Το εταιρικό blog για Ανακυκλώστε τους οδηγούς πύλης Rohm:Απομονωμένοι/IGBT/MOSFET/Ανωτάτοι/Κατώτεροι οδηγοί πύλης

Ανακυκλώσιμα προγράμματα οδήγησης πύλης Rohm: Προγράμματα οδήγησης πύλης απομονωμένης/IGBT/MOSFET/Ψηλής πλευράς/Χαμηλής πλευράς

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.έχει ειδικευτεί στον τομέα της ανακύκλωσης ηλεκτρονικών εξαρτημάτων για σχεδόν 30 χρόνια. Ως παγκοσμίου φήμης έμπορος και ανακυκλωτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων, έχουμε δεσμευτεί εδώ και καιρό στην ανακύκλωση διαφόρων ηλεκτρονικών τσιπ, προσφέροντας αγορές με μετρητά υψηλής αξίας, επιτόπιες αποτιμήσεις και υπηρεσίες άμεσου διακανονισμού για να βοηθήσουμε τις επιχειρήσεις να εκκαθαρίσουν γρήγορα τα αποθέματα, να ανακτήσουν κεφάλαια και να μειώσουν το κόστος αποθήκευσης.

[Πλεονεκτήματα ανακύκλωσης]

Αγορές υψηλής αξίας, διαφανής τιμολόγηση: Βασίζουμε τις τιμές μας στις συνθήκες της αγοράς, προσφέροντας τιμές 5%–15% υψηλότερες από τον μέσο όρο του κλάδου. Δωρεάν αποτιμήσεις χωρίς κρυφές χρεώσεις. η όλη διαδικασία είναι ανοιχτή και διαφανής.

Ολοκληρωμένη κάλυψη, ανακύκλωση χωρίς όρια: Δεχόμαστε ολοκαίνουργια, γνήσια συσκευασμένα, απαρχαιωμένα, καταργημένα και αποσυναρμολογημένα εξαρτήματα. Δεν υπάρχουν περιορισμοί ως προς την ποσότητα, το μέγεθος παρτίδας ή τον τύπο συσκευασίας.

Επαγγελματική ομάδα, αποτελεσματική εξυπηρέτηση: Με περισσότερα από 17 χρόνια εμπειρίας στον κλάδο, προσφέρουμε επιτόπου επιθεώρηση, άμεσο διακανονισμό και άμεση πληρωμή. Υποστηρίζουμε την παγκόσμια επαναγορά, εκσυγχρονίζοντας τη διαδικασία.

Αδειοδοτημένη λειτουργία, ασφαλής και συμβατή: Διαθέτουμε επίσημη άδεια ανακύκλωσης, τηρούμε αυστηρά τα περιβαλλοντικά πρότυπα και αντιμετωπίζουμε τις πληροφορίες αποθέματος ως εμπιστευτικές για την εξάλειψη του κινδύνου παραβίασης δεδομένων και την προστασία των εμπορικών σας συμφερόντων.

I. Επισκόπηση προϊόντος

Αξιοποιώντας τη διαδικασία ολοκληρωμένου κυκλώματος υψηλής τάσης SOI της ROHM και την τεχνολογία απομόνωσης μικρο-μετασχηματιστή στο τσιπ, δημιουργήσαμε μια ολοκληρωμένη σειρά προϊόντων που καλύπτει μη απομονωμένη υψηλής και χαμηλής πλευράς, καθώς και μεμονωμένες σειρές προϊόντων οδηγών απομονωμένης πύλης μονού και διπλού καναλιού, πλήρως συμβατή με συσκευές ισχύος όπως MET, SiliconFETs, MGBTs. και GaN HEMT. Αυτά τα προϊόντα καλύπτουν ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών μετατροπής ισχύος υψηλής και χαμηλής τάσης, συμπεριλαμβανομένης της μετατροπής βιομηχανικής συχνότητας, της αποθήκευσης φωτοβολταϊκών ενέργειας, των ηλεκτρικών συστημάτων κίνησης αυτοκινήτων, των τροφοδοτικών διακομιστή, των συστημάτων UPS και της μετατροπής ισχύος για ανθρωποειδή ρομπότ.

Οι σειρές προϊόντων κατηγοριοποιούνται σε δύο κύριες ομάδες με βάση την αρχιτεκτονική:

Μη απομονωμένοι οδηγοί πύλης υψηλής και χαμηλής πλευράς (Σειρά BM60/BS/BD HVIC): Αρχιτεκτονική πλωτής γείωσης bootstrap, τάση αντοχής πλωτής γείωσης υψηλής τάσης 600V–1200V, αφιερωμένη σε διαμορφώσεις μισογέφυρας και τριφασικής γέφυρας, που προσφέρει χαμηλό κόστος και υψηλή ενοποίηση.

