Ανακυκλώστε τα τρανζίστορα ισχύος ST:IGBT, Power Bipolar, Power MOSFET, PowerGaN, SiC MOSFET
Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Ειδικεύεται στον τομέα της ανακύκλωσης ηλεκτρονικών εξαρτημάτων εδώ και πολλά χρόνια και είναι επαγγελματίας πάροχος υπηρεσιών διαχείρισης αποθεμάτων και ανακύκλωσης στον κλάδο.πρωτότυπα προϊόντα του κατασκευαστή, παρωχημένα αποθέματα, προϊόντα που έχουν διακοπεί η παραγωγή και παρωχημένα τσιπ σε εξαιρετικά ανταγωνιστικές τιμές, βοηθώντας τις επιχειρήσεις να καθαρίσουν γρήγορα τα αποθέματά τους, να ανακτήσουν κεφάλαια και να μειώσουν το κόστος αποθήκευσης και διαχείρισης.
Βασικά πλεονεκτήματα των υπηρεσιών ανακύκλωσης
Πλήρης αγορές: Δεν απαιτείται ελάχιστη ποσότητα αγοράς. Μπορούμε να παρέχουμε προσφορές για τα πάντα, από μικρές παρτίδες δειγμάτων έως πλήρη δίσκους αποθέματος.
Επιτυχής διακανονισμός μετρητών: Προκαταρκτική ηλεκτρονική αποτίμηση με βάση φωτογραφίες· για τα χύδη φορτία, μπορούμε να κανονίσουμε επιτόπια επιθεώρηση· η πληρωμή διακανονίζεται αμέσως μετά την επιβεβαίωση·
Κατάλληλο για ένα ευρύ φάσμα πηγών: Δεχόμαστε μη πωλημένο εργοστασιακό απόθεμα, απόθεμα έργου που έχει διακοπεί, αποθεματικό εκκαθάρισης και ολοκαίνουργια, μη χρησιμοποιημένα εξαρτήματα.
Τυποποιημένος χειρισμός υλικών: ο χειρισμός ανακυκλωμένων υλικών συμμορφώνεται με τους σχετικούς κανονισμούς.Έχουμε δημιουργήσει ολοκληρωμένες συνεργασίες με κανάλια ανακύκλωσης εξαρτημάτων για να βοηθήσουμε τις επιχειρήσεις να επωφεληθούν από τα αδρανή περιουσιακά στοιχεία και να απελευθερώσουν χώρο αποθήκης.
Διαδικασία συναλλαγής
Υποβολή καταλόγου αποθεμάτων: Συγκέντρωση λεπτομερών πληροφοριών για τα εξαρτήματα (αριθμός εξαρτήματος, ποσότητα, παρτίδα, τύπος συσκευασίας, κατάσταση, συσκευασία) και αποστολή μέσω WeChat, ηλεκτρονικού ταχυδρομείου ή τηλεφώνου.
Ακριβής προσφορά: Η ομάδα αποτίμησής μας θα επαληθεύσει γρήγορα τις προδιαγραφές με βάση τις συνθήκες της αγοράς και θα εκδώσει επίσημη προσφορά.
Επιβεβαίωση της συναλλαγής: Μόλις τα δύο μέρη καταλήξουν σε συμφωνία, υπογράφεται συμφωνία ανακύκλωσης και γίνονται ρυθμίσεις παράδοσης (αποσυλλογή από τις εγκαταστάσεις σας ή μέσω ταχυμεταφορέα).
Παροχή και πληρωμή: Ο διακανονισμός διεξάγεται αμέσως μετά την επιτόπια επιθεώρηση ή την παραλαβή των εμπορευμάτων, εξασφαλίζοντας την άμεση πληρωμή.
Τρανζιστοί διπολικής διασταύρωσης ισχύος (BJT)
Τα τρανζίστορ διπολικής διασταύρωσης ισχύος (BJT) είναι κλασικές συσκευές ισχύος που ελέγχονται με ρεύμα και ήταν μεταξύ των πρώτων τρανζίστορ ισχύος που βιομηχανοποιήθηκαν.Η ST έχει αναπτύξει μια σειρά από εξαιρετικά αξιόπιστα και οικονομικά αποδοτικά προϊόντα διπολικών διασταυρώσεων, σχεδιασμένα κυρίως για μεσαίας και χαμηλής τάσης, χαμηλής συχνότητας, υψηλού ρεύματος σε σταθερή κατάσταση.
