IMBG65R039M1H N-Channel 650V MOSFETs συσκευή δύναμης τάφρων κρυσταλλολυχνιών SIC

IMBG65R039M1H N-Channel 650V MOSFETs συσκευή δύναμης τάφρων κρυσταλλολυχνιών SIC

Περιγραφή προϊόντων IMBG65R039M1H

Οι κρυσταλλολυχνίες δύναμης αύξηση-τρόπου IMBG65R039M1H GaN είναι διαθέσιμες σε μια συσκευασία επιφάνεια-υποστηριγμάτων ThinPAK 5x6, ιδανική για τις εφαρμογές που απαιτούν μια συμπαγή συσκευή χωρίς ένα heatsink.

Προδιαγραφή IMBG65R039M1H

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα IMBG65R039M1H

• Χαμηλότερη τρέχουσα εξάρτηση Rs (επάνω) και σφυγμού στη θερμοκρασία

• Αυξανόμενη ικανότητα χιονοστιβάδων

Άλλοι τύποι προϊόντων ανεφοδιασμού

FAQ

Q: Είναι τα προϊόντα σας αρχικά;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι αρχικά, η νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Q: Ποια πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε επικυρωμένα επιχείρηση του ISO 9001:2015 και μέλος ERAI.
Q: Μπορείτε να υποστηρίξετε τη μικρή διαταγή ή το δείγμα ποσότητας; Είναι το δείγμα ελεύθερο;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε τη διαταγή δειγμάτων και τη μικρή διαταγή. Το κόστος δειγμάτων είναι διαφορετικό σύμφωνα με τη διαταγή ή το πρόγραμμά σας.
Q: Πώς να στείλει τη διαταγή μου; Είναι ασφαλές;
Α: Χρησιμοποιούμε σαφής στο σκάφος, όπως DHL, τη Fedex, UPS, TNT, EMS.We μπορεί επίσης να χρησιμοποιήσει την προτεινόμενη αποστολέα σας. Τα προϊόντα θα είναι στην καλή συσκευασία και θα εξασφαλίσουν την ασφάλεια και είμαστε αρμόδιοι στη ζημία προϊόντων στη διαταγή σας.
Q: Τι γίνεται με τη χρονική ανοχή;
Α: Μπορούμε να στείλουμε τα μέρη αποθεμάτων μέσα σε 5 εργάσιμες ημέρες. Εάν χωρίς απόθεμα, θα επιβεβαιώσουμε τη χρονική ανοχή για σας βασισμένη στην ποσότητα διαταγής σας.