Το εταιρικό blog για Διακόπτης χαμηλής πλευράς ST VND3NV04TR OMNIFET II™ Series Πλήρως Αυτοπροστατευόμενο MOSFET Ισχύος

Διακόπτης χαμηλής πλευράς STVND3NV04TRΠλήρως αυτοπροστατευμένο Power MOSFET σειράς OMNIFET II™

STVND3NV04TRπαρέχεται απόMingjiada Electronicsείναι μια ισχυρή συσκευή MOSFET που ενσωματώνει προηγμένα χαρακτηριστικά προστασίας. Ανήκει στη σειρά OMNIFET II™ της STMicroelectronics, κατασκευάζεται με τεχνολογία διεργασίας VIPower™ M0-3. Αυτό το VND3NV04TR έχει σχεδιαστεί ειδικά για εφαρμογές που αντικαθιστούν τυπικά MOSFET ισχύος, κατάλληλα για σενάρια λειτουργίας που εκτείνονται στο εύρος συχνοτήτων DC έως 50 kHz.

Λεπτομέρειες περιγραφής προϊόντος
Βασική Αρχιτεκτονική: ΗVND3NV04TRείναι ένα πρόγραμμα οδήγησης χαμηλής πλευράς μονού καναλιού που φιλοξενείται σε πακέτο TO-252-3 (DPAK) με διαμόρφωση 2 απαγωγών συν καρτελών. Αυτός ο πλήρως αυτοπροστατευμένος διακόπτης ισχύος ενσωματώνει πολλαπλά χαρακτηριστικά προστασίας, επιτρέποντας την άμεση αντικατάσταση των συμβατικών MOSFET ισχύος.
Χαρακτηριστικά εισόδου/εξόδου: Το VND3NV04TR διαθέτει αναλογία εισόδου-εξόδου 1:1 με διαμόρφωση εισόδου που δεν αντιστρέφει, χρησιμοποιώντας μια απλή διεπαφή ελέγχου ενεργοποίησης/απενεργοποίησης. Αυτός ο σχεδιασμός εξασφαλίζει συμβατότητα με την τυπική χρήση MOSFET ισχύος, διευκολύνοντας τις απρόσκοπτες αναβαθμίσεις και αντικαταστάσεις σε υπάρχοντα σχέδια.
Διαδικασία τεχνολογίας: Ως κορυφαίο προϊόν της σειράς OMNIFET II, ​​το VND3NV04TR χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία VIPower M0-3 της STMicroelectronics για να προσφέρει μια μονολιθική ολοκληρωμένη λύση έξυπνου διακόπτη ισχύος.

Προδιαγραφές
Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά: ΤοVND3NV04TRυποστηρίζει μέγιστη τάση φορτίου 36V, ονομαστική τάση διάσπασης πηγής αποστράγγισης 40 V, συνεχές ρεύμα αποστράγγισης 3,5Α και όριο ρεύματος αιχμής εξόδου 5Α. Με τυπική αντίσταση ενεργοποίησης 120 mΩ, προσφέρει χαμηλή απαγωγή ισχύος.
Χαρακτηριστικά μεταγωγής: Το VND3NV04TR εμφανίζει χρόνο ενεργοποίησης 1,35μs και χρόνο απενεργοποίησης 10μs, με χρόνους ανόδου και πτώσης στα 250ns. Αυτές οι παράμετροι υποδεικνύουν την καταλληλότητα για εφαρμογές μεταγωγής μεσαίας συχνότητας.
Θερμική απόδοση: Το VND3NV04TR παρέχει μέγιστη απαγωγή ισχύος 35W και λειτουργεί αξιόπιστα εντός εύρους θερμοκρασίας διασταύρωσης από -40°C έως 150°C. Αυτό επιτρέπει την ανάπτυξη σε απαιτητικά επιχειρησιακά περιβάλλοντα.