1Βασική αρχή λειτουργίας
Τα τρανζίστορα διπολικής διασταύρωσης ισχύος είναι διπολικές αγωγικές συσκευές που βασίζονται σε μια εισροή βάσης για τον συνεχή έλεγχο του ρεύματος,που οδηγεί την αγωγία και την αποκόλληση του ρεύματος μεταξύ του εκπομπέα και του συλλέκτηΩς ηλεκτρονικές, πλήρως ελεγχόμενες συσκευές,απαιτούν συνεχές ρεύμα κινητήρα βάσης για τη διατήρηση της ενεργού κατά τη διάρκεια της λειτουργίας και δεν διαθέτουν δομή ελέγχου τάσης πύλης.
2Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά
Τα διπολικά τρανζίστορα ισχύος ST ∆ καλύπτουν ένα ευρύ φάσμα τάσης, από 15 V έως 1.700 V και περιλαμβάνουν προϊόντα με συμβατικές και υψηλές διαμορφώσεις Darlington,με ονομαστικό ρεύμα που κυμαίνεται από αρκετές αμπάρες έως αρκετές εκατοντάδες αμπάρεςΤα βασικά πλεονεκτήματα τους περιλαμβάνουν χαμηλή τάση κορεσμού, χαμηλές απώλειες αγωγιμότητας σταθερής κατάστασης σε υψηλά ρεύματα, ισχυρή αντοχή σε κρούσματα, ώριμες διαδικασίες κατασκευής, χαμηλό κόστος,και αξιοπιστία που έχει αποδειχθεί εδώ και δεκαετίες στην αγορά.
Ωστόσο, οι εν λόγω συσκευές παρουσιάζουν σημαντικές ελλείψεις: αργές ταχύτητες διασύνδεσης, με συχνότητες λειτουργίας συνήθως κάτω των 50 kHz, που τις καθιστούν ακατάλληλες για εφαρμογές μετατροπής υψηλής συχνότητας·υψηλές απώλειες κίνησης, που απαιτεί συνεχές ρεύμα βάσης και έχει ως αποτέλεσμα υψηλή κατανάλωση ενέργειας στο κύκλωμα κίνησης· και σχετικά υψηλές απώλειες μετάδοσης,με ταχύτητες δυναμικής απόκρισης πολύ χαμηλότερες από εκείνες των MOSFET και των IGBTΩς εκ τούτου, αντικαθίστανται σταδιακά από νεότερες συσκευές ισχύος και διατηρούνται πλέον μόνο σε παραδοσιακές εφαρμογές όπου παραμένουν απαραίτητες.
3Βασικά σενάρια εφαρμογής
Χρησιμοποιούνται κυρίως σε παραδοσιακές βιομηχανικές εφαρμογές ελέγχου που χαρακτηρίζονται από χαμηλή συχνότητα, χαμηλή ταχύτητα και υψηλό ρεύμα σταθερής κατάστασης, συμπεριλαμβανομένων των κινητήρων χαμηλής συχνότητας,τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας με διακόπτη γραμμικής συχνότητας, οδηγοί ρελέ, κυκλώματα βιομηχανικής ρύθμισης τάσης, μικροσκοπικό εξοπλισμό μετατροπέα και κυκλώματα ενισχυτών ισχύος ήχου.Χρησιμοποιούνται κυρίως σε καταναλωτικό και βιομηχανικό εξοπλισμό χαμηλού επιπέδου, όπου η συχνότητα εναλλαγής δεν είναι απαίτηση και ο έλεγχος του κόστους είναι προτεραιότητα..