Μονωμένα προγράμματα οδήγησης πύλης (BM61/BM6GD απομονωμένη σειρά): διαθέτουν ηλεκτρική μόνωση με βάση μετασχηματιστή στο τσιπ, με τάσεις αντοχής μόνωσης 2500Vrms/3750Vrms. πλήρης διαχωρισμός κυκλωμάτων υψηλής και χαμηλής τάσης. κατάλληλο για πρότυπα ασφαλείας υψηλής τάσης, λειτουργική ασφάλεια αυτοκινήτου και εφαρμογές κίνησης IGBT/SiC υψηλής ισχύος.

Και οι δύο κατηγορίες προϊόντων υποστηρίζουν ανεξάρτητη οδήγηση στην υψηλή και την χαμηλή πλευρά, με επιλογές για ολοκληρωμένες λύσεις μονού καναλιού, διπλού καναλιού και τριφασικών. Ενσωματώνουν πολλαπλά χαρακτηριστικά προστασίας—συμπεριλαμβανομένου του UVLO (Undervoltage Lockout), ενεργού σύσφιξης Miller, προστασίας υπέρτασης και ανίχνευσης βραχυκυκλώματος— ενώ εξισορροπούν την απόδοση μεταγωγής, την καταστολή EMI και τη μακροπρόθεσμη λειτουργική αξιοπιστία.

II. Ανάλυση Βασικής Τεχνικής Αρχιτεκτονικής και Ταξινόμησης

(1) Μη απομονωμένα προγράμματα οδήγησης πύλης υψηλής/χαμηλής πλευράς (Σειρά εκκίνησης HVIC, για οδήγηση IGBT/MOSFET)

1. Βασική Λειτουργική Αρχή

Χρησιμοποιώντας την αποδεδειγμένη διαδικασία SOI (Silicon-on-Insulator) της ROHM, το κανάλι υψηλής πλευράς τροφοδοτείται με αιωρούμενο τροφοδοτικό μέσω μιας διόδου bootstrap και ενός πυκνωτή bootstrap, εξαλείφοντας την ανάγκη για απομονωμένη παροχή ρεύματος. Ένα ενσωματωμένο κύκλωμα μετατόπισης στάθμης υψηλής τάσης επιτρέπει τη μετάδοση λογικών σημάτων 3,3V/5V από την πλευρά ελέγχου στην πλευρά υψηλής τάσης 1200V. Ένα μεμονωμένο τσιπ εξάγει ταυτόχρονα σήματα κίνησης τόσο υψηλής όσο και χαμηλής πλευράς, υποστηρίζοντας τοπολογίες μετατροπέων μισής γέφυρας, πλήρους γέφυρας και τριφασικών μετατροπέων και οδηγεί απευθείας MOSFET N καναλιών και συσκευές ισχύος IGBT.

2. Αντιπροσωπευτικά μοντέλα και βασικές παράμετροι

BM60212FV-C (οδηγός οδήγησης 1200V διπλού καναλιού υψηλής και χαμηλής πλευράς αυτοκινήτου)

Τάση αντοχής σε πλωτό έδαφος: 1200V; Πιστοποίηση αυτοκινήτου AEC-Q100 Grade 1. υποστηρίζει ανάλυση λειτουργικής ασφάλειας.

Εύρος τάσης τροφοδοσίας: 10–24V; Ενσωματωμένη ενεργή σύσφιξη Miller και προστασία από την UVLO υπό τάση.

Τυπική καθυστέρηση ανόδου/πτώσης: 55 ns; συμβατό με λογικές εισόδους MCU 3,3 V/5 V.

Εφαρμογές: Ενσωματωμένοι φορτιστές (OBC), ενσωματωμένοι μετατροπείς και βιομηχανικά κυκλώματα μισής γέφυρας 1200 V IGBT.

BS2114F (600 V γενικής χρήσης πρόγραμμα οδήγησης υψηλής και χαμηλής πλευράς)

Τάση αντοχής επίπλευσης εδάφους: 625 V; Ρεύμα κίνησης εξόδου: ±500 mA;

Ενσωματωμένος σταθερός νεκρός χρόνος 160 ns, τροφοδοτικό UVLO, συμπαγές πακέτο SOP8.

