1200V MOSFET IMBG120R045M1H τάφρων SIC N-Channel MOSFET κρυσταλλολυχνίες -263-8

1200V MOSFET IMBG120R045M1H τάφρων SIC N-Channel MOSFET κρυσταλλολυχνίες -263-8

Περιγραφή προϊόντων IMBG120R045M1H

IMBG120R045M1H είναι MOSFET τάφρων CoolSiC™ 1200V SIC με την τεχνολογία διασύνδεσης .XT.

Προδιαγραφή IMBG120R045M1H

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα IMBG120R045M1H

• Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο 3 µs
• Πλήρως ελέγξιμο dV/dt
• Τάση κατώτατων ορίων πυλών συγκριτικής μέτρησης επιδόσεων, VGS (θόριο) = 4.5V
• Γερός ενάντια σε παρασιτικό ανοίξτε, η τάση πυλών διακοπών 0V μπορεί να εφαρμοστεί
• Γερή δίοδος σωμάτων για τη σκληρή μετατροπή

Άλλα ηλεκτρονικά συστατικά στο απόθεμα

FAQ

Q: Είναι τα προϊόντα σας αρχικά;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι αρχικά, η νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Q: Ποια πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε επικυρωμένα επιχείρηση του ISO 9001:2015 και μέλος ERAI.
Q: Μπορείτε να υποστηρίξετε τη μικρή διαταγή ή το δείγμα ποσότητας; Είναι το δείγμα ελεύθερο;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε τη διαταγή δειγμάτων και τη μικρή διαταγή. Το κόστος δειγμάτων είναι διαφορετικό σύμφωνα με τη διαταγή ή το πρόγραμμά σας.
Q: Πώς να στείλει τη διαταγή μου; Είναι ασφαλές;
Α: Χρησιμοποιούμε σαφής στο σκάφος, όπως DHL, τη Fedex, UPS, TNT, EMS.We μπορεί επίσης να χρησιμοποιήσει την προτεινόμενη αποστολέα σας. Τα προϊόντα θα είναι στην καλή συσκευασία και θα εξασφαλίσουν την ασφάλεια και είμαστε αρμόδιοι στη ζημία προϊόντων στη διαταγή σας.
Q: Τι γίνεται με τη χρονική ανοχή;
Α: Μπορούμε να στείλουμε τα μέρη αποθεμάτων μέσα σε 5 εργάσιμες ημέρες. Εάν χωρίς απόθεμα, θα επιβεβαιώσουμε τη χρονική ανοχή για σας βασισμένη στην ποσότητα διαταγής σας.