Το εταιρικό blog για Mingjiada Προμήθεια Infineon F-RAM Σιδηροηλεκτρικής Μνήμης RAM, Προμήθεια Σειριακής Μνήμης F-RAM, Παράλληλης Μνήμης F-RAM

Mingjiada Supply Infineon F-RAM Ferroelectric RAM, Supply Serial F-RAM Memory, Parallel F-RAM Memory

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — ένας μακροχρόνιος προμηθευτής της πλήρους γκάμας προϊόντων μνήμης της Infineon, συμπεριλαμβανομένης της σειριακής φεροηλεκτρικής μνήμης RAM (F-RAM) και της παράλληλης φεροηλεκτρικής μνήμης RAM (F-RAM). Αυτές οι συσκευές συνδυάζουν τις δυνατότητες ανάγνωσης/εγγραφής υψηλής ταχύτητας της RAM με τη μη πτητικότητα της ROM. Τα βασικά τους πλεονεκτήματα έγκεινται στην εγγραφή υψηλής ταχύτητας, την εξαιρετικά χαμηλή κατανάλωση ενέργειας και την πρακτικά απεριόριστη αντοχή ανάγνωσης/εγγραφής. Η Mingjiada Electronics διατηρεί απόθεμα των κύριων μοντέλων και υποστηρίζει τόσο δείγματα μικρών παρτίδων όσο και παραγγελίες μεγάλου όγκου. Με την υποστήριξη ενός αποτελεσματικού συστήματος logistics, διασφαλίζουμε ταχεία παράδοση προϊόντων.

F-RAM (ferroelectric random-access memory ή FeRAM) είναι μια αυτόνομη μη πτητική μνήμη που καταγράφει και διατηρεί άμεσα κρίσιμα δεδομένα σε περίπτωση διακοπής ρεύματος. Είναι ιδανική για εφαρμογές καταγραφής κρίσιμων δεδομένων, όπως προγραμματιζόμενοι λογικοί ελεγκτές (PLCs) υψηλής απόδοσης που απαιτούν υψηλή αξιοπιστία, έλεγχο και απόδοση, ή συσκευές παρακολούθησης ασθενών που έχουν σχεδιαστεί για τη βελτίωση της ποιότητας ζωής.

Η Mingjiada Electronics προμηθεύει τις ακόλουθες σειριακές συσκευές φεροηλεκτρικής μνήμης F-RAM της Infineon:
FM25V02A-G: 256-Kbit (32K × 8) σειριακή φεροηλεκτρική μνήμη RAM (F-RAM) με διεπαφή SPI που λειτουργεί έως και 40 MHz.

FM25V05-G: 512-Kbit (64K × 8) σειριακή F-RAM με εξαιρετικά ανθεκτική μη πτητική αποθήκευση, που λειτουργεί από 2,0 V έως 3,6 V, με εύρος θερμοκρασίας από –40°C έως +85°C, ρυθμό διαύλου SPI έως 40 MHz και υποστήριξη για λειτουργίες 0 και 3.

FM25V10-G: 1-Mbit (128K × 8) σειριακή μνήμη F-RAM με διεπαφή SPI, που λειτουργεί από 2,0 V έως 3,6 V, υποστηρίζοντας ρυθμό ρολογιού SPI έως 40 MHz, με εγγραφή NoDelay™ για άμεση αποθήκευση δεδομένων.

FM25V20A-DG: 2-Mbit (256K × 8) σειριακή μνήμη F-RAM, χρησιμοποιώντας προηγμένη φεροηλεκτρική τεχνολογία, με τάση λειτουργίας 2,0 V έως 3,6 V και εύρος θερμοκρασίας από –40°C έως +85°C. Υποστηρίζει διεπαφή SPI με μέγιστη ταχύτητα 40 MHz και εγγραφή με ταχύτητα διαύλου NoDelay™.

FM25V20A-DGQ: 2-Mbit (256K × 8) σειριακή μνήμη F-RAM με δυνατότητα επέκτασης θερμοκρασίας, που λειτουργεί από 2,0 V έως 3,6 V, με δυνατότητα εγγραφής υψηλής ταχύτητας NoDelay™ και ρυθμό SPI έως 33 MHz (Λειτουργίες 0/3), κατάλληλη για συχνές, υψηλής ταχύτητας εφαρμογές μη πτητικής αποθήκευσης σε βιομηχανικούς και ιατρικούς τομείς.

FM25V20A-G: 2-Mbit (256 K × 8) σειριακή μνήμη F-RAM, που λειτουργεί από 2,0 V έως 3,6 V, με εύρος θερμοκρασίας από –40 °C έως +85 °C. Διαθέτει διεπαφή SPI μέγιστης ταχύτητας 40 MHz για γρήγορη εγγραφή χωρίς καθυστέρηση, κατάλληλη για εφαρμογές που απαιτούν συχνή ή ταχεία εγγραφή, όπως βιομηχανικός έλεγχος και συλλογή δεδομένων.

FM1808B-SG: 256 Kbit (32 K × 8) παράλληλη φεροηλεκτρική μνήμη RAM (F-RAM) σε πακέτο SOIC 28 ακίδων, συμβατή με SRAM και EEPROM. Τάση λειτουργίας: 4,5 V έως 5,5 V. Εύρος θερμοκρασίας: –40°C έως +85°C.

FM18W08-SG: 256 Kbit (32 K × 8) byte-wide φεροηλεκτρική μνήμη τυχαίας προσπέλασης (F-RAM), που λειτουργεί από 2,7 V έως 5,5 V και εντός εύρους θερμοκρασίας από –40°C έως +85°C, κατάλληλη για εφαρμογές εγγραφής υψηλής συχνότητας και υψηλής αξιοπιστίας, όπως βιομηχανικές, οργανολογικές και καταγραφής δεδομένων.

Οι λύσεις μνήμης F-RAM της Infineon προσφέρουν μια σειρά χαρακτηριστικών, όπως:
Η εγγραφή NoDelay™ γράφει δεδομένα σε κελιά μνήμης με ταχύτητα διαύλου χωρίς χρόνο προετοιμασίας.
Τα φεροηλεκτρικά προϊόντα μνήμης είναι εξαιρετικά ανθεκτικά, με πάνω από 100 τρισεκατομμύρια κύκλους εγγραφής, καθιστώντας τα πιο ανθεκτικά από τη μνήμη floating-gate.
Εξαιρετικά χαμηλή κατανάλωση ενέργειας, χρησιμοποιώντας 200 φορές λιγότερη ενέργεια από την EEPROM και 3.000 φορές λιγότερη από τη NOR flash.
Ανθεκτική στην ακτινοβολία, ανεπηρέαστη από σφάλματα μαλακών σφαλμάτων που προκαλούνται από ακτινοβολία και προκαλούν αναστροφές bit.

Για περισσότερες πληροφορίες σχετικά με τα φεροηλεκτρικά προϊόντα μνήμης F-RAM της [Infineon] ή για να ρωτήσετε σχετικά με τις τιμές δειγμάτων, επισκεφθείτε τον ιστότοπο της Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) για περαιτέρω λεπτομέρειες προμήθειας.