logo
Αρχική Σελίδα Ειδήσεις

Το εταιρικό blog για SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb CMOS DDR4 Συγχρονισμένη μνήμη DRAM ETT

Πιστοποίηση
Κίνα ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Πιστοποιήσεις
Κίνα ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
Στάλη πολύ γρήγορα, και πολύ χρήσιμος, νέος και αρχικός, θα σύστηνε ιδιαίτερα.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Επαγγελματική και γρήγορη υπηρεσία, αποδεκτές τιμές για τα αγαθά. άριστη επικοινωνία, προϊόν όπως αναμενόταν. Συστήνω ιδιαίτερα αυτόν τον προμηθευτή.

—— Λουίς Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας και αξιόπιστης απόδοσης: "Τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα που λάβαμε από την [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] είναι υψηλής ποιότητας και έχουν δείξει αξιόπιστη απόδοση στις συσκευές μας".

—— Ρίτσαρντ από τη Γερμανία

Ανταγωνιστικές τιμές: Οι τιμές που προσφέρονται από είναι πολύ ανταγωνιστικές, καθιστώντας την εξαιρετική επιλογή για τις ανάγκες προμηθειών μας.

—— Τιμ από τη Μαλαισία

Η εξυπηρέτηση πελατών που παρέχονται από είναι εξαιρετική. Είναι πάντα ευαίσθητοι και χρήσιμοι, εξασφαλίζοντας ότι οι ανάγκες μας ικανοποιούνται άμεσα.

—— Βίνσεντ από τη Ρωσία

Μεγάλες τιμές, γρήγορη παράδοση και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Αξιόπιστα εξαρτήματα, γρήγορη αποστολή και εξαιρετική υποστήριξη.

—— Σαμ Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας εξαρτήματα και μια απρόσκοπτη διαδικασία παραγγελίας.

—— Η Λίνα από τη Γερμανία

Είμαι Online Chat Now
επιχείρηση Μπλογκ
SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb CMOS DDR4 Συγχρονισμένη μνήμη DRAM ETT
τα τελευταία νέα της εταιρείας για SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb CMOS DDR4 Συγχρονισμένη μνήμη DRAM ETT

Η Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. προμηθεύει και ανακυκλώνει τσιπ μνήμης SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb CMOS DDR4 synchronous DRAM ETT.

 

I. Επισκόπηση προϊόντος H5AN8G8NDJR-XNC

Το H5AN8G8NDJR-XNC είναι ένα τσιπ μνήμης ETT-grade DDR4 synchronous DRAM χωρητικότητας 8Gb, πλάτους x8-bit, που κυκλοφόρησε από την SK Hynix. Είναι ένα τσιπ μνήμης DDR4 γενικής χρήσης για βιομηχανική και καταναλωτική χρήση. Κατασκευασμένο με μια ώριμη διαδικασία CMOS, ο βαθμός ETT (Effectively Tested) υποδεικνύει ότι το τσιπ έχει περάσει την ολοκληρωμένη αξιολόγηση του κατασκευαστή για βασικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά, χρονισμό και σταθερότητα. Εξισορροπώντας κόστος, εύρος ζώνης και μακροπρόθεσμη αξιοπιστία λειτουργίας, αποτελεί ένα κύριο εξάρτημα για μονάδες μνήμης σε επιτραπέζιους υπολογιστές, μητρικές πλακέτες βιομηχανικού ελέγχου, εξοπλισμό δικτύωσης, ενσωματωμένους τερματικούς σταθμούς και συσκευές εγγραφής βίντεο ασφαλείας.

 

Αυτό το τσιπ μνήμης H5AN8G8NDJR-XNC συμμορφώνεται με το πρότυπο JEDEC DDR4, χρησιμοποιεί αρχιτεκτονική προανάκτησης 8-bit και υποστηρίζει ρυθμούς μεταφοράς δεδομένων υψηλής ταχύτητας έως 3200MT/s. με τυπική τάση λειτουργίας 1.2V. Διαθέτοντας συμπαγή, χαμηλού προφίλ συσκευασία FBGA-78, επιτρέπει τη στοίβαξη μνήμης υψηλής πυκνότητας σε περιορισμένο χώρο PCB, καθιστώντας το κατάλληλο τόσο για μαζική παραγωγή μονάδων μνήμης όσο και για την αγορά ανακατασκευής. Προσφέρει σταθερό χρόνο παράδοσης και είναι συμβατό με όλες τις λύσεις ελεγκτών DDR4 σε όλες τις πλατφόρμες.

