logo
Αρχική Σελίδα Ειδήσεις

Το εταιρικό blog για Ηλεκτρονικά της Σένζεν Μίνγκτζιαντά.

Πιστοποίηση
Κίνα ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Πιστοποιήσεις
Κίνα ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
Στάλη πολύ γρήγορα, και πολύ χρήσιμος, νέος και αρχικός, θα σύστηνε ιδιαίτερα.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Επαγγελματική και γρήγορη υπηρεσία, αποδεκτές τιμές για τα αγαθά. άριστη επικοινωνία, προϊόν όπως αναμενόταν. Συστήνω ιδιαίτερα αυτόν τον προμηθευτή.

—— Λουίς Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας και αξιόπιστης απόδοσης: "Τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα που λάβαμε από την [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] είναι υψηλής ποιότητας και έχουν δείξει αξιόπιστη απόδοση στις συσκευές μας".

—— Ρίτσαρντ από τη Γερμανία

Ανταγωνιστικές τιμές: Οι τιμές που προσφέρονται από είναι πολύ ανταγωνιστικές, καθιστώντας την εξαιρετική επιλογή για τις ανάγκες προμηθειών μας.

—— Τιμ από τη Μαλαισία

Η εξυπηρέτηση πελατών που παρέχονται από είναι εξαιρετική. Είναι πάντα ευαίσθητοι και χρήσιμοι, εξασφαλίζοντας ότι οι ανάγκες μας ικανοποιούνται άμεσα.

—— Βίνσεντ από τη Ρωσία

Μεγάλες τιμές, γρήγορη παράδοση και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Αξιόπιστα εξαρτήματα, γρήγορη αποστολή και εξαιρετική υποστήριξη.

—— Σαμ Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας εξαρτήματα και μια απρόσκοπτη διαδικασία παραγγελίας.

—— Η Λίνα από τη Γερμανία

Είμαι Online Chat Now
επιχείρηση Μπλογκ
Ηλεκτρονικά της Σένζεν Μίνγκτζιαντά.
τα τελευταία νέα της εταιρείας για Ηλεκτρονικά της Σένζεν Μίνγκτζιαντά.

Η πλήρης γκάμα προϊόντων της Mingjiada για Power MOSFETs για διακομιστές AI


Με την εκρηκτική ανάπτυξη της υπολογιστικής ισχύος της τεχνητής νοημοσύνης, τα MOSFET ισχύος έχουν γίνει τα "συστατικά σημεία" στις αλυσίδες παροχής ενέργειας.

Καθώς οι ευρείας κλίμακας αναπτύξεις συστάσεων για εκπαίδευση και συμπεράσματα μεγάλων μοντέλων γίνονται ο κανόνας,η κατανάλωση ενέργειας ανά θάλαμο σε διακομιστές τεχνητής νοημοσύνης έχει αυξηθεί από την παραδοσιακή περιοχή των 10 kW στην περιοχή των 100 kW στην πλατφόρμα GB200Οι αρχιτεκτονικές παροχής ενέργειας μεταβαίνουν γρήγορα από τα παραδοσιακά συστήματα λεωφορείων 12V σε αρχιτεκτονικές συνεχούς τάσης 48V/800V.Καθώς ο αριθμός των σταδίων μετατροπής ισχύος αυξάνεται και τα παροδικά ρεύματα διπλασιάζονται, η ζήτηση για ισχύ MOSFET και οι απαιτήσεις απόδοσης που τους επιβάλλονται αυξάνονται σημαντικά.Οι εκτιμήσεις της βιομηχανίας δείχνουν ότι ένας μόνο διακομιστής τεχνητής νοημοσύνης χρησιμοποιεί τρεις έως πέντε φορές περισσότερους ημιαγωγούς ισχύος από έναν παραδοσιακό διακομιστή., και η αξία των ημιαγωγών ισχύος σε ένα μόνο ντουλάπι διακομιστή τεχνητής νοημοσύνης προβλέπεται να αυξηθεί από περίπου 15.000 δολάρια ΗΠΑ σε 115.000 δολάρια ΗΠΑ έως το 2030.