Εφαρμογές: Οικιακούς μετατροπείς, μικρο-μετατροπείς φωτοβολταϊκών μικρής κλίμακας, μετατροπείς DC-DC αποθήκευσης ενέργειας 48V.

BD2310G (αποκλειστικό πρόγραμμα οδήγησης μονού καναλιού χαμηλής πλευράς)

Καθαρή αρχιτεκτονική χαμηλής πλευράς, 4 A νεροχύτη/ρεύμα πηγής, εξαιρετικά συμπαγές πακέτο SSOP5.

Λογική είσοδος 2,0–5,5 V, VCC 4,5–18 V, μεταγωγή υψηλής ταχύτητας 15 ns.

Κατάλληλο για: σύγχρονη ανόρθωση χαμηλής τάσης, βοηθητικούς διακόπτες MOSFET/IGBT χαμηλής πλευράς και βοηθητικούς οδηγούς διακόπτη ισχύος για ανθρωποειδή ρομπότ.

BD67871MWV-Z (Ενσωματωμένο τριφασικό πρόγραμμα οδήγησης υψηλής και χαμηλής πλευράς, ενεργό πρόγραμμα οδήγησης πύλης TriC3™)

Ενσωματωμένα τρία κυκλώματα μισής γέφυρας (6 οδηγοί υψηλής και χαμηλής πλευράς), εύρος τάσης 4,5–60 V.

Η αποκλειστική ρύθμιση ρεύματος δυναμικής πύλης TriC3™ της ROHM, μειώνοντας ταυτόχρονα τις απώλειες μεταγωγής και τον κουδούνισμα EMI.

Ενσωματωμένη ολοκληρωμένη προστασία που περιλαμβάνει νεκρό χρόνο, υπερένταση, χαμηλή τάση και θερμική διακοπή λειτουργίας.

Κατάλληλο για: βιομηχανικούς κινητήρες BLDC, ηλεκτρικά εργαλεία και ανθρωποειδείς σερβοκινητήρες αρμού ρομπότ.

3. Πλεονεκτήματα προϊόντος

Απομόνωση υψηλής τάσης μέσω διαδικασίας SOI. Η εσωτερική μόνωση τσιπ εξαλείφει την ανάγκη για εξωτερικούς οπτικούς συζεύκτες ή μετασχηματιστές απομόνωσης, μειώνοντας το κόστος BOM.

Η ενσωμάτωση ενός τσιπ διπλών καναλιών υψηλής και χαμηλής πλευράς απλοποιεί τα περιφερειακά κυκλώματα μισής γέφυρας και μειώνει την παρασιτική επαγωγή στη δρομολόγηση PCB.

Η ενεργή σύσφιξη Miller καταστέλλει τη λανθασμένη αγωγιμότητα του ρεύματος Miller κατά την απενεργοποίηση IGBT/MOSFET, αποτρέποντας την άμεση αγωγιμότητα μεταξύ του άνω και του κάτω διακόπτη και την επακόλουθη αστοχία της συσκευής.

Διατίθεται σε κατηγορίες αυτοκινήτου και βιομηχανικής χρήσης, με ευρύ φάσμα θερμοκρασιών λειτουργίας από –40°C έως 125°C, κατάλληλο για απαιτητικές συνθήκες λειτουργίας.

(II) Απομονωμένο πρόγραμμα οδήγησης πύλης (απομόνωση μετασχηματιστή σε τσιπ, συμβατό με IGBT/MOSFET/SiC/GaN)

1. Βασική Λειτουργική Αρχή

Χρησιμοποιώντας την αποκλειστική διαδικασία ενσωμάτωσης μικρο-μετασχηματιστή στο chip της ROHM, ο μετασχηματιστής απομόνωσης, η διαμόρφωση και αποδιαμόρφωση σήματος και τα κυκλώματα μετάδοσης κίνησης υψηλής/χαμηλής τάσης ενσωματώνονται σε ένα μόνο τσιπ, επιτυγχάνοντας πλήρη ηλεκτρική απομόνωση μεταξύ της πλευράς ελέγχου (χαμηλής τάσης MCU) και της πλευράς ισχύος (high-voltage IGBT/SiC). Η τάση αντοχής απομόνωσης είναι έως και 3750 Vrms, πληρώντας το πρότυπο μόνωσης UL1577. Η διπλή ανεξάρτητη προστασία UVLO τόσο στις πλευρές εισόδου όσο και στην έξοδο διασφαλίζει ότι δεν υπάρχει παρεμβολή κοινής γείωσης μεταξύ κυκλωμάτων υψηλής και χαμηλής τάσης, αποτρέποντας έτσι τη διαταραχή υψηλής τάσης από την καταστροφή του κύριου ελεγκτή, καθιστώντας τον κατάλληλο για εξοπλισμό υψηλής ισχύος και υψηλού επιπέδου ασφάλειας.

