασταύρωσης 175 °C (μέχρι 200 °C για ορισμένα μοντέλα) και εξαιρετικά χαμηλή θερμική αντίσταση.

Απλοποιημένος σχεδιασμός κινητήρα: ένας χαμηλός λόγος Crss/Ciss σε συνδυασμό με υψηλή τάση κατώτατου ορίου πύλης VGS(th) υποστηρίζει την οδήγηση μονοπολικής πύλης (0 V σβήσιμο), μειώνοντας την πολυπλοκότητα του κυκλώματος κινητήρα.Οι ανεξάρτητες πινές πηγής κίνησης βελτιώνουν την ανταλλαγή ρεύματος σε παράλληλες διαμορφώσεις πολλών συσκευών υψηλής ισχύος.

Τυπικές εφαρμογές: Διακομιστές και κέντρα δεδομένων τεχνητής νοημοσύνης

Η σειρά IMBG75R έχει σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές υψηλής συχνότητας, υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος, με τους διακομιστές τεχνητής νοημοσύνης να αποτελούν τον βασικό τομέα εφαρμογής:

Ηλεκτρικές πηγές τροφοδοσίας διακομιστών AI (PSU): κυκλώματα προώθησης PFC με τότεμ-πόλο και συντονιστές DC-DC με συντονισμό LLC/CLLC,που ικανοποιεί τις απαιτήσεις στιγμιαίας παροχής ισχύος υψηλού ρεύματος των GPU υψηλής ισχύος (όπως οι NVIDIA H100 και B200).

Αρχιτεκτονική τροφοδοσίας κέντρου δεδομένων: τροφοδοσίες υψηλής τάσης για διακομιστές τριών φάσεων και μετατροπή DC-DC υψηλής/χαμηλής τάσης, συμβάλλοντας στη μείωση της μετρικής κατανάλωσης ενέργειας PUE στα κέντρα δεδομένων.

Αποθήκευση ενέργειας και ηλεκτρική ενέργεια εφεδρείας: μετατροπείς αποθήκευσης ενέργειας κέντρων δεδομένων (PCS) και συστήματα αποθήκευσης ενέργειας μπαταριών (BESS).

Άλλες βιομηχανικές εφαρμογές: φωτοβολταϊκοί μετατροπείς, εμπορική και βιομηχανική αποθήκευση ενέργειας, μονάδες ηλεκτρικής ενέργειας σταθμών φόρτισης συνεχούς ρεύματος, συστήματα UPS υψηλής ισχύος, διακόπτες στερεής κατάστασης (SSCB), κλπ.

IV. Η δέσμευση υπηρεσίας της Mingjiada

Αμεση διαθεσιμότητα: Καλύπτει ολόκληρη τη σειρά IMBG75R, γνήσια, πρωτότυπα προϊόντα, που υποστηρίζουν την προμήθεια δειγμάτων και χύδην.

Μακροπρόθεσμη επαναγορά: Προσφέρουμε υψηλής αξίας επαναγορά πλεονάζοντος αποθέματος για αυτή τη σειρά και παρόμοια Infineon CoolSiCTM MOSFET από κατασκευαστές, προμηθευτές λύσεων και κατασκευαστές συμβάσεων,παροχή επαγγελματικής αξιολόγησης και ευέλικτων όρων διακανονισμού.

Παρακαλείστε να επικοινωνήσετε με την εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. για τις τελευταίες λίστες μετοχών, προσφορές ή ερωτήσεις σχετικά με τις ρυθμίσεις επαναγοράς.

Εάν ενδιαφέρεστε, επικοινωνήστε με τον κ. Chen τηλεφωνικά:

Τηλεφώνημα: +86 13410018555

Ε-mail: sales@hkmjd.com

Ιστοσελίδα:Η Επιτροπή διαπιστώνει ότι η Επιτροπή δεν έχει λάβει καμία απόφαση σχετικά με το εν λόγω μέτρο.

Διεύθυνση: Δωμάτια 12391241, κτίριο Guoli, οδός Zhenzhong, περιοχή Futian, Shenzhen