ΙΙ. ST Power MOSFET (με βάση το πυρίτιο)
Τα MOSFET ισχύος με βάση το πυρίτιο είναι τα πιο ευρέως χρησιμοποιούμενα και ποικίλα συστήματα μέσης και χαμηλής τάσης.Ως μονοπολικές συσκευές ελεγχόμενης τάσης που βασίζονται αποκλειστικά σε φορείς πλειοψηφίας για την αγωγιμότητα, έχουν ξεπεράσει εντελώς τους περιορισμούς υψηλής συχνότητας των διπολικών τρανζίστορ και αποτελούν τις κύριες συσκευές για μικρών και μεσαίων ισχύος υψηλής συχνότητας ηλεκτρονικά συστήματα ισχύος.Η ST προσφέρει ένα πλήρες φάσμα προϊόντων MOSFET ισχύος, συμπεριλαμβανομένων των τύπων χαμηλής τάσης, μεσαίας και υψηλής τάσης και υπερσυνδέσεων, που καλύπτουν τόσο γενικές όσο και υψηλής βιομηχανικής χρήσης εφαρμογές.
1Βασικές αρχές λειτουργίας
Τα MOSFET ισχύος είναι πλήρως ελεγχόμενες συσκευές που ρυθμίζουν την αγωγιμότητα του καναλιού και την απενεργοποίηση μέσω μιας κατώτατης τάσης μεταξύ της πύλης και της πηγής.Η αγωγιμότητα βασίζεται αποκλειστικά σε ηλεκτρόνια ως μοναδικό φορτίο, χωρίς διαδικασία ανασύνθεσης μικροοργανισμών, με αποτέλεσμα εξαιρετικά γρήγορους χρόνους απόκρισης.Οι συσκευές διαθέτουν εξαιρετικά υψηλή αντίσταση εισόδου και δεν απαιτούν ουσιαστικά κανένα ρεύμα κίνησης κατά τη διάρκεια λειτουργίας σταθερής κατάστασης, που οδηγεί σε πολύ απλοποιημένα κυκλώματα κίνησης και ελάχιστη κατανάλωση ενέργειας.
2Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά
Τα MOSFET ισχύος με βάση το πυρίτιο ST ′ καλύπτουν εύρος τάσης από 20 V έως 900 V, εύρος ρεύματος από εκατομμυρίων έως αρκετών εκατοντάδων αμπερών και συχνότητες λειτουργίας από 100 kHz έως αρκετά MHz,τα οποία τα καθιστούν ιδανικά κατάλληλα για εφαρμογές μετατροπής υψηλής συχνότηταςΤα βασικά πλεονεκτήματα τους περιλαμβάνουν ταχύτητα αλλαγής, εξαιρετικά χαμηλές απώλειες αλλαγής, απλές απαιτήσεις κίνησης, καλή θερμική σταθερότητα, ισχυρή ανοσία στις παρεμβολές,και δεν υπάρχει κίνδυνος δευτερογενούς διάσπασης.
Οι ιδιόκτητες τεχνολογίες της ST περιλαμβάνουν τις σειρές SuperJunction CoolMOS και SupremMOS, οι οποίες μειώνουν σημαντικά την αντίσταση ενεργοποίησης (Rds ((on)) μέσω βελτιστοποιημένης αρχιτεκτονικής τσιπ,Έτσι επιτυγχάνεται χαμηλότερη απώλεια αγωγής και υψηλότερη πυκνότητα ισχύοςΟ περιορισμός έγκειται στο αξιοσημείωτο μειονέκτημα της πτώσης της τάσης προς τα εμπρός υπό συνθήκες υψηλής τάσης.οι απώλειες αγωγιμότητας είναι υψηλότερες από εκείνες των συσκευών IGBT.
3Βασικά σενάρια εφαρμογής
Χρησιμοποιούνται ευρέως σε ηλεκτρονικούς εξοπλισμούς μικρής και μεσαίας ισχύος υψηλής συχνότητας, αποτελούν βασικά συστατικά του καταναλωτικού ηλεκτρονικού εξοπλισμού και του εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών.Τυπικές εφαρμογές περιλαμβάνουν προσαρμογείς κινητών τηλεφώνων, ηλεκτρικές πηγές ρεύματος για διακόπτες υπολογιστών, ηλεκτρικές πηγές ρεύματος για διακομιστές και τηλεπικοινωνίες, μετατροπείς DC-DC, κινητήρες χαμηλής τάσης, συστήματα ελέγχου έξυπνου σπιτιού και συστήματα παροχής ηλεκτρικής ενέργειας χαμηλής τάσης για οχήματα.
