Προμήθεια Μνημών, Προμήθεια Infineon Ferroelectric RAM Memory, NOR Flash Memory, Non-Volatile SRAM Memory, SRAM Memory
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.——Μακροχρόνια προμήθεια μνημών [Infineon], που καλύπτουν μνήμη F-RAM (ferroelectric RAM), μνήμη NOR flash (Flash), μνήμη nvSRAM (non-volatile SRAM), SRAM static random memory και άλλα προϊόντα. Λεπτομέρειες αυτών των προϊόντων εμφανίζονται παρακάτω:
1. Μνήμη F-RAM (Ferroelectric RAM)
Βασικά Πλεονεκτήματα: Μη πτητική εγγραφή υψηλής ταχύτητας, εξαιρετικά μεγάλη διάρκεια ζωής (>10^14 αναγνώσεις/εγγραφές), ταχύτητα εγγραφής μικροδευτερολέπτων, εξαιρετικά χαμηλή κατανάλωση ενέργειας, υψηλή αξιοπιστία.
Τυπικές εφαρμογές: Καταγραφή δεδομένων (μαύρο κουτί, όργανα), βιομηχανικός έλεγχος, ιατρικός εξοπλισμός, έξυπνοι μετρητές, ετικέτες RFID, σενάρια που απαιτούν συχνή και γρήγορη μη πτητική εγγραφή δεδομένων.
Τυπικά μοντέλα που παρέχονται από την Mingjiada:
CY15B104Q: 4-Mbit (512K x 8) Serial (SPI) F-RAM, βιομηχανικής ποιότητας εύρος θερμοκρασίας.
CY15V104Q: 4-Mbit (512K x 8) Serial (SPI) F-RAM, ευρύ φάσμα τάσης (1.71V - 3.6V).
FM28V100: 1-Mbit (128K x 8) parallel F-RAM, διασύνδεση υψηλής ταχύτητας. 2.
2. Μνήμη NOR Flash
Βασικά Πλεονεκτήματα: Τυχαία ανάγνωση υψηλής ταχύτητας (υποστήριξη XIP), υψηλή αξιοπιστία, μεγάλη διατήρηση δεδομένων, εύκολη ενσωμάτωση.
Τυπικές εφαρμογές: Αποθήκευση κώδικα σε ηλεκτρονικά αυτοκινήτων (ταμπλό, ADAS), βιομηχανικός έλεγχος, συσκευές δικτύωσης, συσκευές IoT, ηλεκτρονικά καταναλωτικά προϊόντα (set-top boxes, routers), φορητές συσκευές.
Η Mingjiada παρέχει τυπικά μοντέλα:
S25FL128L: 128-Mbit SPI NOR Flash, υψηλή απόδοση, υποστήριξη Quad SPI, πιστοποιημένο για αυτοκίνητα.
S70GL01GT: 1-Gbit (128M x 8) parallel NOR Flash, λειτουργία ανάγνωσης/εγγραφής υψηλής ταχύτητας.
S25HS512T: 512-Mbit SPI NOR Flash (Octal SPI), εξαιρετικά υψηλός ρυθμός μεταφοράς δεδομένων.
3. nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Βασικά Πλεονεκτήματα: Ταχύτητα επιπέδου SRAM (χωρίς καθυστέρηση εγγραφής), απεριόριστες αναγνώσεις και εγγραφές, αυτόματη προστασία δεδομένων (διατήρηση χιλιοστών του δευτερολέπτου), μεγάλη διατήρηση δεδομένων (>20 χρόνια) και υψηλή αντοχή (>10^6 διατηρήσεις).
Τυπικές εφαρμογές: Κρυφή μνήμη δεδομένων υψηλής ταχύτητας, αποθήκευση κρίσιμων δεδομένων (οικονομικές συναλλαγές, βιομηχανικός έλεγχος), μη πτητική αποθήκευση που απαιτεί μηδενική καθυστέρηση εγγραφής, αποθήκευση διαμόρφωσης για συσκευές με μπαταρία (δεν απαιτούνται μπαταρίες).
Τυπικά μοντέλα που παρέχονται από την Mingjiada:
CY14B101NA: 1-Mbit (128K x 8) parallel nvSRAM, ασύγχρονη διασύνδεση υψηλής ταχύτητας.
CY14E101Q: 1-Mbit (128K x 8) Serial (SPI) nvSRAM, εξοικονόμηση ακίδων.
CY14V101QS: 1-Mbit (128K x 8) Serial (SPI) nvSRAM, Ευρύ φάσμα τάσης.
4. SRAM Static Random Memory
Βασικά Πλεονεκτήματα: Πρόσβαση εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας, μηδενική επιβάρυνση ανανέωσης, απλή διασύνδεση, εύκολο στη χρήση.
Τυπικές εφαρμογές: Cache (CPU L1/L2/L3 Cache), Network Processor Buffer, High Speed Data Acquisition, FPGA Configuration Memory, Critical Registers που απαιτούν εξαιρετικά χαμηλή καθυστέρηση και ντετερμινισμό, Battery Powered RAMs (λαμβάνοντας υπόψη την κατανάλωση ενέργειας).
Τυπικά μοντέλα που παρέχονται από την Mingjiada:
CY62167EV30: 16-Mbit (1M x 16 / 2M x 8) high-speed asynchronous low-power SRAM.
CY14X101KA: Μέλος της οικογένειας Low-power (LP) SRAM (π.χ. 1Mb, 4Mb) βελτιστοποιημένο για εφαρμογές με μπαταρία. βελτιστοποιημένο για εφαρμογές με μπαταρία.
Υπηρεσία Mingjiada: Παρέχει διασφάλιση ποιότητας, υποστηρίζει προμήθειες μικρών παρτίδων και προσαρμοσμένη επιλογή.
Πλεονέκτημα Εφοδιαστικής Αλυσίδας: Το απόθεμα ηλεκτρονικών Mingjiaoda καλύπτει τα κύρια μοντέλα και υποστηρίζει γρήγορη παράδοση.
Διεύθυνση URL εταιρείας: https://www.integrated-ic.com/
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sales Manager
Τηλ.:: 86-13410018555
Φαξ: 86-0755-83957753