Το εταιρικό blog για Ανακύκλωση ST GaN Power IC:Ενσωματωμένα έξυπνα GaN, οδηγοί GaN, μετατροπείς GaN υψηλής τάσης

Ανακύκλωση ST GaN Power IC:Ενσωματωμένα έξυπνα GaN, οδηγοί GaN, μετατροπείς GaN υψηλής τάσης

Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,ως ηγέτης στη βιομηχανία ανακύκλωσης ηλεκτρονικών εξαρτημάτων, παρέχει στους πελάτες ολοκληρωμένες λύσεις ανακύκλωσης ηλεκτρονικών εξαρτημάτων για να τους βοηθήσει να μειώσουν το απόθεμα, να ελαχιστοποιήσουν τον χώρο αποθήκευσης,χαμηλότερα έξοδα αποθήκευσης, και να διαχειρίζεται τις λειτουργικές δαπάνες.

Τα ανακυκλωμένα προϊόντα περιλαμβάνουν:ολοκληρωμένα κυκλώματα (IC), τσιπ 5G, IC νέας ενέργειας, τσιπ IoT, τσιπ Bluetooth, τσιπ αυτοκινήτων, τσιπ AI, τσιπ Ethernet, τσιπ μνήμης, αισθητήρες, μονάδες IGBT και άλλα διάφορα ηλεκτρονικά εξαρτήματα.

Ειδική διαδικασία ανακύκλωσης:

1Μπορείτε να κατηγοριοποιήσετε το απόθεμα IC/μονάδας σας και να το επισημάνετε με αριθμούς μοντέλων, μάρκες, ημερομηνίες παραγωγής, ποσότητες και άλλες σχετικές πληροφορίες.

2Παρακαλούμε στείλτε τον κατάλογο αποθεμάτων στην ομάδα αξιολόγησης μέσω φαξ ή ηλεκτρονικού ταχυδρομείου.

3Μόλις λάβετε την προσφορά από τους επαγγελματίες μας, μπορείτε να διαπραγματευτείτε και να συμφωνήσετε για συγκεκριμένες μεθόδους συναλλαγής και λεπτομέρειες παράδοσης.

4Ανακυκλώνουμε μόνο από επίσημα κανάλια (όπως αντιπρόσωποι, εμπόροι και εργοστάσια) και δεν δεχόμαστε μη επίσημες πηγές.

Ενσωματωμένα έξυπνα δίκτυα

Το νιτρικό γάλλιο (GaN) φέρνει επανάσταση στον κόσμο της μηχανικής ενέργειας, επιτρέποντας υψηλή ταχύτητα, αυξημένη απόδοση και υψηλότερη πυκνότητα ισχύος που δεν ήταν ποτέ πριν δυνατή με τα MOSFET πυριτίου.Ενσωμάτωση τρανζίστορων GaN και οδηγών πύλης, τα προηγμένα MasterGaN συστήματα-στο πακέτο μας προσφέρουν υψηλή απόδοση λόγω της βελτιστοποιημένης διάταξης κίνησης πύλης, της υψηλής πυκνότητας ισχύος και της αυξημένης συχνότητας εναλλαγής λόγω ελάχιστων παρασιτικών επιπτώσεων.

Οδηγοί GaN

Οι συσκευές οδηγών GaN είναι οδηγοί πύλης μισής γέφυρας για τη λειτουργία βελτίωσης GaN FETs ή N-channel power MOSFET.

Μετατροπείς GaN υψηλής τάσης

Οι μετατροπείς ισχύος υψηλής τάσης εμπλουτίζονται με την εισαγωγή της τεχνολογίας GaN HEMT (τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων).υψηλότερη αποδοτικότητα, υψηλότερη συχνότητα εναλλαγής με συνεπακόλουθο μικρότερο και ελαφρύτερο PCB, απλοποιώντας τον σχεδιασμό των SMPS και βελτιώνοντας τις συνολικές επιδόσεις.