Ενσωματωμένος μισός οδηγός Gan γεφυρών οδηγών πυλών FET LMG3425R030RQZR Gan VQFN54

FET οδηγών LMG3425R030RQZR GaN πυλών με τον ενσωματωμένο οδηγό και τον ιδανικό τρόπο VQFN54 διόδων

Περιγραφή

Το FET GaN LMG342xR030 με τον ενσωματωμένο οδηγό και την προστασία επιτρέπει στους σχεδιαστές για να επιτύχει τα νέα επίπεδα πυκνότητας και αποδοτικότητας ισχύος στα συστήματα ηλεκτρονικής δύναμης. Το LMG342xR030 ενσωματώνει έναν οδηγό πυριτίου που επιτρέπει τη μετατροπή επιταχύνεται σε 150 V/ns. Η ενσωματωμένη προκατάληψη πυλών ακρίβειας του Tj οδηγεί στην υψηλότερη μετατροπή SOA έναντι των ιδιαίτερων οδηγών πυλών πυριτίου. Αυτή η ολοκλήρωση, που συνδυάζεται με τη συσκευασία χαμηλός-αυτεπαγωγής του Tj, παραδίδει την καθαρή μετατροπή και το ελάχιστο χτύπημα στις τοπολογίες παροχής ηλεκτρικού ρεύματος σκληρός-αλλαγής. Η διευθετήσιμη δύναμη κίνησης πυλών επιτρέπει ότι ο έλεγχος γυρίζει το ποσοστό από 20 V/ns σε 150 V/ns, τα οποία μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να ελέγξουν ενεργά τη EMI και να βελτιστοποιήσουν την απόδοση μετατροπής. Το LMG3425R030 περιλαμβάνει τον ιδανικό τρόπο διόδων, ο οποίος μειώνει τις απώλειες τρίτος-τεταρτημόριων με τη διευκόλυνση του προσαρμοστικού νεκρός-χρονικού ελέγχου.

Προδιαγραφές

Εφαρμογές

• Βιομηχανικές παροχές ηλεκτρικού ρεύματος υψηλής πυκνότητας
• Ηλιακοί αναστροφείς και βιομηχανικές κινήσεις μηχανών
• Αδιάκοπες παροχές ηλεκτρικού ρεύματος
• Εμπορικοί δίκτυο και κεντρικός υπολογιστής PSU
• Εμπορικοί διορθωτές τηλεπικοινωνιών

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

προστασία κυκλωμάτων με < 100-ns="" response="">

–

Αντιστέκεται το κύμα 720-β σκληρός-μεταστρέφοντας

–

Self-protection από το εσωτερικό overtemperature

και έλεγχος UVLO

•

Προηγμένη διαχείριση δύναμης

–

Ψηφιακή παραγωγή θερμοκρασίας PWM

–

Ο ιδανικός τρόπος διόδων μειώνει τις απώλειες τρίτος-τεταρτημόριων

LMG3425R030

• Κατάλληλος για JEDEC JEP180 για τις τοπολογίες σκληρός-αλλαγής
• 600-β FET gaN--Si με τον ενσωματωμένο οδηγό πυλών
• Ενσωματωμένη προκατειλημμένη τάση πυλών υψηλής ακρίβειας
• 200-V/ns CMTI
• 2,2-MHZ συχνότητα μετατροπής
• 30-V/ns σε 150-V/ns γυρίστε το ποσοστό για τη βελτιστοποίηση της απόδοσης μετατροπής και το μετριασμό της EMI
• Λειτουργεί από το 7,5-β στον ανεφοδιασμό 18-β
• Γερή προστασία
• Overcurrent κύκλος-από-κύκλων και κλεισμένη με μάνταλο προστασία βραχυκυκλώματος με < 100-ns="" response="">
• Αντιστέκεται το κύμα 720-β σκληρός-μεταστρέφοντας
• Self-protection από τον εσωτερικό έλεγχο overtemperature και UVLO
• Προηγμένη διαχείριση δύναμης
• Ψηφιακή παραγωγή θερμοκρασίας PWM
• Ο ιδανικός τρόπος διόδων μειώνει τις απώλειες τρίτος-τεταρτημόριων σε LMG3425R030

 

Μέτρηση για να καθορίσει τις καθυστερήσεις διάδοσης και να γυρίσει τα ποσοστά

 

 

 

