Name: MOSFET TO247 τάφρων κρυσταλλολυχνιών 14mohm SIC FET ολοκληρωμένου κυκλώματος 1200V Gan IMZA120R014M1HXKSA1 GaN
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IMZA120R014M1HXKSA1
Availability: InStock

Τόπος καταγωγής:

ΣΟ

Μάρκα:

Original Factory

Πιστοποίηση:

Lead free / RoHS Compliant

Αριθμό μοντέλου:

IMZA120R014M1HXKSA1

Ποσότητα παραγγελίας min:

Τιμή:

Contact for Sample

Συσκευασία λεπτομέρειες:

Αρχικό εργοστάσιο

Χρόνος παράδοσης:

5-8 ημέρες εργασίας

Όροι πληρωμής:

T/T, L/C, Western Union

Τύπος FET:

N-Channel

Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss):

1200 Β

Vgs (Max):

+20V, -5V

Διασκεδασμός δύναμης (Max):

455W (TC)

Λειτουργούσα θερμοκρασία:

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τοποθετώντας τύπος:

Μέσω της τρύπας

Συσκευασία/περίπτωση:

-247-4

Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω):

15V, 18V

Επισημαίνω:

Ολοκληρωμένο κύκλωμα IMZA120R014M1HXKSA1 GaN

Ολοκληρωμένο κύκλωμα 1200V GaN

Κρυσταλλολυχνία 14 FET Gan mohm

MOSFET TO247 τάφρων κρυσταλλολυχνιών IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SIC συσκευασία

Το CoolSiC™ 1200 Β, MOSFET 14 mΩ SIC στη συσκευασία to247-4 στηρίζεται σε μια διαδικασία ημιαγωγών τάφρων κατάστασης προόδου που βελτιστοποιείται για να συνδυάσει την απόδοση με την αξιοπιστία. Σε σύγκριση με τους παραδοσιακούς βασισμένους διακόπτες πυριτίου (Si) όπως IGBTs και MOSFETs, MOSFET SIC προσφέρει μια σειρά πλεονεκτημάτων. Αυτοί περιλαμβάνουν, τα χαμηλότερα επίπεδα ικανότητας δαπανών και συσκευών πυλών που βλέπουν το 1200 τους διακόπτες Β, καμία αντίστροφη απώλεια αποκατάστασης της εσωτερικής διόδου σωμάτων απόδειξης μετατροπής, ανεξάρτητες χαμηλές απώλειες μετατροπής θερμοκρασίας, και όριο-ελεύθερο -κράτος char4acteristic. MOSFETs CoolSiC™ είναι ιδανικά για τις σκληρές και τοπολογίες ηχηρός-αλλαγής όπως τα κυκλώματα διορθώσεων παράγοντα δύναμης (PFC), τις αμφίδρομες τοπολογίες και τους μετατροπείς ρεύμα-συνεχές ρεύμα ή τους αναστροφείς ρεύμα-εναλλασσόμενο ρεύμα.

Περίληψη των χαρακτηριστικών γνωρισμάτων

Τύπος FET:

N-Channel

Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss):

1200 Β

Vgs (Max):

+20V, -5V

Διασκεδασμός δύναμης (Max):

455W (TC)

Συσκευασία/περίπτωση:

-247-4

Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω):

15V, 18V

FAQ

Το Q. Είναι τα προϊόντα σας αρχικά;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι αρχικά, η νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Q: Ποια πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε επικυρωμένα επιχείρηση του ISO 9001:2015 και μέλος ERAI.
Q: Μπορείτε να υποστηρίξετε τη μικρή διαταγή ή το δείγμα ποσότητας; Είναι το δείγμα ελεύθερο;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε τη διαταγή δειγμάτων και τη μικρή διαταγή. Το κόστος δειγμάτων είναι διαφορετικό σύμφωνα με τη διαταγή ή το πρόγραμμά σας.
Q: Πώς να στείλει τη διαταγή μου; Είναι ασφαλές;
Α: Χρησιμοποιούμε σαφής στο σκάφος, όπως DHL, τη Fedex, UPS, TNT, EMS.We μπορεί επίσης να χρησιμοποιήσει την προτεινόμενη αποστολέα σας. Τα προϊόντα θα είναι στην καλή συσκευασία και θα εξασφαλίσουν την ασφάλεια και είμαστε αρμόδιοι στη ζημία προϊόντων στη διαταγή σας.
Q: Τι γίνεται με τη χρονική ανοχή;
Α: Μπορούμε να στείλουμε τα μέρη αποθεμάτων μέσα σε 5 εργάσιμες ημέρες. Εάν χωρίς απόθεμα, θα επιβεβαιώσουμε τη χρονική ανοχή για σας βασισμένη στην ποσότητα διαταγής σας.

MOSFET TO247 τάφρων κρυσταλλολυχνιών 14mohm SIC FET ολοκληρωμένου κυκλώματος 1200V Gan IMZA120R014M1HXKSA1 GaN

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ ΤΗΣ BT

Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

Μικροελεγκτής MCU

Ολοκληρωμένο κύκλωμα GaN

Τσιπ επεξεργαστή AI

Προγραμματίσημη σειρά πυλών τομέων

IC Ethernet

Συνδετήρες

Τσιπ IC μνήμης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αισθητήρων

Τσιπ IoT

Μονάδα 5G

WiFi 6 τσιπ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος Iphone

Ασύρματη ενότητα επικοινωνίας

Θερμοστάτης ελεγκτών θερμοκρασίας