Το εταιρικό blog για Εφοδιασμός STMicroelectronics Power Transistors STL33N60DM2 MOSFET N-Channel 600 V, 0.115 Ωμ Τύπος.

Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd προμηθεύει STMicroelectronics STL33N60DM2 N-channel FDmesh II PlusTM Power MOSFETs, ολοκαίνουργια και πρωτότυπη, διασφάλιση ποιότητας!

Αριθμός μοντέλου: STL33N60DM2

Σειρά: MDmeshTM DM2

Κατάσταση του προϊόντος: σε πώληση

Τύπος FET: N-Channel

Τεχνολογία: MOSFET (οξείδιο μετάλλου)

Η τάση της πηγής αποχέτευσης (Vdss): 600 V

ρεύμα σε 25°C - συνεχής αποστράγγιση (Id): 21A (Tc)

Η τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Αντίσταση ενεργοποίησης (μέγιστη) σε διαφορετικές Id, Vgs: 140 mOhm @ 10,5A, 10V

Vgs(th) σε διαφορετικά Id (μέγιστο): 5V @ 250μA

Τεχνική διάταξη για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας

Vgs (μέγιστο): ±25V

Η χωρητικότητα εισόδου (Ciss) σε διάφορα Vds (μέγιστο): 1870 pF @ 100 V

Δυναμική διάσπαση (μέγιστη): 150W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας: -55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης: επιφανειακή τοποθέτηση

Πακέτο συσκευής προμηθευτή: PowerFlatTM (8x8) HV

Πακέτο/οικισμός: 8-PowerVDFN

Εισαγωγή

Η σειρά MDmesh DM2 της ST είναι η νεότερη οικογένεια διόδων ταχείας ανάκτησης της ST, MOSFET ισχύος 600V, ειδικά κατάλληλη για τοπολογίες γέφυρας μετατόπισης φάσης ZVS. Έχουν πολύ μικρό φορτίο ανάκτησης και χρόνο (Qrr,Η υψηλή ισχύς dV/dt (40V/ns) εξασφαλίζει μεγαλύτερη αξιοπιστία του συστήματος.

Χαρακτηριστικά

• Χαμηλό φορτίο πύλης και χωρητικότητα εισόδου
• Λιγότερη έκταση RDS ((on) x σε σχέση με την προηγούμενη γενιά
• Χαμηλή αντίσταση εισόδου πύλης
• Μηχανοκίνητα οχήματα
• 100% δοκιμή χιονοστιβάδας
• Προστατευμένο από Zener
• Υψηλή ικανότητα dv/dt και χιονοστιβάδας

Για περαιτέρω πληροφορίες, επικοινωνήστε με τον κ. Chen τηλεφωνικά:

Τηλέφωνο: +86 13410018555

Ε-mail: sales@hkmjd.com

Ιστοσελίδα:www.hkmjd.com