Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.είναι επαγγελματίας προμηθευτής αποθεμάτων διανυστρωτών GaN HEMT της Infineon, προσφέροντας ολοκαίνουργιους, γνήσιους διανυστρωτές GaN HEMT της σειράς CoolGaNTM της Infineon.Η σειρά προϊόντων μας καλύπτει το πλήρες εύρος τάσης από 40V έως 850V, συμπεριλαμβανομένης της σειράς μέσης τάσης G3, της σειράς υψηλής τάσης G5, των αμφίδρομων διακόπτες (BDS) και των συσκευών αυτοκινητοβιομηχανίας,παροχή υποστήριξης για την προμήθεια συσκευών ηλεκτρικής ενέργειας GaN από ένα σταθμό για πελάτες ταχείας φόρτισης, κέντρα δεδομένων, φωτοβολταϊκούς μετατροπείς, οχήματα νέας ενέργειας και βιομηχανικές πηγές ενέργειας.
I. Core Infineon GaN HEMT σειρά προϊόντων που παρέχεται από την Mingjiada
Το CoolGaNTM της Infineon είναι ένα από τα λίγα χαρτοφυλάκια προϊόντων GaN HEMT στον κλάδο που καλύπτει εφαρμογές τόσο μεσαίας / χαμηλής τάσης όσο και υψηλής τάσης, ενώ προσφέρει επιλογές αυτοκινητοβιομηχανίας.Η Mingjiada διατηρεί αποθέματα των ακόλουθων σειρών και υποστηρίζει τόσο τις αιτήσεις δειγμάτων μικρών παρτίδων όσο και τις παραδόσεις μαζικής παραγωγής..
1. σειρά υψηλής τάσης CoolGaNTM G5 (650V/700V)
Με βάση την τεχνολογία Gate Injection Transistor (GIT), η σειρά G5 έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές υψηλής τάσης στους βιομηχανικούς και νέους ενεργειακούς τομείς.Παρέχει βελτίωση της απόδοσης κατά 3%·5% σε σχέση με τις παραδοσιακές λύσεις με βάση το πυρίτιο και υποστηρίζει τη μετάβαση υψηλής συχνότητας σε επίπεδο MHzΣύμφωνα με τα επίσημα στοιχεία της Infineon, τα προϊόντα 650V G5 διαθέτουν αντίστοιχες ανάφλεξης που κυμαίνονται από 25 mΩ έως 140 mΩ και μέγιστο συνεχές ρεύμα αποχέτευσης έως 70 A.,Το TOLT, το DSO TSC, το DFN 8×8 και το ThinPAK 5×6.
Η Mingjiada διατηρεί τα ακόλουθα αντιπροσωπευτικά μοντέλα G5 σε αποθέματα:
Βασικές παραμέτρους του υποδείγματος πακέτου
IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ
IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ
IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ
IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ
IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ
2. CoolGaNTM 600V σειρά βιομηχανικής τάξης (e-mode HEMT)
Το 600V e-mode GaN HEMT είναι η σειρά προϊόντων υψηλού όγκου της Mingjiada για τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας κέντρων δεδομένων, SMPS διακομιστών, διορθωτές τηλεπικοινωνιών και εφαρμογές ασύρματης φόρτισης.Η σειρά αυτή διαθέτει βελτιωμένη (κανονικά απενεργοποιημένη) δομή χωρίς αντίστροφη φόρτιση ανάκτησης, χρόνος άνοδος μόλις 9 ns, χρόνος πτώσης 13 ns και θερμοκρασία διαστήματος από -55°C έως +150°C.
Τα αντιπροσωπευτικά μοντέλα της Mingjiada στη σειρά 600V περιλαμβάνουν:
IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, πακέτο DSO-20, κατάλληλο για τοπολογίες μισής γέφυρας σκληρής και μαλακής διασύνδεσης, όπως PFC με τότεμ-πόλο και LLC υψηλής συχνότητας.
IGOT60R070D1: Συσκευή DSO-20 με απόλυτη ψύξη, κατάλληλη για σχέδια θερμικής διαχείρισης υψηλής πυκνότητας ισχύος.
IGLD60R070D1: Πακέτο LSON-8, σχεδιασμένο για συμπαγείς προσαρμογείς και γρήγορη φόρτιση.
