Το εταιρικό blog για Προμήθεια προϊόντων πυριτίου καρβιδίου WeEn: Δίοδος SiC, MOSFET SiC, Μονάδα ισχύος SiC

Προμήθεια Ενα προϊόν από καρβίδιο του πυριτίου:Διοδίος SiC, MOSFET SiC,Μονάδα ισχύος SiC

Η εταιρεία Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,Ως κορυφαίος προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων στην Κίνα, τηρεί την αρχή της ποιότητας πρώτα, επικεντρωμένης στον πελάτη,∙ συνεχής βελτίωση της ποιότητας των προϊόντων και των προτύπων παροχής υπηρεσιών για την παροχή υπηρεσιών προμήθειας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων υψηλής ποιότητας σε αυξανόμενο αριθμό πελατών.

Τα κύρια προϊόντα περιλαμβάνουν:5G τσιπ, IC νέας ενέργειας, IC IoT, IC Bluetooth, IC δικτύωσης οχημάτων, IC αυτοκινήτων, IC επικοινωνιών, IC τεχνητής νοημοσύνης, IC μνήμης, IC αισθητήρων, IC μικροελεγκτών,διακυμάντες δέκτη-παραγωγού, διακυμάντες διασύνδεσης Ethernet, τσιπ WiFi, ενότητες ασύρματης επικοινωνίας, συνδέσμους και άλλα ηλεκτρονικά εξαρτήματα.

Καρβίδιο πυριτίου

Το καρβίδιο του πυριτίου (SiC) είναι ένα ευρέως χρησιμοποιούμενο υλικό ημιαγωγών για συστατικά ισχύος μεσαίας έως υψηλής τάσης.

Δίοδοι SiC

Οι διόδοι WeEn-semi SiC προσφέρουν πλατφόρμες 650V και 1200V, με μικρό μέγεθος τσιπ και λεπτή πλάκα 150um για να παρέχουν την καλύτερη ανταγωνιστικότητα προϊόντος στην κατηγορία τους.Το WeEn Gen-6 SiC SBD βελτιστοποιεί την αναλογία της επαφής Schottky προς την περιοχή διασταύρωσης PN για την επίτευξη εξαιρετικά χαμηλών Vf (τυπικό 1.26V) και παρέχει εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση σε κατάσταση λειτουργίας μέσω της βελτιστοποίησης της συγκέντρωσης ντόπινγκ του στρώματος EPi και της αραίωσης της πλάκας.Η καινοτόμος δομή MPS της WeEn αυξάνει προφανώς την τρέχουσα ικανότηταΗ προηγμένη τεχνολογία γκ-σίντερ δημιουργεί τον τέλειο συνδυασμό απόδοσης και αξιοπιστίας.

SiC MOSFETs

SiC MOSFET Το WeEn-semi's Gen-2 planar gate silicon carbide MOSFET που αντιπροσωπεύεται από 12mΩ/1200V στον σχεδιασμό πλακιδίων, με τη βελτιστοποίηση των βασικών παραμέτρων όπως το πλάτος JFET και το πλάτος της περιοχής επαφής της πηγής,χρησιμοποιώντας μικρότερο μέγεθος κυττάρων, σε συνδυασμό με την προηγμένη τεχνολογία αραίωσης κυψελών SiC

Μονάδα ισχύος SiC

Τα προϊόντα μονάδων ισχύος καρβιδίου πυριτίου της WeEn περιλαμβάνουν μονάδες PressFit με τοπολογίες μισής γέφυρας και πλήρους γέφυρας, καθώς και λύσεις σε επίπεδο συστήματος με ενσωματωμένους έξυπνους οδηγούς.Αυτές οι ενότητες ενσωματώνουν πολλά τσιπ SiC σε ένα βελτιστοποιημένο πακέτο, αξιοποιώντας πλήρως τα πλεονεκτήματα της υψηλής συχνότητας και της υψηλής απόδοσης του υλικού καρβιδίου του πυριτίου, απλοποιώντας παράλληλα τον σχεδιασμό του συστήματος του πελάτη.