ΙΙΙ. ST IGBT (διπολικό τρανζίστορ με απομονωμένη πόρτα)
Η IGBT είναι μια σύνθετη συσκευή ισχύος που συνδυάζει τα πλεονεκτήματα των MOSFET και των διπολικών τρανζίστορ, εξισορροπώντας τέλεια τις απαιτήσεις της υψηλής τάσης,λειτουργία υψηλού ρεύματος και μεσαίας έως υψηλής συχνότηταςΗ σειρά προϊόντων IGBT της ST® καλύπτει πολλαπλά επίπεδα εφαρμογής, συμπεριλαμβανομένων των καταναλωτικών,Βιομηχανική, αυτοκινητοβιομηχανίας και σιδηροδρομικών μεταφορών και είναι κατάλληλο για ένα ευρύ φάσμα συνθηκών ισχύος και συχνότητας.
1Βασικές αρχές λειτουργίας
Η IGBT ενσωματώνει τη δομή κίνησης πύλης-φόρτωσης ενός MOSFET με τη δομή αγωγιμότητας υψηλού ρεύματος ενός διπολικού τρανζίστορ.Η πλευρά εισόδου χρησιμοποιεί μια δομή MOSFET για να επιτρέψει λειτουργία με κίνηση τάσης και χαμηλή κατανάλωση ισχύος κίνησηςΗ πλευρά εξόδου χρησιμοποιεί μια διπολική δομή αγωγιμότητας, η οποία μειώνει την πτώση τάσης της υψηλής τάσης αγωγιμότητας μέσω της ένεσης μειοψηφίας φορέα.Έτσι συνδυάζει τα χαρακτηριστικά υψηλής συχνότητας των μονοπολικών συσκευών με τα πλεονεκτήματα χαμηλής απώλειας αγωγιμότητας των διπολικών συσκευών.
2Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά
Τα ST IGBT καλύπτουν εύρος τάσης από 600 V έως 6,5 kV και ρεύμα έως αρκετές χιλιάδες άμπερες, καθιστώντας τα κατάλληλα για εφαρμογές υπερ-υψηλής ισχύος.Οι συχνότητες λειτουργίας τους κυμαίνονται συνήθως από αρκετά kHz έως 50 kHzΤα κύρια πλεονεκτήματα τους περιλαμβάνουν εξαιρετικά χαμηλές απώλειες αγωγιμότητας σε υψηλές τάσεις και ρεύματα,υψηλή πυκνότητα ρεύματος, ικανότητα αντοχής σε υψηλή τάση, απλές απαιτήσεις κίνησης και εξαιρετική σταθερότητα.
Οι περιορισμοί της συσκευής περιλαμβάνουν ρεύμα απορροής κατά τη διάρκεια της διαδικασίας απενεργοποίησης, ταχύτητες εναλλαγής χαμηλότερες από εκείνες των MOSFET ισχύος και συσκευές ευρείας ζώνης,και σημαντική αύξηση των απωλειών μετάδοσης σε συνθήκες υψηλής συχνότηταςΗ ST έχει ξεκινήσει εξειδικευμένες σειρές προσαρμοσμένες σε διαφορετικά σενάρια, όπως τα IGBT υψηλής ταχύτητας,IGBT χαμηλής απώλειας και IGBT κλάσης αυτοκινήτων, εξισορρόπηση των χαρακτηριστικών απώλειας και συχνότητας.
3Βασικά σενάρια εφαρμογής
Επικεντρώνεται σε εφαρμογές ηλεκτρονικής ισχύος μεσαίας και υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος, συμπεριλαμβανομένων των βιομηχανικών κινητήρων μεταβλητής συχνότητας, των συστημάτων UPS (αδιάκοπης τροφοδοσίας ηλεκτρικής ενέργειας),Μηχανές βιομηχανικής συγκόλλησης, συσκευές θέρμανσης με επαγωγή, φωτοβολταϊκούς και αιολικούς μετατροπείς ενέργειας, συστήματα ελέγχου ηλεκτρικών οχημάτων, μετατροπείς έλξης σιδηροδρομικών μεταφορών και σταθεροποιητές υψηλής τάσης βιομηχανικής τάσης.
