Αρχική Σελίδα Προϊόντα Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές

Name: Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM170DUM039AG
Availability: InStock

Όλα τα Προϊόντα

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
(18412)

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ ΤΗΣ BT
(524)

Αυτοκίνητες ενότητες IGBT
(1937)

Μικροελεγκτής MCU
(12427)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα GaN
(51)

Τσιπ επεξεργαστή AI
(1169)

Προγραμματίσημη σειρά πυλών τομέων
(6582)

IC Ethernet
(938)

Συνδετήρες
(2853)

Τσιπ IC μνήμης
(2435)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αισθητήρων
(2168)

Τσιπ IoT
(232)

Μονάδα 5G
(132)

WiFi 6 τσιπ
(138)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος Iphone
(55)

Ασύρματη ενότητα επικοινωνίας
(3300)

Θερμοστάτης ελεγκτών θερμοκρασίας
(8)

Καλύτερα προϊόντα

Μέσης ησχύος διπλές τριφασικές PIM IGBT ενότητες Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 φωτοβολταϊκή ενέργεια ενότητας 950V 70A φάσης IGBT

Αυτοκίνητη διπλή IGBT IGBT ενότητα ενοτήτων FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Πιστοποίηση

Κίνα ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Πιστοποιήσεις

Αναθεωρήσεις πελατών

Στάλη πολύ γρήγορα, και πολύ χρήσιμος, νέος και αρχικός, θα σύστηνε ιδιαίτερα.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Επαγγελματική και γρήγορη υπηρεσία, αποδεκτές τιμές για τα αγαθά. άριστη επικοινωνία, προϊόν όπως αναμενόταν. Συστήνω ιδιαίτερα αυτόν τον προμηθευτή.

—— Λουίς Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας και αξιόπιστης απόδοσης: "Τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα που λάβαμε από την [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] είναι υψηλής ποιότητας και έχουν δείξει αξιόπιστη απόδοση στις συσκευές μας".

—— Ρίτσαρντ από τη Γερμανία

Ανταγωνιστικές τιμές: Οι τιμές που προσφέρονται από είναι πολύ ανταγωνιστικές, καθιστώντας την εξαιρετική επιλογή για τις ανάγκες προμηθειών μας.

—— Τιμ από τη Μαλαισία

Η εξυπηρέτηση πελατών που παρέχονται από είναι εξαιρετική. Είναι πάντα ευαίσθητοι και χρήσιμοι, εξασφαλίζοντας ότι οι ανάγκες μας ικανοποιούνται άμεσα.

—— Βίνσεντ από τη Ρωσία

Μεγάλες τιμές, γρήγορη παράδοση και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Αξιόπιστα εξαρτήματα, γρήγορη αποστολή και εξαιρετική υποστήριξη.

—— Σαμ Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας εξαρτήματα και μια απρόσκοπτη διαδικασία παραγγελίας.

—— Η Λίνα από τη Γερμανία

Είμαι Online Chat Now

Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές

Μεγάλες Εικόνας : Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	ΣΟ
Μάρκα:	Original Factory
Πιστοποίηση:	Lead free / RoHS Compliant
Αριθμό μοντέλου:	MSCSM170DUM039AG

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	10
Τιμή:	Contact for Sample
Συσκευασία λεπτομέρειες:	Ενότητα
Χρόνος παράδοσης:	5-8 ημέρες εργασίας
Όροι πληρωμής:	T/T, L/C, Western Union

Επικοινωνία

Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές

Περιγραφή

Αριθμός μερών:	MSCSM170DUM039AG	Συσκευασία/περίπτωση:	Ενότητα
Τάση αγωγός-πηγής (Max):	1700V	Αγωγός-πηγή στην αντίσταση (Max):	5mΩ
Παλόμενο ρεύμα αγωγών (Max):	1000A	Διασκεδασμός δύναμης (TC = 25 °C) - Max:	2400W

Ενότητες IGBT αυτοκινήτου MSCSM170DUM039AG Συστοιχίες MOSFET κοινής πηγής 2Ν καναλιών

Περιγραφή προϊόντος OfMSCSM170DUM039AG

Το MSCSM170DUM039AG είναι Μονάδα τροφοδοσίας SiC MOSFET διπλής κοινής πηγής Mosfet Array 1700V/523A, βάση πλαισίου.

