Το εταιρικό blog για Εφοδιασμός σε μονάδες ισχύος: μονάδες IGBT, μονάδες MOSFET, έξυπνες μονάδες ισχύος, μονάδες SiC

Εφοδιασμός σε μονάδες ισχύος: μονάδες IGBT, μονάδες MOSFET, έξυπνες μονάδες ισχύος, μονάδες SiC

Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.είναι επαγγελματίας προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων, ο οποίος ακολουθεί τον σκοπό της "υπηρεσίας των πελατών, προς όφελος των πελατών",μέσω της συνεχούς βελτιστοποίησης της διαχείρισης της εφοδιαστικής αλυσίδας και της επέκτασης των γραμμών προϊόντων, έχει εξελιχθεί σε παγκόσμια επιχείρηση αναφοράς στον τομέα της διανομής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.

Κύρια προϊόντα5G τσιπ, IC νέας ενέργειας, IC IoT, IC Bluetooth, IC τηλεματικής, IC αυτοκινήτου, IC επικοινωνίας, IC τεχνητής νοημοσύνης, IC μνήμης, IC αισθητήρα, IC μικροελεγκτή, IC δέκτη, IC Ethernet,Τσιπάκια WiFi, ασύρματες μονάδες επικοινωνίας, συνδέσμους και άλλα ηλεκτρονικά εξαρτήματα

Πλεονέκτημα προμήθειας

Μεγάλο σύστημα αποθέματος: η εταιρεία διαθέτει περισσότερα από 2 εκατομμύρια είδη αποθέματος πλεονεκτικών μοντέλων, που καλύπτουν στρατιωτική, βιομηχανική,επικοινωνίες και όλα τα είδη υψηλής τεχνολογίας συστατικών ψυχρών και θερμών, μπορεί να ανταποκριθεί γρήγορα στις επείγουσες ανάγκες των πελατών, να συντομεύσει σημαντικά τον κύκλο έρευνας και ανάπτυξης και παραγωγής του πελάτη.

Απαραίτητη διασφάλιση ποιότητας: όλα τα εξαρτήματα που παρέχονται προέρχονται από αρχικούς κατασκευαστές ή από εγκεκριμένα κανάλια, παρέχοντας πλήρη ιχνηλασιμότητα των παρτίδων και υπηρεσίες εγγύησης.Η εταιρεία εφαρμόζει αυστηρά το ISO9001:2014 σύστημα διαχείρισης ποιότητας για τη διασφάλιση της αξιοπιστίας και της συνέπειας κάθε προϊόντος.

Αποτελεσματικό δίκτυο εφοδιασμού: Με υποκαταστήματα και συνεργάτες εφοδιασμού σε όλο τον κόσμο, είμαστε σε θέση να επιτύχουμε γρήγορη παράδοση 1-3 ημερών και να υποστηρίξουμε ευέλικτο μοντέλο προμήθειας τόσο μικρό όσο 1 κομμάτι.Αυτή η αποτελεσματική ικανότητα της αλυσίδας εφοδιασμού είναι ιδιαίτερα κατάλληλη για τις απαιτήσεις μικρών παρτίδων στη φάση Ε&Α και για την επείγουσα επεξεργασία παραγγελιών.

Μονούλες IGBT: ο τέλειος συνδυασμός υψηλής πυκνότητας ισχύος και αξιοπιστίας

Οι ενότητες μονωμένων διπολικών τρανζίστορ (IGBT), ως οι βασικές συσκευές των σύγχρονων ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος, κυριαρχούν στον τομέα των εφαρμογών μεσαίας έως υψηλής ισχύος.Οι μονάδες IGBT της ON είναι γνωστές για τις χαμηλές απώλειές τους, υψηλή συχνότητα διακόπτη και ισχυρή ανθεκτικότητα, και χρησιμοποιούνται ευρέως σε βασικούς εξοπλισμούς όπως κινητήρες ηλεκτρικών κινητήρων, φωτοβολταϊκούς μετατροπείς, αδιάκοπες πηγές ρεύματος (UPS),και βιομηχανικοί μετατροπείς συχνοτήτωνΟι ενότητες αυτές χρησιμοποιούν προηγμένη τεχνολογία Trench Field Stop για την επίτευξη μιας βέλτιστης ισορροπίας μεταξύ των απωλειών αγωγής και διασύνδεσης, βελτιώνοντας σημαντικά τη συνολική αποτελεσματικότητα του συστήματος.