2. Ανάλυση των κύριων γραμμών προϊόντων

(1) Σειρά BM61S (Universal Isolated Drivers για SiC/IGBT, Automotive Grade 3750 Vrms)

Αντιπροσωπευτικά μοντέλα: BM61S40RFV-C (μονόκαναλο), BM61S41RFV-C (δικαναλικό, υψηλής και χαμηλής όψης)

Τάση αντοχής απομόνωσης 3750Vrms. AEC-Q100 Κατηγορία 1 κατηγορίας αυτοκινήτων. υποστηρίζει τη λειτουργική ασφάλεια.

Ρεύμα κίνησης εξόδου ±4A; Τάση τροφοδοσίας δευτερεύουσας πλευράς 16–24 V. ταιριάζει απόλυτα με την τάση μετάδοσης κίνησης 18 V των MOSFET SiC τρίτης γενιάς.

Ενσωματωμένη ενεργή σύσφιξη Miller, UVLO εισόδου/εξόδου διπλού καναλιού και προστασία υπέρτασης (OVP).

Μέγιστη καθυστέρηση μετάδοσης I/O 65 ns, ελάχιστο πλάτος παλμού εισόδου 60 ns, υποστήριξη μεταγωγής υψηλής συχνότητας.

Τα μοντέλα διπλού καναλιού μπορούν να οδηγήσουν απευθείας τις συσκευές ισχύος υψηλής και χαμηλής πλευράς μιας μισής γέφυρας, εξαλείφοντας την ανάγκη για δύο μεμονωμένα προγράμματα οδήγησης ενός καναλιού.

Εφαρμογές: Κύριοι μετατροπείς αυτοκινήτων, μεγάλης κλίμακας εμπορικοί και βιομηχανικοί μετατροπείς αποθήκευσης ενέργειας, φωτοβολταϊκοί μετατροπείς 1500V και βιομηχανικές μονάδες ισχύος SiC 1200V.

(2) Σειρά BM6GD (Wide Bandgap GaN Dedicated Isolated Drivers)

Αντιπροσωπευτικό μοντέλο: BM6GD11BFJ-LB

Τάση αντοχής μόνωσης 2500 Vrms, βελτιστοποιημένη ειδικά για GaN HEMT υψηλής τάσης.

Οι ξεχωριστοί ακροδέκτες φόρτισης/εκφόρτισης πύλης επιτρέπουν ανεξάρτητη ρύθμιση των ανηφορικών και καθοδικών κλίσεων των άκρων για την καταστολή των κουδουνισμάτων υψηλής συχνότητας στο GaN.

Υποστηρίζει μεταγωγή εξαιρετικά υψηλής συχνότητας έως και 2MHz, αξιοποιώντας τα πλεονεκτήματα μικρογραφίας υψηλής συχνότητας των συσκευών GaN.

UVLO διπλής εισόδου/εξόδου με στενή απόκριση παλμών, κατάλληλο για τροφοδοτικά διακομιστή υψηλής πυκνότητας, μονάδες υψηλής ισχύος γρήγορης φόρτισης και μονάδες μετατροπής ισχύος υψηλής τάσης για ανθρωποειδή ρομπότ.

3. Βασικά πλεονεκτήματα των μεμονωμένων προϊόντων

Μέγιστη βαθμολογία ασφαλείας: Υψηλή μόνωση 3750 Vrms, συμβατή με πρότυπα φωτοβολταϊκών, αποθήκευσης ενέργειας και μόνωσης αυτοκινήτων υψηλής τάσης, μειώνοντας την πολυπλοκότητα του σχεδιασμού ασφάλειας.

Κορυφαία ενσωμάτωση: Οι μετασχηματιστές στο τσιπ αντικαθιστούν τους εξωτερικούς οπτικούς συζεύκτες και τα απομονωμένα τροφοδοτικά, απλοποιώντας σημαντικά τη διάταξη PCB και μειώνοντας το συνολικό μέγεθος της μονάδας.

Βελτιστοποιημένο για συσκευές Wide Bandgap: Τα εύρη τάσεων δευτερεύουσας πλευράς καλύπτουν τις απαιτήσεις μετάδοσης κίνησης για 18V SiC, 15V IGBT, 12V Si MOS και 6–10V GaN.