Στο πλαίσιο αυτό, η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., ένας εξουσιοδοτημένος ανεξάρτητος διανομέας με σχεδόν τρεις δεκαετίες εμπειρίας στην αλυσίδα εφοδιασμού ηλεκτρονικών εξαρτημάτων, leverages its dual warehousing centres in Shenzhen and Hong Kong and a supply capacity of 2 million stock-keeping units (SKUs) to provide a full range of power MOSFETs from leading international brands—including Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Vishay, ROHM και Renesas για τα σχέδια παροχής ενέργειας σε διακομιστές AI.

 

Η σειρά προϊόντων Core Power MOSFET για διακομιστές τεχνητής νοημοσύνης που παρέχεται από την Mingjiada

Ι. Infineon: Πλήρης αλυσίδα κάλυψης από PFC έως IBC

Η Infineon διαθέτει το πιο ολοκληρωμένο χαρτοφυλάκιο προϊόντων στην αλυσίδα τροφοδοσίας διακομιστών AI.


Η σειρά OptiMOSTM 5/6/7 (μέση έως χαμηλή τάση, 25V ̇ 250V): Καλύπτει τις βασικές απαιτήσεις των πολυφασικών μετατροπών buck και των μετατροπών ενδιάμεσων λεωφορείων (IBC).που διαθέτουν διπλό πλευρικό 5×6mm2 συσκευαστήριο διάχυσης θερμότηταςΗ τελευταία γενιά των προϊόντων OptiMOSTM 7 είναι βελτιστοποιημένη για εφαρμογές IBC,με RDS ((on) μειωμένο κατά 25% για την εκδοχή 40V και κατά 40% για τις εκδοχές 80V/100V σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιάΗ Mingjiada διατηρεί απόθεμα δημοφιλών μοντέλων IBC διακομιστή AI, όπως το BSC050N10NS5 (100V / 5mΩ).


Η σειρά CoolMOSTM C7/C8 (υψηλή τάση, 600V ̇950V): Κατάλληλη για τα στάδια PFC και LLC των τροφοδοτήσεων CRPS διακομιστή AI.Η τεχνολογία διασύνδεσης XT προσφέρει κορυφαίες θερμικές επιδόσειςΤο τυπικό μοντέλο SPW20N60C3 (650V/20.7Α) χρησιμοποιείται ευρέως σε βιομηχανικές πηγές ρεύματος και σε κυκλώματα PFC διακομιστών.


σειρά CoolSiCTM 400V (για στάδια AC/DC): τα 400V SiC MOSFET της Infineon, βασισμένα στην τεχνολογία CoolSiCTM δεύτερης γενιάς, έχουν αναπτυχθεί ειδικά για τα στάδια AC/DC των διακομιστών AI,που επιτρέπουν πυκνότητες ισχύος άνω των 100W/in3 και αποδοτικότητα σταδίου PFC 990,5%.


σειρά StrongIRFETTM: τοποθετείται ως οικονομικά αποδοτική λύση για εφαρμογές μεσαίας και χαμηλής τάσης, με VBRDSS έως 100V, RDS ((on) τόσο χαμηλό όσο 1,2mΩ και μέγιστο ID 282A,είναι κατάλληλο για εφαρμογές όπως βοηθητικές πηγές ρεύματος και διακόπτες φόρτωσης σε διακομιστές τεχνητής νοημοσύνης.