Τα τεχνικά πλεονεκτήματα της μονάδας ON IGBT αντανακλούνται κυρίως σε τρεις πτυχές: πρώτον, υιοθετεί μια εκλεπτυσμένη δομή τρύπας,που μειώνει σημαντικά την πτώση τάσης σε κατάσταση ενεργοποίησης (VCE(sat)) και μειώνει την απώλεια ισχύος στην κατάσταση ενεργοποίησηςΔεύτερον, ο βελτιστοποιημένος σχεδιασμός του στρώματος τερματισμού πεδίου επιτρέπει στην μονάδα να έχει ταχύτερη ταχύτητα διασύνδεσης και χαμηλότερη απώλεια διασύνδεσης, η οποία είναι κατάλληλη για σενάρια εφαρμογής υψηλής συχνότητας.και τέλος, η ενότητα ενσωματώνει εσωτερικό αισθητήρα θερμοκρασίας και λειτουργία ανίχνευσης ρεύματος, γεγονός που διευκολύνει την υλοποίηση της συνολικής απόδοσης του συστήματος.Οι ενότητες IGBT είναι διαθέσιμες σε τάσεις από 600V έως 1700V και σε ισχύ από 30A έως εκατοντάδες άμπερες για την κάλυψη των αναγκών εφαρμογών σε διαφορετικά επίπεδα ισχύος.

Μονούλες MOSFET: Ιδανικές για μετατροπή υψηλής ταχύτητας και υψηλής απόδοσης

Οι ενότητες μεταλλικών οξειδίων-ημιαγωγών (MOSFET) αποδεικνύουν μοναδικά πλεονεκτήματα σε εφαρμογές μετατροπής υψηλής συχνότητας.ηλεκτρονικά οχήματα, και βιομηχανικά συστήματα ελέγχου λόγω των εξαιρετικών επιδόσεων εναλλαγής και των χαμηλών χαρακτηριστικών αντίστασης.η αρθρωτή συσκευασία παρέχει υψηλότερη πυκνότητα ισχύος, βελτιωμένη θερμική απόδοση και απλοποιημένος σχεδιασμός συστήματος, ο οποίος είναι ιδιαίτερα κατάλληλος για σενάρια εφαρμογής μεσαίας έως υψηλής ισχύος.

Τα τεχνικά χαρακτηριστικά της μονάδας ON MOSFET αντανακλούνται κυρίως σε τέσσερις πτυχές:η μονάδα MOSFET με τεχνολογία Super Junction (Super Junction) επιτυγχάνει πολύ χαμηλή αντίσταση ανάφλεξης (RDS(on)) σε εφαρμογές υψηλής τάσης, η οποία μειώνει σημαντικά τις απώλειες αγωγιμότητας.η ενότητα ενσωματώνει πολλά τσιπ MOSFET στο εσωτερικό, η οποία μπορεί να υποστηρίξει διάφορες τοπολογίες, όπως πλήρη γέφυρα, μισή γέφυρα και έξι ομάδες· τέλος, η προηγμένη τεχνολογία συσκευασίας εξασφαλίζει καλή θερμική αγωγιμότητα,που επιτρέπει στη μονάδα να λειτουργεί σταθερά σε περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίαςΤο επίπεδο τάσης της μονάδας MOSFET καλύπτει 40V έως 900V, το οποίο καλύπτει τις διαφοροποιημένες ανάγκες από μετατροπέα χαμηλής τάσης DC-DC σε σύστημα παροχής ενέργειας υψηλής τάσης.

Τεχνικές μονάδες ισχύος (IPM): Η τέλεια ενσάρκωση της ολοκλήρωσης και της υψηλής αξιοπιστίας

Τα προϊόντα IPM της ON ενσωματώνουν συσκευές υψηλής τάσης, κυκλώματα κίνησης πύλης,και λειτουργίες προστασίας σε μία συσκευασία, που απλοποιεί δραματικά το σχεδιασμό του συστήματος και βελτιώνει την αξιοπιστία.Αυτές οι ενότητες προσφέρουν ένα ευρύ φάσμα ονομαστικής ισχύος από 50W έως 10kW, και υποστηρίζουν μια ποικιλία τοπολογιών, όπως μετατροπείς τριών φάσεων, PFC (Διορθώσεις συντελεστή ισχύος) και ευθυγραμμιστές γέφυρας εισόδου.

