Το εταιρικό blog για Mingjiada Παροχή συσκευών Renesas MOSFET, Παροχή REXFET-1 MOSFET ισχύος N-Channel

Mingjiada Παροχή συσκευών Renesas MOSFET, Παροχή REXFET-1 MOSFET ισχύος N-Channel

Η Mingjiada Electronics προμηθεύει συσκευές MOSFET ισχύος N της σειράς REXFET-1 της Renesas. Η σειρά αυτή χρησιμοποιεί καινοτόμο τεχνολογία διχασμένων θυρών και έχει σχεδιαστεί κυρίως για εφαρμογές συστήματος 48V,που καλύπτουν ονομαστικές τάσεις όπως 80VΗ Mingjiada Electronics διατηρεί αποθέματα από τα κύρια μοντέλα και υποστηρίζει τόσο τα μικρά δείγματα παρτίδων όσο και τις μεγάλες παραγγελίες.διασφαλίζει την ταχεία παράδοση των προϊόντων.

Τα MOSFET ισχύος Renesas® REXFET έχουν σχεδιαστεί χρησιμοποιώντας προηγμένη τεχνολογία διχασμένης πύλης, επιτρέποντας χαμηλότερη αντίσταση ρεύματος (RDS(on)) και εξαιρετική τιμή αξίας (FOM),μειώνοντας έτσι τις απώλειες του συστήματος και αυξάνοντας την πυκνότητα ισχύος σε απαιτητικές εφαρμογέςΗ τεχνολογία απομονωμένης πύλης REXFET-1 της Renesas Electronics είναι ιδιαίτερα κατάλληλη για εφαρμογές που απαιτούν χαμηλό RDS ((on) και δίνουν προτεραιότητα στις επιδόσεις μετάδοσης,καθιστώντας την ιδανική επιλογή για εφαρμογές υψηλής ισχύος και υψηλής συχνότητας.

Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά
Τα βασικά πλεονεκτήματα της σειράς REXFET-1 αντικατοπτρίζονται στις ακόλουθες πτυχές:
Υπερ-χαμηλή αντίσταση ανάφλεξης (RDS ((on)): Η αντίσταση ανάφλεξης μειώνεται κατά περίπου 30% σε σύγκριση με τις συμβατικές διαδικασίες.
Βελτιωμένη φόρτιση πύλης (Qg): Τα χαρακτηριστικά φόρτισης πύλης βελτιώνονται κατά περίπου 10%, συμβάλλοντας σε ταχύτερες ταχύτητες εναλλαγής.
Δομή χωριστής τάφρου: με τη βελτιστοποίηση της δομής της πύλης, μειώνεται η χωρητικότητα και το φορτίο της πύλης, ενώ μειώνεται η αντίσταση.έτσι ώστε να επιτυγχάνονται υψηλότερες ταχύτητες εναλλαγής και χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας.
Υψηλή αξιοπιστία: βελτιστοποιημένη για εφαρμογές μεσαίας τάσης, προσφέροντας εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση και υψηλή αξιοπιστία

Η Mingjiada Electronics προμηθεύει στην [Renesas] REXFET-1 N-channel power MOSFET, συμπεριλαμβανομένων, ενδεικτικά, των ακόλουθων:
RBE019N10R1SZPW
Δοκιμαστική μονάδα
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006.
RBE039N15R1SZPW
Εναλλακτικά, τα προϊόντα που χρησιμοποιούνται για την παρασκευή των ειδών αυτών πρέπει να είναι:
Εναλλακτικά, τα προϊόντα που χρησιμοποιούνται για την παρασκευή των ειδών αυτών πρέπει να είναι:
RBE111N10R1SZN2
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006.
Δελτίο ΕΚΑΧ της 10ης Ιουνίου 2006.
Εναλλακτικά, τα προϊόντα που χρησιμοποιούνται για την παρασκευή των ειδών αυτών πρέπει να είναι:
Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ.
RBE015N10R1SZPV
RBE034N15R1SZPW

Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
RBA300N10EANS-3UA02
RBA190N15YANS-3UA04
RBA160N10EANS-4UA03
Εναλλακτικά, τα προϊόντα που χρησιμοποιούνται για την παραγωγή των ειδών αυτών πρέπει να είναι:
RBA80N10EANS-4UA07
RBA40N10EANS-5UA11
RBA20N10EANS-5UA21

Εταιρικές υπηρεσίες ηλεκτρονικών προϊόντων Mingjiada
Υπηρεσίες εφοδιασμού: Διατηρούμε απόθεμα της πλήρους γκάμας των Renesas REXFET‐1 N-channel power MOSFET, όλα ολοκαίνουργια και στην αρχική συσκευασία.Ασχολούμαστε τόσο με τις μικρές προμήθειες για την Ε& Α όσο και με τις μεγάλες παραγγελίες εργοστασίου, με ταχεία αποστολή από τις αποθήκες μας στο Σενζέν και το Χονγκ Κονγκ.
Υπηρεσίες ανακύκλωσης: προσφέρουμε υψηλές τιμές για την σειρά Renesas REXFET-1 και άλλα Renesas power MOSFET.διαφανείς προσφορές και αποτελεσματική επεξεργασία πληρωμών.

Για περαιτέρω πληροφορίες σχετικά με τα MOSFET ισχύος REXFET της Renesas ή για πληροφορίες σχετικά με τις τιμές, επισκεφθείτε την ιστοσελίδα Mingjiada Electronics (Η Επιτροπή διαπιστώνει ότι η Επιτροπή δεν έχει λάβει καμία απόφαση σχετικά με το εν λόγω μέτρο.) για περισσότερες λεπτομέρειες.