Το εταιρικό blog για Εφοδιαστική μνήμη IC (4Gb) IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης

Η Mingjiada Corporation προμηθεύει και αποκτά Μνήμη IC IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz

Πρότυπο προσφοράς και ζήτησης: IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI

Τμήμα: Νέο

Πακέτο: 134-TFBGA, 168-VFBGA

Μακροπρόθεσμη ανακύκλωση μετρητών υψηλής τιμής προσωπικό και εργοστασιακό απόθεμα ηλεκτρονικών εξαρτημάτων, ανακύκλωση μόνο από επίσημες πηγές, όπως πράκτορες, εμπόροι, εργοστάσια τερματικών.

Περιγραφή του προϊόντος

Η IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI είναι 4Gbit CMOS LPDDR2 DRAMs. Η συσκευή αποτελείται από οκτώ ομάδες λέξεων 32 bit 16 megabyte.Αυτό το προϊόν χρησιμοποιεί μια αρχιτεκτονική διπλής ταχύτητας δεδομένων για την επίτευξη λειτουργίας υψηλής ταχύτηταςΗ διπλή αρχιτεκτονική ταχύτητας δεδομένων είναι ουσιαστικά μια αρχιτεκτονική 4N prefetch με μια διεπαφή που έχει σχεδιαστεί για τη μεταφορά δύο λέξεων δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού στις πινές I/O.Παρέχει λειτουργία που είναι πλήρως συγχρονισμένη με τις ανερχόμενες και μειούμενες άκρες του ρολογιούΗ διαδρομή δεδομένων είναι εσωτερικά διαπερασμένη και προεπιλεγμένη σε 4n-bit για να επιτευχθεί πολύ υψηλό εύρος ζώνης.

Χαρακτηριστικά του προϊόντος

Τύπος μνήμης: Αλλακτικός

Φόρμα μνήμης: DRAM

Τεχνολογία: SDRAM - κινητή LPDDR2-S4

Μνήμη: 4Gb

Οργάνωση μνήμης: 128M x 32

Διασύνδεση μνήμης: HSUL_12

Συχνότητα ρολογιού: 533 MHz

Χρόνος κύκλου γραφής - λέξη, σελίδα: 15ns

Χρόνος πρόσβασης: 5,5 ns

Η τάση - τροφοδοσία: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V

Θερμοκρασία λειτουργίας: -40 °C ~ 85 °C (TC)

Τύπος τοποθέτησης: επιφανειακή τοποθέτηση

Για κάθε πλεόνασμα αποθεμάτων που θα διατεθεί, παρακαλούμε επικοινωνήστε με τον κ. Τσεν μέσω τηλεφώνου:

Τηλέφωνο: +86 13410018555

Ε-mail: sales@hkmjd.com

Αρχική διεύθυνση:www.hkmjd.com