Τα βασικά πλεονεκτήματα του ON IPM αντανακλούνται κυρίως σε τέσσερις πτυχές: πρώτον, ο υψηλά ολοκληρωμένος σχεδιασμός μειώνει τον αριθμό των εξωτερικών συστατικών στοιχείων και την περιοχή PCB, μειώνοντας την πολυπλοκότητα του συστήματος και το κόστος;δεύτερον, το ενσωματωμένο κύκλωμα οδηγού βελτιστοποιεί τα χαρακτηριστικά διακόπτη των συσκευών ισχύος, μειώνοντας παράλληλα τις ηλεκτρομαγνητικές παρεμβολές (EMI) · τρίτον,τις ολοκληρωμένες λειτουργίες προστασίας (συμπεριλαμβανομένης της υπερεύματοςΗ σειρά προϊόντων IPM καλύπτει εφαρμογές χαμηλής και μεσαίας τάσης έως και 600V.με ισχύ που κυμαίνεται από λίγες έως δεκάδες άμπερες για την κάλυψη των αναγκών διαφόρων επιπέδων ισχύος.

Μονάδα Καρβιδίου Σιλικίου (SiC): Ένα τεχνολογικό σημείο αναφοράς για συσκευές ηλεκτρικής ενέργειας επόμενης γενιάς

Οι μονάδες ισχύος από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) αντιπροσωπεύουν την πρωτοποριακή κατεύθυνση ανάπτυξης της τεχνολογίας ημιαγωγών ισχύος.Οι μονάδες SiC της ON χρησιμοποιούν το υλικό ημιαγωγών τρίτης γενιάς καρβίδιο του πυριτίου (SiC) ως βασική συσκευή, το οποίο έχει σημαντικά πλεονεκτήματα, όπως αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, χαρακτηριστικά υψηλής συχνότητας και χαμηλή απώλεια αγωγιμότητας,και οδηγεί την αναβάθμιση των τεχνολογικών τομέων όπως τα ηλεκτρικά οχήματαΣε σύγκριση με τις παραδοσιακές συσκευές ισχύος που βασίζονται στο πυρίτιο, ηΟι μονάδες SiC μπορούν να αυξήσουν την αποδοτικότητα του συστήματος κατά 3-5% και να μειώσουν την κατανάλωση ενέργειας κατά περισσότερο από 30%, ενώ μειώνουν σημαντικά το μέγεθος και το βάρος του συστήματος, καθιστώντας τους μια ιδανική λύση για την αντιμετώπιση των προκλήσεων της ενεργειακής απόδοσης και της πυκνότητας ισχύος.

Τα τεχνικά πλεονεκτήματα των μονάδων ON SiC αντανακλούνται κυρίως σε πέντε πτυχές:η υψηλή ένταση ηλεκτρικού πεδίου κρίσιμης διάσπασης του υλικού SiC επιτρέπει στη συσκευή να λειτουργεί σε υψηλότερες τάσεις, μειώνοντας παράλληλα το πάχος της περιοχής της παρασύνθεσης, η οποία μειώνει την αντίσταση ανάφλεξης. Δεύτερον, η απαγορευμένη ιδιότητα του SiC (3,26eV) σε ευρύτατο εύρος ζώνης επιτρέπει στη συσκευή να λειτουργεί σε υψηλότερες θερμοκρασίες (πάνω από 200°C),που μειώνει την πολυπλοκότητα του συστήματος διάσπασης θερμότηταςΤρίτον, οι συσκευές SiC δεν έχουν ουσιαστικά αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης, μειώνοντας δραματικά τις απώλειες διακόπτη και επιτρέποντας λειτουργία υψηλότερης συχνότητας.Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα (περίπου τρεις φορές μεγαλύτερη από αυτή του πυριτίου) βελτιώνει την πυκνότητα ισχύος και επιτρέπει ένα πιο συμπαγές σύστημα· και, τέλος, η βελτιωμένη συνολική απόδοση του συστήματος μειώνει την κατανάλωση ενέργειας και τις απαιτήσεις διάσπασης θερμότητας, με αποτέλεσμα έναν θετικό κύκλο.καθαρές μονάδες SiC και υβριδικές μονάδες Si/SiCΤα επίπεδα τάσης είναι κυρίως 1200V και 1700V για την κάλυψη των αναγκών των εφαρμογών υψηλής τάσης.