 

II. Βασικές Προδιαγραφές Υλικού H5AN8G8NDJR-XNC

1. Βασική Αρχιτεκτονική Μνήμης

Αριθμός Μέρους: H5AN8G8NDJR-XNC

Πυκνότητα Μνήμης: 8Gb (1G × 8-bit), 8 Gb χωρητικότητα ανά τσιπ

Πλάτος Δίαυλου: x8 (κανάλια δεδομένων 8-bit)

Αρχιτεκτονική Προανάκτησης: Προανάκτηση 8-bit, εσωτερική σύγχρονη ανάγνωση/εγγραφή σε σειρά

Διαμόρφωση Τραπεζών: Τυπική αρχιτεκτονική τραπεζών πολλαπλών σελίδων DDR4, υποστηρίζοντας ρυθμιζόμενα μήκη έκρηξης BL4/BL8

Τεχνολογία Διαδικασίας: Διαδικασία δυναμικής μνήμης CMOS

 

2. Ηλεκτρικές Παράμετροι και Παράμετροι Ταχύτητας

Τυπική Τροφοδοσία: Ενοποιημένη VDD/VDDQ στα 1.2V, εύρος τάσης 1.14V–1.26V

Ονομαστική Ταχύτητα: DDR4-3200, ισοδύναμος ρυθμός δεδομένων 3200 Mbps, συχνότητα αναφοράς 1600 MHz

Αρχιτεκτονική Ρολογιού: Πλήρως διαφορικές είσοδοι ρολογιού CK/CK#, με αντίστοιχους διαφορικούς παλμούς δεδομένων DQS/DQS#

Ενσωματωμένη παραγωγή τάσης αναφοράς VrefDQ, εξαλείφοντας την ανάγκη για εξωτερικά κυκλώματα διαιρέτη τάσης

Διαμόρφωση Χρονισμού: Προγραμματιζόμενη καθυστέρηση CAS CL9–CL20· η πρόσθετη καθυστέρηση AL μπορεί να διαμορφωθεί ευέλικτα

 

3. Συσκευασία και Φυσικές Διαστάσεις

Τύπος Συσκευασίας: FBGA-78 (78-μπάλινο πλέγμα σφαιρών λεπτού προφίλ)

Διαστάσεις: 11.0 mm × 7.5 mm, μέγιστο πάχος 1.2 mm

Βήμα Σφαιρών: 0.8 mm, τεχνολογία επιφανειακής τοποθέτησης SMT

Προδιαγραφές Συσκευασίας: Αποστέλλεται σε δίσκους· τυπική ποσότητα δίσκου: 1.600 τεμάχια ανά δίσκο

Περιβαλλοντική Συμμόρφωση: Χωρίς μόλυβδο και αλογόνα· πλήρως συμβατό με τα πρότυπα RoHS και REACH

 

4. Περιβαλλοντική Αξιοπιστία

Εύρος θερμοκρασίας εμπορικού προτύπου: 0°C έως +85°C

Υποστηρίζει αυτόματη ανανέωση και ανανέωση προσαρμοσμένη στη θερμοκρασία· δεν υπάρχει απώλεια δεδομένων κατά τις λειτουργίες ανάγνωσης/εγγραφής σε υψηλές ή χαμηλές θερμοκρασίες

Χαμηλή στατική κατανάλωση ενέργειας σε κατάσταση αναμονής, κατάλληλο για εξοπλισμό που απαιτεί μακροχρόνια, αδιάλειπτη λειτουργία

 

τα τελευταία νέα της εταιρείας για SK Hynix H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb CMOS DDR4 Συγχρονισμένη μνήμη DRAM ETT  0

 