ΙΙ. ON Ημιαγωγός: PowerTrench® T10 + EliteSiCTM συνδυασμένη λύση

Οι λύσεις τροφοδοσίας διακομιστών AI της ON Semiconductor χαρακτηρίζονται από διπλή διαμόρφωση “βάσει πυριτίου + καρβιδίου πυριτίου”.Η σειρά T10 PowerTrench® της τελευταίας γενιάς χρησιμοποιεί σχεδιασμό τάφρου με προστατευμένη πύλη, βελτιστοποιημένη ειδικά για εφαρμογές υψηλού ρεύματος στα στάδια μετατροπής ισχύος συνεχούς ρεύματος σε συνεχής ρεύμα, παρέχοντας υψηλότερη πυκνότητα ισχύος και εξαιρετικές θερμικές επιδόσεις σε ένα συμπαγές πακέτο.Όταν χρησιμοποιείται σε συνδυασμό με τη σειρά T10, το EliteSiCTM 650V M3S MOSFET μειώνει το φορτίο της πύλης κατά 50% και την ισχύ της ισχύος παραγωγής κατά 44% σε σύγκριση με την προηγούμενη γενιά,μειώνοντας έτσι τις απώλειες ισχύος του κέντρου δεδομένων κατά περίπου 1%Επιπλέον, η ON Semiconductor έχει λανσάρει ένα 12kW AI cloud computing power module που χρησιμοποιεί μια λύση M3S MOSFET και SiC JFET, επιτυγχάνοντας μέγιστη απόδοση έως και 98% για ολόκληρη τη μονάδα..


Η MOSFET της σειράς EliteSiC της Semiconductor (που καλύπτει το πλήρες εύρος τάσης από 650V έως 1700V),καθώς και μονάδες MOSFET ισχύος N-καναλιού της σειράς PowerTrench, όπως το NVMFS5C404NL και το NVMFS5C456NL, και υποστηρίζει τόσο τα μικρά παρτίδες δειγμάτων όσο και τις μεγάλες παραγγελίες.


III. Vishay: TrenchFET® Gen V Λύση χαμηλής αντίστασης

Το Vishay SiRS5700DP είναι ένα 150V TrenchFET® Gen V N-channel MOSFET ισχύος που στεγάζεται σε ένα πακέτο PowerPAK® SO-8S (QFN 6×5), με RDS ((on) τόσο χαμηλό όσο 5.6 mΩ και συντελεστής ποιότητας (RDS ((on) × Qg) μόλις 336 mΩ·nC, RthJC τόσο χαμηλά όσο 0,45°C/W, και συνεχές ρεύμα αποχέτευσης έως 144 A.Η συσκευή αυτή έχει σχεδιαστεί ειδικά για να ανταποκρίνεται στις απαιτήσεις απόδοσης των συστημάτων τροφοδοσίας ηλεκτρικής ενέργειας διακομιστών AI 6 kW και είναι κατάλληλη για συγχρονισμένη διόρθωσηΟι τυπικές εφαρμογές περιλαμβάνουν διακομιστές τεχνητής νοημοσύνης, edge computing και υπερυπολογιστές.Η Mingjiada προσφέρει άμεση διαθεσιμότητα του SiRS5700DP και της πλήρους γκάμας των MOSFET ισχύος Vishay TrenchFET.


IV. ROHM: MOSFET ειδικά σχεδιασμένα για εφαρμογές hot-swap 48V σε διακομιστές AI

Η ROHM κυκλοφόρησε τα MOSFET 100V ισχύος RY7P250BM και RS7P200BM για κυκλώματα θερμής ανταλλαγής 48V τροφοδοσίας σε διακομιστές AI.Το RY7P250BM επιτυγχάνει ανοχή SOA έως 16 A σε VDS = 48 V και πλάτος παλμού 10 msΗ μέθοδος αυτή επιτυγχάνει την κορυφαία ισορροπία στον κλάδο μεταξύ ευρύτερου εύρους SOA και χαμηλότερης αντίστασης.και έχει πιστοποιηθεί και συσταθεί από παγκοσμίως αναγνωρισμένες πλατφόρμες cloudΤο RS7P200BM επιτυγχάνει ευρύ εύρος SOA που οδηγεί στον κλάδο σε ένα συμπαγές πακέτο 5,0 mm × 6,0 mm, ικανοποιώντας τις απαιτήσεις σχεδίων τροφοδοσίας υψηλής πυκνότητας.Η Mingjiada έχει προμηθεύσει εδώ και καιρό τα προϊόντα ROHM N-channel power MOSFET και SiC MOSFET, συμπεριλαμβανομένων μοντέλων όπως το RCX450N20 (200 V/45 A).


