Το εταιρικό blog για TI TPS53830RWZR Ενσωματωμένος ψηφιακός μετατροπέας βήματος προς τα κάτω για παροχή ενέργειας DDR5 σε DIMM

ΤΙTPS53830RWZRΕνσωματωμένος ψηφιακός μετατροπέας βήματος προς τα κάτω για παροχή ενέργειας DDR5 σε DIMM

Περιγραφή του προϊόντοςTPS53830RWZR
TPS53830RWZRείναι ενσωματωμένος μετατροπέας D-CAP+TM για ενεργειακή τροφοδοσία DDR5 σε DIMM.TPS53830RWZRπαρέχει τάσεις VDD, VDDQ και VPP στα τσιπ DRAM της μονάδας DIMM με δυνατότητα ρυθμιζόμενου ρεύματος.Η σιδηροδρομική γραμμή υψηλού ρεύματος μπορεί να ρυθμιστεί σε 2 φάσεις ή 2 εξόδους για την παροχή ρεύματος έως 12 A (ή 6 A + 6 A) με έλεγχο λειτουργίας D-CAP+TM. τοTPS53830RWZRΟ μετατροπέας χρησιμοποιεί επίσης εσωτερική αντιστάθμιση για ευκολία χρήσης και μείωση των εξωτερικών συστατικών.

ΗTPS53830RWZRμετατροπέας παρέχει ένα πλήρες σύνολο τηλεμετρίας, συμπεριλαμβανομένης της τάσης εισόδου, της τάσης εξόδου και του ρεύματος εξόδου. υπερτάσεις, υποτάσεις, όρια υπερτάσεων,και προστασία από υπερθερμοκρασία παρέχονται επίσης.

TPS53830RWZRείναι συσκευασμένο σε θερμικά ενισχυμένο 35pin QFN και λειτουργεί από -40°C έως +125°C.

ΠροδιαγραφήTPS53830RWZR
Αριθμός μέρους:TPS53830RWZR
ρεύμα εξόδου:6 A
Η τάση εισόδου - Max:15 V
Η τάση εισόδου - Min:4.5 V
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:- 40 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: + 105 C
Πεδίο τάσης εισόδου:4.5 V έως 15 V

ΧαρακτηριστικάTPS53830RWZR
Σχεδιασμός με μονό πυρίτιο για υποστήριξη εφαρμογών DDR5
3 εξόδους για την παροχή VDD (1.1V), VDDQ (1.1V) και VPP (1.8V), με προαιρετική 4η έξοδο (VDD2)
Για 3 εξόδους, 12 A για VDD ((SWA διπλής φάσης), 6 A για VDDQ ((SWC) και 5 A για VPP ((SWD) με 3 εξόδους
Για 4 εξόδους, 6 A για VDD1 ((SWA), 6 A για VDD2 ((SWB), 6 A για VDDQ ((SWC) και 5 A για VPP ((SWD)
Διαφορετική τηλεαισθητική: VDD, VDDQ και VPP
Ελέγχος D-CAP+TM για ταχεία παροδική απόκριση
Ευρεία τάση εισόδου: 4,5 V έως 15 V
Προγραμματισμένη εσωτερική αντιστάθμιση βρόχου
Περιορισμός ρεύματος ανά κύκλο φάσης-ανά κύκλο
Προγραμματισμένη συχνότητα: 500 kHz έως 1,375 MHz
Υποστήριξη I2C και I3C Bus Interface για τηλεμετρία τάσης, ρεύματος, ισχύος, θερμοκρασίας και συνθηκών σφάλματος
Προστασία από υπερστροφή, υπερφόρτιση και υπερθερμοκρασία
Ειδικότητα μόνιμου μητρώου (μαύρο κουτί)
Χαμηλό ρεύμα ακινησίας
5 mm × 5 mm, 35 πιν, QFN PowerPadTM Package

ΕφαρμογέςTPS53830RWZR
Δίπλωμα ηλεκτρικής ενέργειας DDR5 για διακομιστή

ΠλεονεκτήματαTPS53830RWZR

Υψηλή αποδοτικότητα
ΗTPS53830RWZRδιαθέτει σχεδιασμό συγχρονισμένου καλαμποκιού με υψηλή απόδοση μετατροπής και μειωμένη απώλεια ενέργειας για εφαρμογές που απαιτούν υψηλή απόδοση.

Ευρύ εύρος τάσης εισόδου
ΗTPS53830RWZRέχει ευρύ φάσμα τάσης εισόδου, γεγονός που το καθιστά κατάλληλο για ένα ευρύ φάσμα περιβάλλοντων τροφοδοσίας με υψηλή ευελιξία.

Υψηλό ρεύμα εξόδου
ΗTPS53830RWZRυποστηρίζει υψηλό ρεύμα εξόδου για να ανταποκρίνεται στις απαιτήσεις υψηλής ισχύος και είναι κατάλληλο για εφαρμογές υψηλού φορτίου.

Υψηλή ολοκλήρωση
ΗTPS53830RWZRέχει ενσωματωμένα MOSFET και ελεγκτές για να απλοποιήσει το σχεδιασμό και να μειώσει τα εξωτερικά στοιχεία, εξοικονομώντας χώρο και κόστος.

Εξαιρετική θερμική απόδοση
TPS53830RWZRυιοθετεί θερμικά ενισχυμένη συσκευασία με καλή θερμική απόδοση, κατάλληλη για περιβάλλον υψηλών θερμοκρασιών.

Συνολικές λειτουργίες προστασίας
TPS53830RWZRπαρέχει πολλαπλές προστασίες, όπως υπερεύματα, υπερεύματα, υπερεύματα και υπερύματα για την ενίσχυση της αξιοπιστίας του συστήματος.

Ευέλικτος σχεδιασμός
TPS53830RWZRυποστηρίζει ρυθμιζόμενη τάση εξόδου και συχνότητα για να ανταποκρίνεται σε διαφορετικές απαιτήσεις σχεδιασμού.

Μικρομεγέθη συσκευασίας
ΗTPS53830RWZRδιατίθεται σε συμπαγή συσκευασία για εφαρμογές περιορισμένου χώρου.

Χαμηλό ρεύμα ακινησίας
Το χαμηλό ακινητό ρεύμα είναι κατάλληλο για συσκευές που λειτουργούν με μπαταρία, παρατείνοντας τη διάρκεια ζωής της μπαταρίας τουTPS53830RWZR.

Συμμόρφωση με τα περιβαλλοντικά πρότυπα
TPS53830RWZRανταποκρίνεται στα πρότυπα RoHS και άλλα περιβαλλοντικά πρότυπα για την κάλυψη των περιβαλλοντικών απαιτήσεων των σύγχρονων ηλεκτρονικών προϊόντων.

Απλοποιημένη εφαρμογήTPS53830RWZR