Το εταιρικό blog για Η Mingjiada προμηθεύει Onsemi GaN FET, προμηθεύει GaNEXUSTM Gallium Nitride FET

Η Mingjiada προμηθεύει Onsemi GaN FET, προμηθεύει GaNEXUSTM Gallium Nitride FET

Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.¢ μακροπρόθεσμος προμηθευτής FET νιτρικού γαλλίου (GaN) Onsemi GaNEXUSTM, που καλύπτει προϊόντα όπως FET GaN χαμηλής/μέσης τάσης και FET GaN υψηλής τάσης.Η Mingjiada Electronics διαθέτει μια σειρά από βασικά μοντέλα και υποστηρίζει τόσο μικρά δείγματα όσο και μεγάλες παραγγελίες.Υποστηριζόμενοι από ένα αποτελεσματικό σύστημα εφοδιασμού, εξασφαλίζουμε ταχεία παράδοση προϊόντων.

Επενδύσεις FET σε ημινιτρικό γάλλιο (GaN)
Λεπτομέρειες: Τα τρανζίστορα πεδίου GaNEXUSTM νιτρικού γαλλίου (GaN) είναι διακριτά GaN HEMT με λειτουργία βελτίωσης.χαμηλό φορτίο πύλης και εξόδου, και εξαιρετική απόδοση σε σύγκριση με τα τρανζίστορ ισχύος πυριτίου.εφαρμογές μετατροπής ισχύος υψηλής τάσης και υπερ-υψηλής τάσης για την επίτευξη υψηλότερων συχνοτήτων λειτουργίας, μικρότερα μαγνητικά εξαρτήματα και μεγαλύτερη πυκνότητα ισχύος.

ΦΕΤ GaN χαμηλής/μέσης τάσης
Τα διακριτά πλάγια τρανζίστορα υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων (HEMT) νιτρίδου γαλλίου GaNEXUSTM enhancement-mode, με εύρους τάσης λειτουργίας από 40 V έως 200 V, είναι βελτιστοποιημένα για υψηλή απόδοση,Μεσαίου τάσης μετατροπής ισχύος και συμπαγούς συστήματος.
Μοντέλα που παρέχονται από την Mingjiada Electronics:
NTLCC3D5N10GN1
NTLCC5D0N10GN1
Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ.
Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ.
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006.
Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ.
Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ.
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ.
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006.

Υψηλής τάσης GaN FET
Τα διακριτά πλάγια τρανζίστορα υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων νιτρικού γαλλίου (HEMT) GaNEXUSTM enhancement-mode, με εύρος τάσης 650 V ∼ 1200 V, είναι βελτιστοποιημένα για υψηλή απόδοση,υψηλής τάσης μετατροπής ισχύος και συμπαγούς σχεδιασμού συστήματος.
Μοντέλα που παρέχονται από την Mingjiada Electronics:
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα αεροσκάφη των κατηγοριών A, B και C.
Ειδικότερα, οι εν λόγω διατάξεις ισχύουν για τα αεροσκάφη των κατηγοριών A, B και C.
Ειδικότερα, η παραπομπή στο παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ.
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Ειδικότερα:
NTD100N70GN1TXG
NT1ΠΟΛΙΤΙΚΗ ΕΠΙΤΡΟΠΗ
Ειδικότερα:
Ειδικότερα, το NTMT130N70GN1TXG
Ειδικότερα, το NTMT 170N70GN1TXG

Για περισσότερες πληροφορίες σχετικά με τα FET νιτρικού γαλίου (GaN) της Onsemi ή για πληροφορίες σχετικά με τις τιμές δείγματος, επισκεφθείτε τον ιστότοπο της Mingjiada Electronics (Η Επιτροπή διαπιστώνει ότι η Επιτροπή δεν έχει λάβει καμία απόφαση σχετικά με το εν λόγω μέτρο.) για περισσότερες λεπτομέρειες για την προμήθεια.