Το εταιρικό blog για Μνήμη ICSK hynix ICHMAA8GR7CJR4N-XN:DIMM χαμηλής ισχύος υψηλής ταχύτητας DDR4 SDRAM

ΣΚ Hynix Μνήμη ICHMAA8GR7CJR4N-XN:DIMM χαμηλής ισχύος υψηλής ταχύτητας DDR4 SDRAM

HMAA8GR7CJR4N-XNΤα εγγεγραμμένα DDR4 SDRAM DIMM (Registered Double Data Rate Synchronous DRAM Dual In-Line Memory Modules) είναι μονάδες μνήμης χαμηλής ισχύος και υψηλής ταχύτητας που χρησιμοποιούν συσκευές DDR4 SDRAM.Τα εγγεγραμμένα DIMM SDRAM προορίζονται για χρήση ως κύρια μνήμη όταν εγκαθίστανται σε συστήματα όπως διακομιστές και σταθμοί εργασίας..

ΠροδιαγραφέςHMAA8GR7CJR4N-XN
Δυνατότητα μνήμης:64GB
Τεχνολογία μνήμης: DDR4 SDRAM
Η τάση του προϊόντος:1,2V
Ταχύτητα μνήμης RAM:3200 MHz
Πρότυπο RAM:DDR4-3200/PC4-25600
Εγγραφή σφάλματος
Τύπος σήματος:Καταχωρισμένο
Στροβίδας πρόσβασης στη στήλη (CAS):CL22
Κατηγορία:Δύο Κατηγορίες x4
Ποσότητα Πινών:288-πινών
RAM Τύπος: RDIMM

Χαρακτηριστικό τουHMAA8GR7CJR4N-XN
Ηλεκτρική τροφοδοσία: VDD=1.2V (1,14V έως 1,26V)
Διάταξη VDDQ = 1,2V (1,14V έως 1,26V)
VPP- 2,5V (2.375V έως 2,75V)
Διάταξη VDDSPD = 2,25V έως 2,75V
16 εσωτερικές τράπεζες
Ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων: PC4-3200, PC4-2933, 2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4- 1600
Διοικητική εξουσία
8 bit προεπιλογή
Διάρκεια εκρήξεως (BL) διακόπτης on-the-fly BL8 ή BC4 ((Burst Chop)
Υποστηρίζει τη διόρθωση και ανίχνευση σφαλμάτων ECC
Τερματισμός κατά τη διάρκεια της επεξεργασίας (ODT)
Ανιχνευτής θερμοκρασίας με ενσωματωμένο SPD
Υποστηρίζεται η διεύθυνση ανά DRAM
Διατίθεται εσωτερική παραγωγή Vref DQ
Η εγγραφή CRC υποστηρίζεται σε όλα τα επίπεδα ταχύτητας
Υποστηρίζεται DBI (Data Bus Inversion)
Υποστηρίζεται η λειτουργία ισοτιμίας CA (Command/Address Parity)