Κατάλληλος για JEDEC JEP180 για την σκληρός-αλλαγή

τοπολογίες

•

600

- FET gaN--Si Β με τον ενσωματωμένο οδηγό πυλών

–

Ενσωματωμένη προκατειλημμένη τάση πυλών υψηλής ακρίβειας

–

200-V/ns CMTI

–

2.2

- Συχνότητα μετατροπής MHZ

–

30-V/ns σε 150-V/ns γυρίστε το ποσοστό για τη βελτιστοποίηση

από την απόδοση μετατροπής και το μετριασμό της EMI

–

Λειτουργεί από το 7,5-β στον ανεφοδιασμό 18-β

•

Γερή προστασία

–

Overcurrent κύκλος-από-κύκλων και κλεισμένος με μάνταλο απότομα

προστασία κυκλωμάτων με < 100-ns="" response="">

–

Αντιστέκεται το κύμα 720-β σκληρός-μεταστρέφοντας

–

Self-protection από το εσωτερικό overtemperature

και έλεγχος UVLO

•

Προηγμένη διαχείριση δύναμης

–

Ψηφιακή παραγωγή θερμοκρασίας PWM

–

Ο ιδανικός τρόπος διόδων μειώνει τις απώλειες τρίτος-τεταρτημόριων

LMG3425R030

Κατάλληλος για JEDEC JEP180 για την σκληρός-αλλαγή

τοπολογίες

•

600

- FET gaN--Si Β με τον ενσωματωμένο οδηγό πυλών

–

Ενσωματωμένη προκατειλημμένη τάση πυλών υψηλής ακρίβειας

–

200-V/ns CMTI

–

2.2

- Συχνότητα μετατροπής MHZ

–

30-V/ns σε 150-V/ns γυρίστε το ποσοστό για τη βελτιστοποίηση

από την απόδοση μετατροπής και το μετριασμό της EMI

–

Λειτουργεί από το 7,5-β στον ανεφοδιασμό 18-β

•

Γερή προστασία

–

Overcurrent κύκλος-από-κύκλων και κλεισμένος με μάνταλο απότομα

προστασία κυκλωμάτων με < 100-ns="" response="">

–

Αντιστέκεται το κύμα 720-β σκληρός-μεταστρέφοντας

–

Self-protection από το εσωτερικό overtemperature

και έλεγχος UVLO

•

Προηγμένη διαχείριση δύναμης

–

Ψηφιακή παραγωγή θερμοκρασίας PWM

–

Ο ιδανικός τρόπος διόδων μειώνει τις απώλειες τρίτος-τεταρτημόριων

LMG3425R030

 

FAQ
Το Q. Είναι τα προϊόντα σας αρχικά;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι αρχικά, η νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Q: Ποια πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε επικυρωμένα επιχείρηση του ISO 9001:2015 και μέλος ERAI.
Q: Μπορείτε να υποστηρίξετε τη μικρή διαταγή ή το δείγμα ποσότητας; Είναι το δείγμα ελεύθερο;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε τη διαταγή δειγμάτων και τη μικρή διαταγή. Το κόστος δειγμάτων είναι διαφορετικό σύμφωνα με τη διαταγή ή το πρόγραμμά σας.
Q: Πώς να στείλει τη διαταγή μου; Είναι ασφαλές;
Α: Χρησιμοποιούμε σαφής στο σκάφος, όπως DHL, τη Fedex, UPS, TNT, EMS.We μπορεί επίσης να χρησιμοποιήσει την προτεινόμενη αποστολέα σας. Τα προϊόντα θα είναι στην καλή συσκευασία και θα εξασφαλίσουν την ασφάλεια και είμαστε αρμόδιοι στη ζημία προϊόντων στη διαταγή σας.
Q: Τι γίνεται με τη χρονική ανοχή;
Α: Μπορούμε να στείλουμε τα μέρη αποθεμάτων μέσα σε 5 εργάσιμες ημέρες. Εάν χωρίς απόθεμα, θα επιβεβαιώσουμε τη χρονική ανοχή για σας βασισμένη στην ποσότητα διαταγής σας.

ετικέτα:

VQFN54 ενσωματωμένος μισός οδηγός Gan γεφυρών,

FET LMG3422R030RQZR GaN,

Οδηγός VQFN54 πυλών FET Gan

Στοιχεία επικοινωνίας

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Sales Manager

Τηλ.:: 86-13410018555

Φαξ: 86-0755-83957753

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα

Μισός γενικός σκοπός ολοκληρωμένου κυκλώματος IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 GaN οδηγών γεφυρών

Κατηγορία: Πλήρεις οδηγοί μισό-γεφυρών PMIC

Σειρά: CoolGaN™

Εφαρμογές: Γενικός σκοπός

RDS επάνω: 140mOhm LS 140mOhm HS

Κανάλι 32VQFN διακοπτών Π διανομής δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος δύναμης οδηγών LMG3411R070RWHR Gan FET

Σχέδιο - Εισροές:Αποτελέσματα: 1:1

Διασύνδεση: Λογική, PWM

Η τάση - τροφοδοσία (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Τρέχων - παραγωγή (Max): 12Α

Οδηγός GaN καναλιών οδηγών Π διακοπτών δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος LMG3410R070RWHR GaN που ενσωματώνεται

Διαμόρφωση εξόδου: Υψηλή πλευρά

Τύπος εξόδου: P-Channel

Δυναμικό - φορτίο: 480V (Max)

Η τάση - τροφοδοσία (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Ενσωματωμένοι απομονωμένοι GaN LMG3422R030RQZR GaN οδηγοί πυλών FET 600V

ρεύμα εξόδου: 1.2 Α

Η τάση τροφοδοσίας - Min: 7.5 V

Τετάρτη, Ιανουαρίου: 18 V

Χρόνος ανόδου: 4 μs

Κανάλι ολοκληρωμένου κυκλώματος Ν διακοπτών διανομής δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος 6A VQFN32 οδηγών LMG3411R150RWHR Gan

Τάση - Φορτίο: 480V (Max)

Τάση - ανεφοδιασμός (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Τρέχων - παραγωγή (Max): 6A

RDS επάνω (τύπος): 150 mOhm