III. Βασικά Χαρακτηριστικά Ειδικά για DDR4

Σουίτα Εξισορρόπησης και Βαθμονόμησης Ανάγνωσης/Εγγραφής: Ενσωματωμένη εξισορρόπηση εγγραφής, βαθμονόμηση σύνθετης αντίστασης ZQ και λειτουργίες τερματισμού εντός τσιπ TDQS ταιριάζουν αυτόματα με τη σύνθετη αντίσταση των ιχνηλατών PCB, εξαλείφοντας τις μετατοπίσεις χρονισμού σήματος υψηλής ταχύτητας και μειώνοντας σημαντικά την πολυπλοκότητα αποσφαλμάτωσης υλικού, διασφαλίζοντας παράλληλα σταθερή ακεραιότητα σήματος σε υψηλές συχνότητες 3200 MHz.

Οι μηχανισμοί ασφάλειας δεδομένων περιλαμβάνουν έλεγχο CRC εγγραφής και λειτουργίες DM (Data Mask), οι οποίες δειγματοληπτούν δεδομένα τόσο στις ανερχόμενες όσο και στις κατερχόμενες ακμές για να εκτελέσουν έλεγχο και διόρθωση σφαλμάτων σε πραγματικό χρόνο κατά την εγγραφή δεδομένων, μειώνοντας έτσι τα σφάλματα ανάγνωσης/εγγραφής μνήμης· υποστηρίζει ασύγχρονη επαναφορά για γρήγορη επαναφορά του ελεγκτή μνήμης μετά από απροσδόκητη διακοπή ρεύματος.

Ο σχεδιασμός χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας ενσωματώνει δυναμικό τερματισμό εντός τσιπ και λειτουργίες αυτόματης ανανέωσης πολλαπλών επιπέδων, με έλεγχο κατανάλωσης ενέργειας πολλαπλών επιπέδων σε καταστάσεις αναμονής, αδράνειας και ανάγνωσης/εγγραφής. Σε σύγκριση με τα τσιπ DDR3 της ίδιας χωρητικότητας, η κατανάλωση ενέργειας μειώνεται κατά πάνω από 20%, καθιστώντας τα κατάλληλα για ενσωματωμένες συσκευές χαμηλής κατανάλωσης και συσκευές άκρης υπολογιστικής.

Μια πλήρως σύγχρονη αρχιτεκτονική σε σειρά διασφαλίζει ότι τα σήματα διεύθυνσης και ελέγχου κλειδώνονται μόνο στην ανερχόμενη ακμή του ρολογιού, ενώ τα σήματα δεδομένων και επιλογής δειγματοληπτούνται και στις δύο ακμές. Η εσωτερική πολυσταδιακή επεξεργασία σε σειρά επιτρέπει παράλληλη επεξεργασία, παρέχοντας σταθερό υψηλό εύρος ζώνης για την κάλυψη των απαιτήσεων ταυτόχρονων σεναρίων ανάγνωσης/εγγραφής σε πολλαπλές εργασίες.

 

IV. Επεξήγηση Βαθμών Τσιπ ETT (Βασικά Διαφοροποιητικά Πλεονεκτήματα)

Το επίθημα 'XNC' στο μοντέλο H5AN8G8NDJR-XNC αντιστοιχεί σε τσιπ βαθμού 'Effective Test' πιστοποιημένα ETT, τα οποία διαφέρουν από τα 'uTT' (μη δοκιμασμένα λευκά τσιπ) και τα premium-grade τσιπ 'Major' του κατασκευαστή:

 

Πραγματοποιείται ολοκληρωμένη ηλεκτρική δοκιμή μετά τη συσκευασία στο εργοστάσιο, συμπεριλαμβανομένου του περιθωρίου τάσης, πλήρους πίεσης χρονισμού, κύκλων υψηλής και χαμηλής θερμοκρασίας, αντοχής ανάγνωσης/εγγραφής και ανίχνευσης διαρροής, για την εξάλειψη ελαττωματικών μονάδων· η συνέπεια είναι πολύ ανώτερη από αυτή των μη δοκιμασμένων τσιπ 'uTT'·

Το κόστος είναι μέτριο, χωρίς επιπλέον χρέωση για τις μονάδες βαθμού 'Major' του αρχικού κατασκευαστή, καθιστώντας το κατάλληλο για μαζικές μονάδες, βιομηχανικό έλεγχο, συστήματα ασφαλείας και την αγορά ανακατασκευής μεταχειρισμένης μνήμης·

Η σταθερότητα πληροί τις απαιτήσεις για αδιάλειπτη λειτουργία εξοπλισμού 7x24 ωρών, με ποσοστό αστοχίας πολύ χαμηλότερο από αυτό των μη επιλεγμένων κενών μονάδων, καθιστώντας το την κορυφαία επιλογή για λύσεις αποθήκευσης μεσαίας κατηγορίας που προσφέρουν καλή σχέση ποιότητας-τιμής.