IGT60R190D1: Πακέτο HSOF-8, 190 mΩ, κατάλληλο για βιομηχανικές πηγές ηλεκτρικής ενέργειας μεσαίας ισχύος.
IGLR60R340D1: 340 mΩ, κατάλληλο για έξοδα-ευαίσθητες βοηθητικές πηγές ρεύματος και εφαρμογές χαμηλής ισχύος.
IGLR60R260D1: 600V GaN HEMT e-mode, σχεδιασμένο για μετατροπή υψηλής συχνότητας και υψηλής απόδοσης.
IGI60F1414A1L: 600V CoolGaNTM έξυπνο ενεργειακό στάδιο με ενσωματωμένο οδηγό πύλης, 140 mΩ, QFN-28 8 × 8 mm πακέτο, απλοποιώντας το σχεδιασμό του συστήματος και τα κυκλώματα προστασίας.
3Η σειρά CoolGaNTM G3 μεσαίας τάσης (40V ̇ 120V)
Η σειρά G3 έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές μεσαίας έως χαμηλής τάσης, όπως συστήματα αυτοκινήτων 48V, ταχεία φόρτιση USB-C, κινητήρες και τροφοδοσίες τηλεπικοινωνιών.3 πακέτο συμβατό με τοποθεσίες MOSFET με βάση το πυρίτιοΤα μοντέλα 40V bidirectional switch (BDS) μπορούν να αντικαταστήσουν τα παραδοσιακά back-to-back MOSFET, εξοικονομώντας 50%~75% σε περιοχή PCB.
Αντιπροσωπευτικό μοντέλο: IGO60R070D1 (που περιλαμβάνεται επίσης για εφαρμογές αμφίδρομων διακόπτες χαμηλής έως μεσαίας τάσης) · για έναν πλήρη πίνακα επιλογής συγκεκριμένων μοντέλων 40V/100V G3,Παρακαλώ επικοινωνήστε με την ομάδα πωλήσεων της Mingjiada..
4. CoolGaNTM Bidirectional Switch (BDS)
Το CoolGaNTM BDS της Infineon είναι η πρώτη συσκευή GaN με ενιαίο τσιπ, ενσωματωμένη με τρόπο βελτίωσης και αμφίδρομη.Αντικαθιστά την παραδοσιακή αρχιτεκτονική δικατευθυντικού διακόπτη με μία μόνο συσκευή, μειώνοντας σημαντικά τον λογαριασμό υλικών και το αποτύπωμα PCB.
Αντιπροσωπευτικά μοντέλα που παρέχονται από την Mingjiada:
IGLT65R055B2: 650V BDS υψηλής τάσης βιομηχανικής κλάσης σε συσκευασία TOLT (Top-Out-Through), με αντοχή σε υπερήλξεις 850V· κατάλληλο για διμερείς σταθμούς φόρτισης, PCS αποθήκευσης ενέργειας,Διακόπτες κυκλωμάτων στερεής κατάστασης, και αμφίδρομοι μετατροπείς DC-DC.
IGK080B041S: 40V χαμηλής τάσης γενικής χρήσης BDS σε πακέτο σε κλίμακα τσιπ, σχεδιασμένο για μικροσκοπικές εφαρμογές διμερούς διακόπτη σε αυτοκινητοβιομηχανία και ηλεκτρονικά καταναλωτικά.
5Η σειρά CoolGaNTM Automotive-Grade (100V/600V, AEC-Q101)
Η Infineon εισήγαγε τα GaN HEMT με πιστοποίηση AEC-Q101 για τα συστήματα 48V αυτοκινήτων και την ενσωματωμένη φόρτιση.κύριοι μετατροπείς DC-DC, βοηθητικά συστήματα υψηλών επιδόσεων και ενισχυτές ήχου κλάσης D. Παρέχει επίσης 600V GaN HEMT e-mode που πληρούν τα πρότυπα αυτοκινήτων (όπως IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU, κλπ.).
ΙΙ. Γιατί να επιλέξετε τη Mingjiada για την προμήθεια Infineon GaN HEMT
Όλα τα προϊόντα Infineon CoolGaNTM στην Mingjiada προέρχονται απευθείας από τον κατασκευαστή ή από εξουσιοδοτημένα κανάλια, εξασφαλίζοντας ότι δεν υπάρχουν ανακαινισμένα ή χαλαρά νέα μέρη.Κάθε τσιπ υποβάλλεται σε επιθεώρηση ποιότητας για να εξασφαλιστεί η μακροπρόθεσμη αξιοπιστία των συσκευών ισχύος.