V. STMicroelectronics (ST): MDmeshTM και STripFETTM σειρά

Τα MOSFET ισχύος του ST καλύπτουν ένα ευρύ εύρος τάσης διακοπής από 100 V έως 1.700 V,επιτυγχάνεται χαμηλό φορτίο πύλης και χαμηλή αντίσταση ενεργείας μέσω της σειράς υψηλής τάσης MDmeshTM και της σειράς χαμηλής τάσης STripFETTMΈνα τυπικό μοντέλο, το STW48N60M6 (600 V/48 A, 0,060 Ω), είναι κατάλληλο για το στάδιο PFC των διακομιστών AI και τη μετατροπή υψηλής τάσης DC/DC.Τα προϊόντα ST ′s με εκτεταμένο εύρος τάσης 650V ′2200V διαθέτουν ικανότητα υπερ-υψηλών θερμοκρασιών (TJ έως 200°C) και εξαιρετικά χαμηλές απώλειες μετάδοσης, παρέχοντας μια εναλλακτική λύση από καρβίδιο πυριτίου για υψηλής απόδοσης στάδια AC/DC σε διακομιστές τεχνητής νοημοσύνης.


Η εγγύηση εφοδιασμού της Mingjiada.

Πρωτότυπα προϊόντα και εκτεταμένο απόθεμα: Η Mingjiada διανέμει προϊόντα από περισσότερους από 500 κατασκευαστές ημιαγωγών σε όλο τον κόσμο. Όλα τα MOSFET ισχύος είναι αυθεντικά, εργοστασιακά σφραγισμένα προϊόντα,με παροχή υπηρεσιών ανίχνευσης παρτίδωνΤα κέντρα αποθήκευσης μας στο Σενζέν και το Χονγκ Κονγκ διατηρούν αποθέματα 2 εκατομμυρίων διαφορετικών αριθμών εξαρτημάτων, υποστηρίζοντας μια ταχεία “διαταγή σήμερα, αποστολή αύριο” απάντηση.


Ευέλικτη προμήθεια και παγκόσμια παράδοση: Υποστηρίζουμε τόσο τις αγορές μικρών παρτίδων δειγμάτων (αρχίζοντας από μία μονάδα) όσο και τις παραγγελίες γραμμών παραγωγής σε εκατομμύρια,ικανοποίηση των απαιτήσεων πλήρους κύκλου από την κατασκευή πρωτότυπων τροφοδοσίας διακομιστή ενέργειας τεχνητής νοημοσύνης έως την επέκταση της μαζικής παραγωγήςΜέσω των υποκαταστημάτων μας στο Χονγκ Κονγκ, την Ιαπωνία, τη Ρωσία και αλλού, υποστηρίζουμε τις διεθνείς αποστολές DHL/UPS για να εξασφαλίσουμε ταχεία παγκόσμια παράδοση.


Επικοινωνία με την Mingjiada: Επίσημος ιστότοποςwww.integrated-ic.comΗ τηλεφωνική γραμμή εξυπηρέτησης +86 13410018555 (ο κ. Τσεν) E-mail sales@hkmjd.com

Χρόνος μπαρ : 2026-09-18 10:01:17 >> κατάλογος ειδήσεων
Στοιχεία επικοινωνίας
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sales Manager

Τηλ.:: 86-13410018555

Φαξ: 86-0755-83957753

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)