Αφήστε ένα μήνυμα
We bellen je snel terug!
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
Παρακαλούμε ελέγξτε το email σας!
Περισσότερες πληροφορίες διευκολύνουν την καλύτερη επικοινωνία.
Υποβλήθηκε με επιτυχία!
We bellen je snel terug!
Αφήστε ένα μήνυμα
We bellen je snel terug!
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
Παρακαλούμε ελέγξτε το email σας!
—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία
—— Λουίς Από τις Ηνωμένες Πολιτείες
—— Ρίτσαρντ από τη Γερμανία
—— Τιμ από τη Μαλαισία
—— Βίνσεντ από τη Ρωσία
—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία
—— Σαμ Από τις Ηνωμένες Πολιτείες
—— Η Λίνα από τη Γερμανία
Η STMicroelectronics εισάγει τα N-κανάλι STripFET F8 power MOSFETs -ΣΤL320N4LF8Αεροπορικό επίπεδο λογικής N-κανάλι 40 V, 0,55 mOhm τυπικό, MOSFET ισχύος STripFET F8 σε πακέτο PowerFLAT 5x6.
ΠεριγραφήΑπόΣΤL320N4LF8
Τα MOSFET ισχύος N-καναλιού διαθέτουν τεχνολογία STripFET F8 με βελτιωμένη δομή τάφρου.
Η εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση του προϊόντος στην κατάσταση λειτουργίας μειώνει την εσωτερική χωρητικότητα και το φορτίο της πύλης για ταχύτερη, πιο αποτελεσματική εναλλαγή.
Παραδείγματα εφαρμογής
ΣΤL320N4LF8N-Channel Enhanced Mode Logic Level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Δυναμικά MOSFET
Κατασκευαστής: STMicroelectronics
Κατηγορία προϊόντων: MOSFET
Οικογένεια: STripFET F8
Τεχνολογία:
Στυλ τοποθέτησης: SMD/SMT
Πολικότητα του τρανζίστορα: N-κανάλι
Αριθμός καναλιών: 1 κανάλι
Vds - τάση διακοπής της πηγής αποχέτευσης: 40 V
Id - Συνεχή ροή αποχέτευσης: 360 A
Rds On - αποχέτευση-πηγή-αντίσταση: 800 uOhms
Vgs - τάση πύλης πύλης: - 20 V, + 20 V
Vgs th - κατώτατη τάση πύλης πύλης: 2 V
Τεχνική ενέργεια:
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: - 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 175 C
Δυναμική διάχυση Pd: 188 W
Τρόπος καναλιού: Ενισχυμένο
Διάγραμμα ορίωνΣΤL320N4LF8
Διαμόρφωση πινΑπόΣΤL320N4LF8