Ολοκληρωμένη σειρά προϊόντων σε αποθέματα, με γρήγορη παράδοση.Οι εγχώριες αποστολές αποστέλλονται εντός 48 ωρών., υποστηρίζοντας την ευέλικτη μετάβαση μεταξύ δειγμάτων Ε&Α και παραγγελιών μαζικής παραγωγής, γεγονός που συντομεύει σημαντικά το χρόνο κυκλοφορίας στην αγορά των πελατών.
Αντιπροσωπεύοντας τη συνεργασία μας με την Infineon και τα πλεονεκτήματα των χονδρικών αγορών,Η Mingjiada προσφέρει υπηρεσίες τιμολόγησης σε βαθμίδες και μακροπρόθεσμης κλεισίματος τιμών για να βοηθήσει τους πελάτες να ελέγχουν το κόστος BOM κατά τη φάση εφαρμογής λύσης GaN.
ΙΙΙ. Τυπικά σενάρια εφαρμογής
Τα CoolGaNTM GaN HEMT της Infineon έχουν ήδη υιοθετηθεί από την πελατειακή βάση της Mingjiada σε τα ακόλουθα βασικά σενάρια:
Ταχεία φόρτιση και προσαρμογείς: Οι συσκευές μεσαίας τάσης 600V e-mode και G3 χρησιμοποιούνται σε πηγές ρεύματος υψηλής συχνότητας QR flyback, PFC με τότεμ-πόλο και USB-C PD, επιτρέποντας συμπαγές, υψηλής πυκνότητας ισχύος.
Εφοδιασμοί ηλεκτρικής ενέργειας κέντρων δεδομένων και διακομιστών: Η σειρά 650V G5 χρησιμοποιείται σε SMPS διακομιστών με τιτάνιο και διανομή συνεχούς ενέργειας υψηλής τάσης,με απώλειες διακόπτη σημαντικά χαμηλότερες από εκείνες των MOSFET υπερσύνδεσης με βάση το πυρίτιο.
Φωτοβολταϊκοί μετατροπείς και αποθήκευση ενέργειας: Οι συσκευές G5 650V χρησιμοποιούνται στο στάδιο DC-AC των μετατροπών χορδών και των PCS αποθήκευσης ενέργειας, αυξάνοντας την απόδοση σε πάνω από 98%.
Τα οχήματα νέας ενέργειας: το GaN 100V/600V αυτοκινητοβιομηχανικής κλάσης χρησιμοποιείται σε OBC, μετατροπείς DC-DC και ελεγκτές ζώνης 48V, που πληρούν τις απαιτήσεις αξιοπιστίας AEC-Q101.
Βιομηχανικοί κινητήρες και διακόπτες κυκλωμάτων στερεής κατάστασης: οι διμερείς διακόπτες BDS χρησιμοποιούνται για έλεγχο κινητήρα προς τα εμπρός/πίσω, ρελέ στερεής κατάστασης και διμερή μετατροπή ισχύος,απλούστευση της τοπολογίας με μια αρχιτεκτονική με ένα μόνο chip.
Επικοινωνήστε με την Mingjiada για την επιλογή και την προσφορά του GaN HEMT.
Για να ελέγξετε την τρέχουσα διαθεσιμότητα αποθεμάτων για τα παραπάνω μοντέλα, να αποκτήσετε έναν πλήρη πίνακα επιλογής ή να ζητήσετε δωρεάν δείγματα, παρακαλούμε επικοινωνήστε με την Mingjiada Electronics:
Επαφή: κ. Τσεν
Τηλέφωνο / WeChat: +86 0755-83294757 / 13410018555
Ε-mail: sales@hkmjd.com
Διεύθυνση: Δωμάτια 12391241, κτίριο New Asia Guoli, οδός Zhenzhong, περιοχή Futian, Shenzhen, επαρχία Guangdong
Η Mingjiada προμηθεύει επίσης οδηγούς πύλης GaN-specific της Infineon (όπως η σειρά GaN EiceDRIVER TM) και SiC MOSFET, υποστηρίζοντας την παραγγελία από ένα σταθμό για λύσεις υβριδικών GaN + SiC.
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sales Manager
Τηλ.:: 86-13410018555
Φαξ: 86-0755-83957753