 

V. Τυπικά Σενάρια Εφαρμογής για H5AN8G8NDJR-XNC

Μονάδες αποθήκευσης καταναλωτικών ηλεκτρονικών: Μονάδες μνήμης DDR4 για επιτραπέζιους υπολογιστές, μνήμη SODIMM για φορητούς υπολογιστές, υπολογιστές all-in-one και mini-PCs· συμβατό με την πλήρη γκάμα πλατφορμών Intel/AMD DDR4·

Ενσωματωμένες βιομηχανικές συσκευές: Βιομηχανικές μητρικές πλακέτες ελέγχου, πύλες άκρης, βιομηχανικοί υπολογιστές μηχανικής όρασης και ελεγκτές κίνησης PLC· σταθερή λειτουργία σε ευρύ φάσμα θερμοκρασιών 0–85°C·

Εξοπλισμός δικτύωσης και ασφαλείας: Διακόπτες, δρομολογητές, NVRs (Network Video Recorders) και μητρικές πλακέτες αποθήκευσης για κάμερες 4K· κατάλληλο για σενάρια συνεχούς ανάγνωσης/εγγραφής υψηλής απόδοσης·

Συσκευές AIoT και τελικού χρήστη: Έξυπνες ψηφιακές πινακίδες, τερματικά αυτόματης εξυπηρέτησης, συστήματα πολυμέσων αυτοκινήτου και μικρά κουτιά τοπικών υπολογιστών·

Υποστήριξη διανομής και ανακύκλωσης εξαρτημάτων: Υποστηρίζει την ανακύκλωση ηλεκτρονικών εξαρτημάτων και την παραγωγή ανακατασκευασμένων μονάδων μνήμης· άφθονη προσφορά στην αγορά, κατάλληλη τόσο για μοντέλα ανακύκλωσης όσο και διανομής.

 

VI. Περίληψη Πλεονεκτημάτων Προϊόντος για H5AN8G8NDJR-XNC

Ισορροπημένες προδιαγραφές: Πλάτος διαύλου 8 Gb x 8-bit + εύρος ζώνης 3200 Mbps, καλύπτοντας τη συντριπτική πλειοψηφία των απαιτήσεων αποθήκευσης μεσαίας κατηγορίας με εξαιρετική ευελιξία·

Συμπαγής συσκευασία: Η λεπτού προφίλ συσκευασία FBGA-78 και η διάταξη PCB υψηλής πυκνότητας μειώνουν το συνολικό μέγεθος της συσκευής·

Εύκολη Αποσφαλμάτωση: Η ενσωματωμένη βαθμονόμηση ZQ, η εξισορρόπηση εγγραφής και ο έλεγχος CRC μειώνουν τους κύκλους σχεδιασμού υλικού·

Διασφάλιση Ποιότητας ETT: Ολοκληρωμένη δοκιμή από τον αρχικό κατασκευαστή, εξισορροπώντας τη σταθερότητα και το κόστος, καθιστώντας το κατάλληλο για μαζική παραγωγή·

Πλήρης Συμβατότητα Πλατφόρμας: Τυπικό πρωτόκολλο JEDEC DDR4 χωρίς εμπόδια συμβατότητας ελεγκτή· άφθονο απόθεμα είναι διαθέσιμο, υποστηρίζοντας τόσο μαζική προμήθεια όσο και αγορά αποθεμάτων.

Χρόνος μπαρ : 2026-07-20 13:14:03 >> κατάλογος ειδήσεων
Στοιχεία επικοινωνίας
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sales Manager

Τηλ.:: 86-13410018555

Φαξ: 86-0755-83957753

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)