Ισχυρή ατρωσία στις παρεμβολές: Η απομόνωση μετασχηματιστή εξαλείφει τα προβλήματα της μετατόπισης της θερμοκρασίας και της εξασθένησης που προκαλείται από τη γήρανση που σχετίζονται με τους οπτικούς συζεύκτες, προσφέροντας ανώτερη σταθερότητα σε συνθήκες λειτουργίας υψηλής θερμοκρασίας και υψηλής συχνότητας σε σύγκριση με τους κινητήρες οπτικού συζεύκτη.

Ολοκληρωμένη προστασία σε όλα τα σενάρια: Ενσωματωμένη σύσφιξη Miller, ανίχνευση DESAT υπέρτασης και βραχυκυκλώματος διπλού καναλιού και έξοδο σήματος σφάλματος.

III. Γενικές βασικές λειτουργίες (Τυπική σε όλη τη γκάμα προγραμμάτων οδήγησης υψηλής, χαμηλής και μεμονωμένης πλευράς)

1. Active Miller Clamping (Active Miller Clamp)

Τα IGBT και τα SiC MOSFET παράγουν ρεύματα Miller τη στιγμή της απενεργοποίησης, τα οποία μπορούν εύκολα να προκαλέσουν εσφαλμένη αγωγιμότητα της αντίθετης τροφοδοτικής συσκευής, με αποτέλεσμα βραχυκύκλωμα. Ολόκληρη η γκάμα οδηγών πύλης της ROHM ενσωματώνει έναν ειδικό πείρο σφιγκτήρα Miller. Αυτό έλκει βίαια το δυναμικό της πύλης χαμηλά κατά τη διάρκεια της απενεργοποίησης, εξαλείφοντας εντελώς την ψευδή ενεργοποίηση που προκαλείται από τον Miller, ενισχύοντας σημαντικά την αξιοπιστία των διαμορφώσεων μισογέφυρας και τριφασικής γέφυρας και μειώνοντας τον κίνδυνο αστοχίας της συσκευής.

2. Διπλή προστασία UVLO από κλείδωμα υπότασης

Μη απομονωμένη σειρά: Ανεξάρτητη ανίχνευση χαμηλής τάσης για τροφοδοτικά μετάδοσης κίνησης υψηλής και χαμηλής πλευράς. η έξοδος κλειδώνεται όταν η τάση είναι ανεπαρκής, αποτρέποντας την υπερθέρμανση και την καύση των συσκευών ισχύος στη γραμμική περιοχή.

Μεμονωμένη σειρά: Dual UVLO για την πλευρά ελέγχου (κύρια πλευρά) και την πλευρά ισχύος (δευτερεύουσα πλευρά). ο οδηγός απενεργοποιείται αμέσως εάν η τάση και στις δύο πλευρές γίνει ανώμαλη, ενώ ταυτόχρονα εξάγεται μια σημαία σφάλματος στη MCU.

3. Συμβατότητα ευρέος λογικού επιπέδου

Όλες οι είσοδοι προγράμματος οδήγησης υποστηρίζουν τυπική λογική 3,3V/5V MCU. ορισμένα μοντέλα χαμηλής τάσης είναι συμβατά με εισόδους χαμηλού επιπέδου 2V, επιτρέποντας την άμεση διασύνδεση με την πλήρη γκάμα μικροελεγκτών Renesas, STM και TI χωρίς την ανάγκη πρόσθετων τσιπ αλλαγής στάθμης.

4. Ευρύ εύρος θερμοκρασίας για βιομηχανικούς και αυτοκινητοβιομηχανικούς βαθμούς

Βιομηχανική ποιότητα: –40°C έως 105°C; Βαθμός αυτοκινήτου AEC-Q100 Βαθμός 1: –40°C έως 125°C, κατάλληλος για εφαρμογές που απαιτούν μακροχρόνια συνεχή λειτουργία, όπως φωτοβολταϊκά εξωτερικού χώρου, ηλεκτροκινητήρες αυτοκινήτων, βιομηχανικά σερβομηχανικά συστήματα και ανθρωποειδή ρομπότ.

