N-Channel 1200V καρβιδίου IMW120R090M1H του πυριτίου MOSFETs κρυσταλλολυχνίες -247-3

Καρβιδίου Σιλικίου IMW120R090M1H N-Channel 1200V MOSFETs Τρανζιστόρες TO-247-3

Περιγραφή του προϊόντοςIMW120R090M1H

Το IMW120R090M1H είναι CoolSiCTM 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET, πολύ χαμηλές απώλειες μετάδοσης.

ΠροδιαγραφήIMW120R090M1H

ΧαρακτηριστικάIMW120R090M1H

• Χωρίς κατώτατο όριο για το χαρακτηριστικό κατάστασης
• Ευρύ φάσμα τάσης πύλης πύλης
• Η τάση κατώτατου ορίου πύλης αναφοράς, VGS ((th) = 4,5V
• 0V τάση σβήσης πύλης για εύκολη και απλή κίνηση πύλης
• Πλήρως ελεγχόμενη dV/dt
• Σκληρή διόδη σώματος για σκληρή μετατροπή

Άλλα ηλεκτρονικά εξαρτήματα σε αποθέματα

Γενικές ερωτήσεις

Ε: Τα προϊόντα σας είναι πρωτότυπα;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι πρωτότυπα, νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Ε: Ποια Πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε πιστοποιημένη εταιρεία ISO 9001:2015 και μέλος της ERAI.
Ε: Μπορείτε να υποστηρίξετε παραγγελία μικρής ποσότητας ή δείγμα; Είναι το δείγμα δωρεάν;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε παραγγελία δείγματος και μικρή παραγγελία. Το κόστος δείγματος είναι διαφορετικό ανάλογα με την παραγγελία ή το έργο σας.
Ε: Πώς να στείλω την παραγγελία μου; Είναι ασφαλές;
Α: Χρησιμοποιούμε ταχυδρομική αποστολή, όπως DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Μπορούμε επίσης να χρησιμοποιήσουμε τον προτεινόμενο μεταφορέα σας.Τα προϊόντα θα είναι σε καλή συσκευασία και να διασφαλίσει την ασφάλεια και είμαστε υπεύθυνοι για ζημιές προϊόντος στην παραγγελία σας.
Ε: Τι γίνεται με τον χρόνο προετοιμασίας;
Α: Μπορούμε να στείλουμε τα εξαρτήματα από αποθέματα εντός 5 εργάσιμων ημερών. Εάν δεν υπάρχουν αποθέματα, θα επιβεβαιώσουμε τον χρόνο προετοιμασίας για εσάς με βάση την ποσότητα της παραγγελίας σας.