Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. προμηθεύει MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N κανάλι 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-DSO-20-87
Κατασκευαστής: Infineon Technologies
Σειρά: CoolGaNTM
Τύπος FET: N-Channel
Τεχνολογία: GaNFET (νιτρικό γάλλιο)
Η τάση της πηγής αποχέτευσης (Vdss): 600 V
ρεύμα σε 25°C - συνεχής αποστράγγιση (Id): 31A (Tc)
Vgs(th) (μέγιστος) σε διαφορετικές Id: 1,6V @ 2,6mA
Vgs(th) (μέγιστο): 1,6V @ 2,6mA σε διάφορες Id's
Η χωρητικότητα εισόδου (Ciss) σε διαφορετικά Vds (μέγιστο): 380 pF @ 400 V
Δυναμική διάχυση (μέγιστη): 125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας: -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης: επιφανειακή τοποθέτηση
Πακέτο συσκευής προμηθευτή: PG-DSO-20-87
Πακέτο/Κουτί: 20-PowerSOIC (0,433", 11,00mm πλάτος)
Εισαγωγή
Οι εφαρμογές-στόχοι της οικογένειας προϊόντων CoolGaN απαιτούν βελτιωμένες (κανονικά απενεργοποιημένες) συσκευές HEMT,που προσφέρουν μεγαλύτερα πλεονεκτήματα σε τυπικές εφαρμογές μετατροπής ισχύος επειδή απαιτούν λιγότερη ισχύ για να λειτουργήσουνΤα περισσότερα από τα επιχειρησιακά πλεονεκτήματα των συσκευών HEMT CoolGaN προέρχονται από την ικανότητά τους να αλλάζουν ταχύτητες σε εξαιρετικά υψηλές συχνότητες.αλλά αυτό είναι ένα χαρακτηριστικό που μπορεί να επηρεαστεί από την παρασιτική αντοχή των οδηγών συσκευασίαςΓια το λόγο αυτό, οι συσκευές CoolGaN συσκευάζονται χρησιμοποιώντας τεχνολογία SMD (επιφανειακή συσκευή τοποθέτησης) αντί συσκευασίας με τρύπα.
Η τεχνολογία CoolGaN επιτρέπει την ενσωμάτωση διόδων προστασίας ESD χρησιμοποιώντας "την ίδια διαδικασία κατασκευής με τα τρανζίστορα HEMT".Τα στρώματα GaN και AlGaN λαμβάνονται με επιταξιακή εναπόθεση σε υπόστρωμα πυριτίουΤα αναβαθμισμένα τρανζίστορα GaN έχουν p-HEMT δομή.
Αν ενδιαφέρεστε, παρακαλούμε επικοινωνήστε με τον κ. Τσεν τηλεφωνικά:
Τηλέφωνο: +86 13410018555
Ε-mail: sales@hkmjd.com
Ιστοσελίδα της εταιρείας:www.hkmjd.com
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sales Manager
Τηλ.:: 86-13410018555
Φαξ: 86-0755-83957753