Προδιαγραφή τουMSCSM170DUM039AG

Αριθμός ανταλλακτικού	MSCSM170DUM039AG
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)	1700V (1,7kV)
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C	523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 270A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,3V @ 22,5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs	1602nC @ 20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds	29700pF @ 1000V
Ισχύς - Μέγ	2400 W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης	Στήριγμα πλαισίου

Χαρακτηριστικά Μεταφοράς του MSCSM170DUM039AG

Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές 0

Άλλοι τύποι προϊόντων εφοδιασμού

Αριθμός ανταλλακτικού	Πακέτο
ICE40UL1K-CM36AITR1K	QFN
V23026D1021B201	SMD
MRF24WG0MAT-I/RM	36-SMD
PSS15S92F6-AG	Μονάδα μέτρησης
BD9001F	SOP8
ISL6312ACRZ	QFN48

FAQ

Ε: Είναι τα προϊόντα σας πρωτότυπα;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι πρωτότυπα, η νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Ε: Ποια Πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε πιστοποιημένη εταιρεία ISO 9001:2015 και μέλος της ERAI.
Ε: Μπορείτε να υποστηρίξετε παραγγελία ή δείγμα μικρής ποσότητας; Είναι το δείγμα δωρεάν;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε παραγγελία δείγματος και μικρή παραγγελία. Το κόστος του δείγματος είναι διαφορετικό ανάλογα με την παραγγελία ή το έργο σας.
Ε: Πώς να στείλω την παραγγελία μου;Είναι ασφαλές?
Α: Χρησιμοποιούμε express για την αποστολή, όπως DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Μπορούμε επίσης να χρησιμοποιήσουμε τον προτεινόμενο αποστολέα σας. Τα προϊόντα θα είναι σε καλή συσκευασία και θα διασφαλίζουν την ασφάλεια και είμαστε υπεύθυνοι για τη ζημιά του προϊόντος στην παραγγελία σας.
Ε: Τι γίνεται με τον χρόνο παράδοσης;
Α: Μπορούμε να στείλουμε ανταλλακτικά αποθέματος εντός 5 εργάσιμων ημερών. Εάν δεν υπάρχει απόθεμα, θα επιβεβαιώσουμε τον χρόνο παράδοσης για εσάς με βάση την ποσότητα της παραγγελίας σας.

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Sales Manager

Τηλ.:: 86-13410018555

Φαξ: 86-0755-83957753

Άλλα προϊόντα

400A αυτοκίνητη Mosfet ενοτήτων 1200V SIC IGBT ενότητα FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): 1200V (1.2kV)

Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: 400A

RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: 5.55V @ 240mA

αυτοκίνητες IGBT ενότητες 3 ενότητα F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 400A επιπέδων IGBT

Αριθμός τμήματος: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Τύπος IGBT: Τάφρος

Κατάσταση του προϊόντος: Ενεργός

Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): 950 Β

Στάση τομέων τάφρων ενότητας 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): 950 Β

Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max): 310 Α

Δύναμη - Max: 20 MW

Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα: 2.25V @ 15V, 400A

Αυτοκίνητες ενότητες FS05MR12A6MA1BBPSA1 ενοτήτων 1200V 200A δύναμης καρβιδίου του πυριτίου HEV

Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)

Τεχνική μέθοδος: 1200V (1,2kV)

ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 200A

Τύπος στερέωσης: Στήριξη πλαισίου

Ενότητες IGBT αυτοκινήτου FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Αριθμός τμήματος: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): 750 Β

Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο): 200 A

Δύναμη - Max: 20 mW

Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ ΤΗΣ BT

Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

Μικροελεγκτής MCU

Ολοκληρωμένο κύκλωμα GaN

Τσιπ επεξεργαστή AI

Προγραμματίσημη σειρά πυλών τομέων

IC Ethernet

Συνδετήρες

Τσιπ IC μνήμης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αισθητήρων

Τσιπ IoT

Μονάδα 5G

WiFi 6 τσιπ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος Iphone

Ασύρματη ενότητα επικοινωνίας

Θερμοστάτης ελεγκτών θερμοκρασίας

Μέσης ησχύος διπλές τριφασικές PIM IGBT ενότητες Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 φωτοβολταϊκή ενέργεια ενότητας 950V 70A φάσης IGBT

Αυτοκίνητη διπλή IGBT IGBT ενότητα ενοτήτων FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές

Αυτοκίνητες MOSFET πηγής 2N-καναλιών ενοτήτων MSCSM170DUM039AG IGBT κοινές σειρές

Αυτοκίνητες ενότητες 400A IGBT,

Ενότητα δύναμης FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Ενότητα 1200V σκονών IGBT

400A αυτοκίνητη Mosfet ενοτήτων 1200V SIC IGBT ενότητα FS03MR12A6MA1LBBPSA1

αυτοκίνητες IGBT ενότητες 3 ενότητα F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 400A επιπέδων IGBT

Στάση τομέων τάφρων ενότητας 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Αυτοκίνητες ενότητες FS05MR12A6MA1BBPSA1 ενοτήτων 1200V 200A δύναμης καρβιδίου του πυριτίου HEV

Ενότητες IGBT αυτοκινήτου FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

VN7008AJTR Ενοποιημένο κύκλωμα Chip High-Side Driver 96A High Side Switches PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7Ohm Βιομηχανικοί αναλογικοί διακόπτες CMOS

LT6700CS6-1 Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Μικροηλεκτρική χαμηλής τάσης διπλός συγκριτής με αναφορά 400mV

IC Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Αλάσκα Ultra Gigabit Ethernet PHY Πληροφοριακοί δέκτες