5. Ρυθμιζόμενος νεκρός χρόνος και προστασία βραχυκυκλώματος

Τα μοντέλα τριών φάσεων και δύο καναλιών ενσωματώνουν ενσωματωμένα κυκλώματα νεκρού χρόνου, ενώ ορισμένα μοντέλα υποστηρίζουν την προσαρμογή του νεκρού χρόνου μέσω εξωτερικών αντιστάσεων. Τα απομονωμένα προγράμματα οδήγησης υψηλής όψης ενσωματώνουν ανίχνευση βραχυκυκλώματος DESAT, επιτρέποντας την ήπια απενεργοποίηση κατά τη διάρκεια συνθηκών υπερέντασης IGBT για την καταστολή των αιχμών τάσης και την προστασία των συσκευών ισχύος.

IV. Τυπικά σενάρια Εφαρμογών Βιομηχανίας

Εφαρμογές Νέων Ενεργειακών Οχημάτων

Το απομονωμένο πρόγραμμα οδήγησης διπλού καναλιού BM61S41RFV-C, σε συνδυασμό με τους οδηγούς υψηλής και χαμηλής πλευράς κατηγορίας αυτοκινήτου BM60212, χρησιμοποιείται σε μετατροπείς κύριας μετάδοσης κίνησης οχημάτων, φορτιστές οχήματος (OBC) και μετατροπείς ενίσχυσης DC-DC, ικανοποιώντας τις απαιτήσεις λειτουργικής ασφάλειας του αυτοκινήτου και μόνωσης υψηλής τάσης.

Φωτοβολταϊκά και Αποθήκευση Ενέργειας

Η απομονωμένη σειρά BM61S 3750Vrms οδηγεί μετατροπείς στοιχειοσειρών 1500V και αμφίδρομους μετατροπείς PCS για συστήματα αποθήκευσης ενέργειας. η απομονωμένη αρχιτεκτονική εξαλείφει τις παρεμβολές που προκαλούνται από ένα κοινό έδαφος μεταξύ κυκλωμάτων υψηλής και χαμηλής τάσης, ενισχύοντας τη μακροπρόθεσμη λειτουργική σταθερότητα των σταθμών παραγωγής ενέργειας.

Βιομηχανικοί σερβοκινητήρες και κινητήρες

Ο τριφασικός ενσωματωμένος οδηγός υψηλής και χαμηλής πλευράς BD67871, σε συνδυασμό με το BS2114F, οδηγεί βιομηχανικούς κινητήρες BLDC 24–48 V, σερβοκινητήρες και ηλεκτρικά εργαλεία. Η τεχνολογία TriC3 εξισορροπεί την υψηλή απόδοση με τη χαμηλή EMI.

Τροφοδοτικά μεταγωγής υψηλής πυκνότητας

Το απομονωμένο πρόγραμμα οδήγησης BM6GD11 GaN χρησιμοποιείται σε τροφοδοτικά διακομιστή υψηλής συχνότητας 2MHz και βιομηχανικούς γρήγορους φορτιστές υψηλής ισχύος, μειώνοντας το μέγεθος των μαγνητικών στοιχείων του συστήματος. Το πρόγραμμα οδήγησης χαμηλής πλευράς BD2310 χρησιμοποιείται σε σύγχρονα κυκλώματα διόρθωσης.

Ανθρωποειδή ρομπότ συστήματα ισχύος

Μετατροπή διαύλου υψηλής τάσης: Το απομονωμένο πρόγραμμα οδήγησης BM61S ελέγχει τις συσκευές τροφοδοσίας SiC για την επίτευξη μετατροπής υψηλής τάσης DC-DC από την μπαταρία.

Κοινοί σερβοκινητήρες: Ο τριφασικός οδηγός υψηλής και χαμηλής πλευράς BD67871 ελέγχει τους κινητήρες χωρίς ψήκτρες στις αρθρώσεις.

Βοηθητικό τροφοδοτικό χαμηλής τάσης: Το πρόγραμμα οδήγησης MOSFET χαμηλής πλευράς BD2310 ελέγχει τις βοηθητικές συσκευές μεταγωγής, βελτιστοποιώντας το συνολικό BOM και μειώνοντας τις απαιτήσεις θερμικής διαχείρισης.

UPS, Συγκολλητικά Μηχανήματα και Βιομηχανικοί Μετατροπείς

Ο οδηγός υψηλής και χαμηλής πλευράς 1200V BM60212, σε συνδυασμό με την απομονωμένη σειρά BM61S, είναι κατάλληλος για τοπολογίες μετατροπέων IGBT υψηλής ισχύος, με πολλαπλά προστατευτικά μέτρα που εξασφαλίζουν συνεχή λειτουργία βαρέως τύπου του εξοπλισμού.