IV. ST Συσκευές GaN (νιτρίδιο γαλίου) ισχύος
Οι συσκευές GaN (νιτρίδιο γαλλίου) είναι συσκευές ημιαγωγών μεγάλης ζώνης τρίτης γενιάς.εφαρμογές υψηλής απόδοσης και μικροποιημένης μετατροπής ισχύοςΟι συσκευές αυτές έχουν σπάσει τα όρια συχνότητας και αποτελεσματικότητας των συσκευών με βάση το πυρίτιο και αποτελούν τα βασικά συστατικά για την αναβάθμιση των υψηλής συχνότητας, μεσαίας έως χαμηλής ισχύος προμηθειών υψηλής ποιότητας.
1Βασικές αρχές λειτουργίας
Οι συσκευές ισχύος GaN των ST ∆ είναι συσκευές που ελέγχονται με τάση σε λειτουργία ενίσχυσης.δεν απαιτούν τη δομή αγωγιμότητας συνδυασμού PN που βρίσκεται στις συσκευές με βάση το πυρίτιοΑντίθετα, βασίζονται σε ένα δίδιάστατο αέριο ηλεκτρονίων (2DEG) για να επιτύχουν υψηλής ταχύτητας αγωγιμότητα.που επιτρέπουν την εναλλαγή χρόνων απόκρισης στην περιοχή των νανοδευτερολέπτων.
2Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά
Οι συσκευές GaN ST ∆ είναι διαθέσιμες κυρίως σε τάσεις 100 V και 650 V, προσφέροντας εξαιρετικά βασικά πλεονεκτήματα: ταχύτητες διασύνδεσης υπερβαίνουν κατά πολύ εκείνες των MOSFET με βάση το πυρίτιο,με συχνότητες λειτουργίας που φτάνουν τις δεκάδες MHz, με αποτέλεσμα να μειώνονται σημαντικά οι απώλειες διακόπτη· η αντίσταση ανάφλεξης είναι εξαιρετικά χαμηλή, με αποτέλεσμα τις απώλειες κατά την κατάσταση ανάφλεξης να είναι υψηλότερες από εκείνες των συσκευών με βάση το πυρίτιο της ίδιας προδιαγραφής·οι συσκευές είναι μικρότερων μεγεθών και προσφέρουν σημαντικά υψηλότερη πυκνότητα ισχύος, επιτρέποντας τη μικροποίηση και τη μείωση του βάρους των εξοπλισμών τροφοδοσίας.
Σε σύγκριση με συσκευές με βάση το πυρίτιο, οι συσκευές GaN προσφέρουν μεγαλύτερη αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες και διακοπή υψηλής τάσης, με απώλειες αντιστροφής της ανάκτησης να πλησιάζουν το μηδέν,με τον τρόπο αυτό να επιλυθεί πλήρως το ζήτημα των αντιστροφών απωλειών υπό συνθήκες λειτουργίας υψηλής συχνότηταςΤα μειονεκτήματά τους περιλαμβάνουν υψηλότερα κόστη από ό,τι οι συσκευές με βάση το πυρίτιο, αυστηρότερες απαιτήσεις για την ακρίβεια του κυκλώματος κίνησης και πιο απαιτητικούς περιορισμούς στη διάταξη PCB και στο σχεδιασμό της διαδικασίας.
3Βασικά σενάρια εφαρμογής
Οι συσκευές αυτές απευθύνονται κυρίως σε εφαρμογές υψηλής συχνότητας, υψηλής απόδοσης και μικροσκοπικής μετατροπής ισχύος υψηλού επιπέδου, συμπεριλαμβανομένων των υψηλού επιπέδου τροφοδοτήσεων ταχείας φόρτισης,τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας για διακομιστές υψηλής συχνότητας, τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας σταθμών βάσης τηλεπικοινωνιών, ενσωματωμένα φορτιστήρια (OBC) για οχήματα, μετατροπείς υψηλής συχνότητας DC-DC, ελαφρές τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας νέας ενέργειας,και εξοπλισμού ηλεκτρικής ενέργειας μικρής κλίμακας για τον αεροδιαστημικό τομέα.
