Το εταιρικό blog για Mingjiada Μεγάλη Προμήθεια Τρανζίστορ MOSFET από καρβίδιο του πυριτίου Infineon IMZC120R007: 1200V/7mΩ, Πακέτο TO-247-4, Διαθέσιμο από στοκ στη Σενζέν

Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.(Mingjiada Electronics), ως επαγγελματίας διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων σε αποθέματα, προμηθεύει εδώ και καιρό γνήσια MOSFET της σειράς CoolSiCTM της Infineon.IMZC120R007(πλήρης αριθμός μοντέλου:IMZC120R007M2HΗ Mingjiada διατηρεί σταθερό απόθεμα στο Shenzhen,στήριξη της ταχείας παράδοσης τόσο για δείγματα μικρών παρτίδων όσο και για την παραγωγή μεγάλων όγκων, παρέχοντας στους πελάτες αποτελεσματικές και αξιόπιστες λύσεις ημιαγωγών ισχύος.

Ι. Σύνοψη του προϊόντος

ΗIMZC120R007είναι ένα MOSFET ισχύος 1200V καρβιδίου του πυριτίου (SiC) που κυκλοφόρησε από την Infineon Technologies, που ανήκει στη σειρά CoolSiCTM G2 (δεύτερης γενιάς).Χρησιμοποιώντας προηγμένη τεχνολογία τάφρου και αξιοποιώντας την εκτεταμένη εμπειρία της Infineon στον τομέα SiC, η συσκευή αυτή επιτυγχάνει εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση ανάφλεξης (RDS(on)) και εξαιρετικά υψηλές ταχύτητες διακόπτη, ενώ παράλληλα προσφέρει εξαιρετική σταθερότητα και αξιοπιστία σε υψηλές θερμοκρασίες.

Αυτό το μοντέλο χρησιμοποιεί ένα πακέτο TO-247-4 πιν (πηγή Kelvin τεσσάρων πινών), η οποία, σε σύγκριση με τα παραδοσιακά πακέτα τριών πινών, μειώνει σημαντικά την επαγωγικότητα κοινής πηγής στο κύκλωμα κίνησης,βελτιώνει σημαντικά την απόδοση μετάβασης, και μειώνει τις απώλειες μετάδοσης, καθιστώντας το ιδιαίτερα κατάλληλο για εφαρμογές μετατροπής ισχύος υψηλής συχνότητας και υψηλής απόδοσης.Χρησιμοποιώντας το παγκόσμιο δίκτυο προμηθειών και το κέντρο διανομής της ShenzhenΗ Mingjiada Electronics εξασφαλίζει την διαθεσιμότητα γνήσιωνIMZC120R007συσκευές σε αποθέματα για την κάλυψη των αναγκών διαφόρων βιομηχανικών και αυτοκινητοβιομηχανικών εφαρμογών.

ΙΙ. Βασικά χαρακτηριστικά και πλεονεκτήματα

Υπερ-χαμηλή αντίσταση ανάφλεξης: Τυπική τιμή 7 mΩ (RDS ((on)), με μέγιστο 9 mΩ (σε 25°C), μειώνοντας σημαντικά τις απώλειες αγωγιμότητας και βελτιώνοντας την αποδοτικότητα του συστήματος

Υψηλή τάση μπλοκάρισμα: 1200 V VDS, που πληροί τις απαιτήσεις για υψηλής τάσης μπαρ και είναι κατάλληλη για ηλεκτρικά οχήματα 800 V και φωτοβολταϊκά συστήματα

Χαμηλές απώλειες διασύνδεσης: Χάρη στα εξαιρετικά χαρακτηριστικά υψηλής συχνότητας του υλικού SiC, οι απώλειες διασύνδεσης είναι πολύ χαμηλότερες από εκείνες των IGBT με βάση το πυρίτιο με ισοδύναμες προδιαγραφές,επιτρέπει υψηλότερες συχνότητες διακόπτη (μέχρι αρκετές εκατοντάδες kHz) και μειώνει το μέγεθος των παθητικών εξαρτημάτων

Ευρύ εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας: θερμοκρασία διασταύρωσης έως 175°C, ικανοποιώντας τις απαιτήσεις μακροχρόνιας αξιοπιστίας σε σκληρά περιβάλλοντα

TO-247-4 Πακέτο: Η πένα πηγής Kelvin εξαλείφει την κοινή επαγωγικότητα στην τροχιά κίνησης, επιτρέποντας ταχύτερες μεταβάσεις μετάβασης και χαμηλότερη κλήση, βελτιώνοντας έτσι την αξιοπιστία της κίνησης της πύλης

Ενσωματωμένη διόδη σώματος: Χαρακτηριστικά χαμηλής αντίστροφης ανάκτησης φορτίου (Qrr),που επιτρέπουν την αλάνθαστη αντίστροφη αγωγία χωρίς την ανάγκη εξωτερικής διόδου ελεύθερης τροχιάς (κατάλληλη για τοπολογίες συγχρονικής διόρθωσης)

Υψηλή αντοχή σε χιονοστιβάδες: προσφέρει ισχυρή αντοχή σε χιονοστιβάδες, ενισχύοντας την αντοχή του συστήματος

Συμβατό με τις τυπικές τάσεις κίνησης πύλης: υποστηρίζει την κίνηση πύλης από 0 V έως 18 V (υποστηρίζεται τάση ανάφλεξης 15 V), εξασφαλίζοντας τη συμβατότητα με τους υπάρχοντες οδηγούς