Χαρακτηριστικά προϊόντος
Ολοκληρωμένη προστασία: ΗVND3NV04TRπροσφέρει ολοκληρωμένη ενσωματωμένη προστασία, συμπεριλαμβανομένου του γραμμικού περιορισμού ρεύματος, της θερμικής απενεργοποίησης, της προστασίας από βραχυκύκλωμα και της ενσωματωμένης σύσφιξης. Αυτά τα χαρακτηριστικά επιτρέπουν στο VND3NV04TR να αντέχει σε απαιτητικές συνθήκες λειτουργίας, ενισχύοντας την αξιοπιστία του συστήματος.
Διαγνωστική ανατροφοδότηση: Το VND3NV04TR διαθέτει την ικανότητα να ανιχνεύει καταστάσεις σφαλμάτων μέσω των ακροδεκτών εισόδου, παρέχοντας λειτουργία διαγνωστικής ανάδρασης. Αυτή η δυνατότητα επιτρέπει την παρακολούθηση της κατάστασης, βελτιώνοντας τη συντηρησιμότητα του συστήματος.
Χαμηλή κατανάλωση ενέργειας σε αναμονή: Το VND3NV04TR εμφανίζει ελάχιστη κατανάλωση ρεύματος εισόδου ακίδας, ενώ ενσωματώνει προστασία ESD, σύμφωνα με τις απαιτήσεις της Ευρωπαϊκής Οδηγίας 2002/95/EC. Αυτά τα χαρακτηριστικά δίνουν ιδιαίτερη έμφαση στην ενεργειακή απόδοση και αξιοπιστία.

Περιοχές Εφαρμογής
Συστήματα Βιομηχανικού Ελέγχου: ΗVND3NV04TRείναι κατάλληλο για οδήγηση βιομηχανικών ωμικών, επαγωγικών και χωρητικών φορτίων, που εφαρμόζεται σε σενάρια όπως η διαχείριση ισχύος και ο έλεγχος κινητήρα. Σε αυτές τις εφαρμογές, οι δυνατότητες προστασίας του VND3NV04TR αποτρέπουν τη ζημιά της συσκευής που προκαλείται από υπερβολικό ρεύμα ή υπερθέρμανση.
Ηλεκτρονικά Αυτοκινήτου: Με το ευρύ φάσμα θερμοκρασιών λειτουργίας από -40°C έως 150°C, το VND3NV04TR είναι κατάλληλο για διαφορετικές εφαρμογές οδήγησης φορτίου σε περιβάλλοντα αυτοκινήτου. Η στιβαρότητά του του δίνει τη δυνατότητα να αντέχει στις απαιτητικές συνθήκες των ηλεκτρονικών αυτοκινήτων.
Αντικατάσταση παραδοσιακών MOSFET: Το VND3NV04TR έχει σχεδιαστεί ειδικά για να αντικαθιστά τυπικά MOSFET ισχύος, προσφέροντας βελτιωμένη αξιοπιστία και ενσωμάτωση, ιδιαίτερα σε εφαρμογές DC έως 50 kHz. Η χρήση του VND3NV04TR απλοποιεί τη σχεδίαση του κυκλώματος και μειώνει τον αριθμό των απαιτούμενων εξωτερικών εξαρτημάτων.

Περίληψη
Ως πλήρως προστατευμένο MOSFET ισχύος στην οικογένεια OMNIFET II™, το STVND3NV04TRενσωματώνει ολοκληρωμένα χαρακτηριστικά προστασίας με εξαιρετικά ηλεκτρικά χαρακτηριστικά, παρέχοντας μια εξαιρετικά αξιόπιστη λύση για εφαρμογές βιομηχανικού ελέγχου και ηλεκτρονικών αυτοκινήτων.

Mingjiada Electronicsδιατηρεί μακροπρόθεσμα την προσφορά τουVND3NV04TRσυσκευή. Για περισσότερες πληροφορίες προϊόντος ή ερωτήσεις δειγμάτων, επισκεφθείτε τον ιστότοπο Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) για να προβάλετε λεπτομέρειες προμήθειας.