V. ST SiC MOSFET (καρβίδιο του πυριτίου)
Τα MOSFET SiC (καρβιδίου του πυριτίου) είναι επί του παρόντος οι κορυφαίες συσκευές ευρείας ζώνης στον τομέα της υψηλής τάσης και της υψηλής ισχύος.Η ST έχει αναπτύξει ένα ολοκληρωμένο φάσμα εμπορικών MOSFET SiC που καλύπτουν όλες τις κατηγορίες ισχύος μεσαίας και υψηλής τάσηςΧάρη στην ικανότητά τους να αντέχουν υπερυψωμένη τάση, πολύ χαμηλές απώλειες και αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες,σταδιακά αντικαθιστούν τα παραδοσιακά IGBTs με βάση το πυρίτιο για να γίνουν τα βασικά συστατικά σε high-end, εξοπλισμού υψηλής ισχύος για νέες ενεργειακές εφαρμογές.
1Βασική αρχή λειτουργίας
Τα ST SiC MOSFET κατασκευάζονται από μονοκρυσταλλικό υλικό καρβιδίου του πυριτίου 4H-SiC και είναι μονοπολικές συσκευές ελεγχόμενης τάσης.Βασίζονται αποκλειστικά σε φορείς ηλεκτρονίων για την αγωγιμότητα και είναι απαλλαγμένα από το φαινόμενο της μειοψηφίας των φορείςΤο μέγεθος του υλικού είναι μικρότερο από το μέγεθος του υλικού, και το μέγεθος του υλικού είναι μικρότερο από το μέγεθος του υλικού.Η αντοχή του πεδίου διάσπασης και η θερμική αγωγιμότητα είναι πολύ ανώτερες από αυτές του πυριτίου., παρέχοντας εξαιρετική καταλληλότητα για εφαρμογές υψηλής τάσης και υψηλής συχνότητας.
2Βασικά τεχνικά χαρακτηριστικά
Τα εμπορικά MOSFET SiC του ST ∆ καλύπτουν ένα εύρος τάσης από 650 V έως 3.300 V, με πρωτότυπες συσκευές που φτάνουν έως 6.500 V, καθιστώντας τα κατάλληλα για εφαρμογές υπερ-υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος.Τα βασικά χαρακτηριστικά τους περιλαμβάνουν υψηλή αντοχή πεδίου διάσπασης, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες και εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, επιτρέποντας σταθερή λειτουργία σε υψηλές θερμοκρασίες και σε δύσκολες συνθήκες.με απώλειες μετάδοσης μικρότερες από το ένα τρίτο των IGBT με βάση το πυρίτιο· παρουσιάζουν εξαιρετικά χαμηλές απώλειες αγωγιμότητας σε συνθήκες υψηλής τάσης και υψηλού ρεύματος, με συνολική ενεργειακή απόδοση πολύ μεγαλύτερη από εκείνη των συσκευών με βάση το πυρίτιο.
Σε σύγκριση με τις συσκευές GaN, οι συσκευές SiC προσφέρουν υψηλότερες ονομαστικές τάσεις, ανώτερη αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες και μεγαλύτερη χωρητικότητα ισχύος, καθιστώντας τις ιδανικές για εφαρμογές υψηλής τάσης και υψηλής ισχύος.Τα μειονεκτήματά τους περιλαμβάνουν το υψηλότερο κόστος συσκευής, αυστηρές απαιτήσεις για τις διαδικασίες συσκευασίας και κίνησης και ένα σχετικά υψηλό εμπόδιο για τον σχεδιασμό του συστήματος.
3Βασικά σενάρια εφαρμογής
Επικεντρώνονται σε εφαρμογές υψηλού επιπέδου, υψηλής τάσης, υψηλής ισχύος, υψηλής απόδοσης και υψηλής αξιοπιστίας και αποτελούν βασικά στοιχεία της νέας βιομηχανίας ενέργειας.Οι εφαρμογές περιλαμβάνουν μετατροπείς κύριας κίνησης για οχήματα νέας ενέργειας, ενσωματωμένοι μετατροπείς υψηλής τάσης συνεχούς ρεύματος προς συνεχές ρεύμα, σταθμοί υπερφόρτισης, μετατροπείς φωτοβολταϊκής και αιολικής ενέργειας μεγάλης κλίμακας, συστήματα PCS αποθήκευσης ενέργειας, βιομηχανικοί εξοπλισμοί υψηλής τάσης μεταβλητής συχνότητας,συστήματα έλξης σιδηροδρομικών μεταφορών, και υψηλού επιπέδου στρατιωτικό εξοπλισμό ισχύος.
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
Greek