Συμμορφώνεται με το πρότυπο αυτοκινήτων AEC-Q101 (για μοντέλα αυτοκινήτων) ή πληροί απαιτήσεις αξιοπιστίας βιομηχανικής κλάσης

ΙΙΙ. Λεπτομερείς προδιαγραφές

Οι ακόλουθες είναι οι βασικές τεχνικές προδιαγραφές για το IMZC120R007 (IMZC120R007M2H):

Τύπος προϊόντος: MOSFET καρβιδίου πυριτίου

Πακέτο / Σπίτι: PG-TO247-4-U07

Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι

Δύναμη αποσύνδεσης

Id ∆ιαρκές ρεύμα αποστράγγισης: 201 A

Rds επί ∆ημοσίευσης-Πηγή-Αντίσταση: 20 mOhms

Η τάση της πύλης πύλης: -10 V, +25 V

Vgs th ′ Πύλη-Πηγή Πύλη: 5.1 V

Επικεφαλής: 176 nC

Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: -55 °C

Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: +175 °C

Pd ∆ιαρροή ισχύος: 711 W

Ετικέτα: CoolSiC

Διαμόρφωση: Ενίσχυση

Χρόνος πτώσης: 33,6 ns

Προς τα εμπρός διαγωγιμότητα: 60 S

Χρόνος άνοδος: 21,5 ns

Σειρά: CoolSiC G2

Πολικότητα του τρανζίστορα: N-κανάλι

Τύπος τρανζίστορα: 1 N-Κανάλι

Τύπος: SiC MOSFET

Τυπική καθυστέρηση σβήσης: 76,3 ns

Τυπική καθυστέρηση ανάφλεξης: 32,4 ns

IV. Τυπικές εφαρμογές

Με την εξαιρετική του απόδοση 1200 V/7 mΩ, ηIMZC120R007είναι κατάλληλο για συστήματα μετατροπής ισχύος με εξαιρετικά υψηλές απαιτήσεις για αποδοτικότητα, πυκνότητα ισχύος και αξιοπιστία, συμπεριλαμβανομένων ειδικότερα:

Σταθμοί φόρτισης ηλεκτρικών οχημάτων: στάδια PFC και DC-DC σε μονάδες ταχείας φόρτισης συνεχούς ρεύματος, που επιτρέπουν σχεδιασμούς υψηλής απόδοσης και υψηλής πυκνότητας ισχύος

Φωτοβολταϊκοί μετατροπείς: στάδια MPPT και μετατροπείς σε μετατροπείς ράβδου, βελτιώνοντας την αποδοτικότητα του συστήματος και μειώνοντας το μέγεθος

Συστήματα αποθήκευσης ενέργειας (ESS): Διοικητικοί μετατροπείς συνεχούς ρεύματος προς συνεχές ρεύμα, που επιτρέπουν την αποτελεσματική μετατροπή ενέργειας

Βιομηχανικές πηγές ενέργειας: Πηγές ενέργειας για διακόπτες υψηλής ισχύος, όπως πηγές ενέργειας για διακομιστές, πηγές ενέργειας για τηλεπικοινωνίες και πηγές ενέργειας για ηλεκτροπληκτισμό

Ενσωματωμένοι φορτιστές (OBC) και μετατροπείς DC-DC (που πληρούν τις απαιτήσεις αξιοπιστίας αυτοκινητοβιομηχανίας)

Μετατροπείς έλξης (βοηθητικές ή κύριες κινητήρες, που απαιτούν συμμόρφωση με την AEC-Q101)

Μη διακοπτόμενες πηγές ρεύματος (UPS) και φίλτρα ενεργού ρεύματος (APF)

V. Προμήθειες και υπηρεσίες

Η Mingjiada Electronics προμηθεύει μεγάλες ποσότητες των Infineon IMZC120R007 MOSFET από καρβίδιο πυριτίου για μεγάλο χρονικό διάστημα.Εγγυόμαστε 100% αυθεντικότητα., πρωτότυπα προϊόντα και παρέχουν τις ακόλουθες υπηρεσίες:

Ευέλικτη προμήθεια: Υποστηρίζει τόσο τις αγορές μικρών παρτίδων δειγμάτων όσο και τις παραγγελίες παραγωγής μεγάλου όγκου

Γρήγορη παράδοση: σε αποθέματα στη Σενζέν, αποστέλλεται εντός 24 ωρών από την παραγγελία.

Παγκόσμια Εφοδιαστική: Εφαρμόζοντας τα δίκτυα αποθηκών μας στο Χονγκ Κονγκ και το Σενζέν, υποστηρίζουμε την εγχώρια και διεθνή αποστολή

Για την τελευταία απογραφή, τιμολόγηση ή για να ζητήσετε μια προσφορά, παρακαλούμε επισκεφθείτε την ιστοσελίδα Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) ή επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεων μας.

Πληροφορίες επικοινωνίας:

Τηλεφώνημα: +86 13410018555

Ε-mail: sales@hkmjd.com

Διεύθυνση: δωμάτια 1239-1241, κτίριο Guoli, δρόμος Zhenzhong, περιοχή Futian, Shenzhen, επαρχία Guangdong

Ετικέτες:IMZC120R007M2H,Το IMZC120R007M2,Το IMZC120R007M,IMZC120R007