N-Channel IMBG120R220M1H 1200V τάφρος -263-8 καρβιδίου του πυριτίου MOSFET κρυσταλλολυχνίες

N-Channel IMBG120R220M1H 1200V τάφρος -263-8 καρβιδίου του πυριτίου MOSFET κρυσταλλολυχνίες

Περιγραφή προϊόντων IMBG120R220M1H

IMBG120R220M1H είναι N-Channel 1200V MOSFET τάφρων καρβιδίου του πυριτίου CoolSiC™ κρυσταλλολυχνίες με την τεχνολογία διασύνδεσης .XT.

Προδιαγραφή IMBG120R220M1H

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα IMBG120R220M1H

• Πολύ χαμηλές απώλειες μετατροπής
• Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο 3 µs
• Τάση κατώτατων ορίων πυλών συγκριτικής μέτρησης επιδόσεων, VGS (θόριο) = 4.5V
• .XT τεχνολογία διασύνδεσης για τη θερμική απόδοση καλύτερος--κατηγορίας
• Διασκορπισμός συσκευασίας και απόσταση εκκαθάρισης > 6.1mm

Άλλα ηλεκτρονικά συστατικά στο απόθεμα

FAQ

Q: Είναι τα προϊόντα σας αρχικά;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι αρχικά, η νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Q: Ποια πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε επικυρωμένα επιχείρηση του ISO 9001:2015 και μέλος ERAI.
Q: Μπορείτε να υποστηρίξετε τη μικρή διαταγή ή το δείγμα ποσότητας; Είναι το δείγμα ελεύθερο;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε τη διαταγή δειγμάτων και τη μικρή διαταγή. Το κόστος δειγμάτων είναι διαφορετικό σύμφωνα με τη διαταγή ή το πρόγραμμά σας.
Q: Πώς να στείλει τη διαταγή μου; Είναι ασφαλές;
Α: Χρησιμοποιούμε σαφής στο σκάφος, όπως DHL, τη Fedex, UPS, TNT, EMS.We μπορεί επίσης να χρησιμοποιήσει την προτεινόμενη αποστολέα σας. Τα προϊόντα θα είναι στην καλή συσκευασία και θα εξασφαλίσουν την ασφάλεια και είμαστε αρμόδιοι στη ζημία προϊόντων στη διαταγή σας.
Q: Τι γίνεται με τη χρονική ανοχή;
Α: Μπορούμε να στείλουμε τα μέρη αποθεμάτων μέσα σε 5 εργάσιμες ημέρες. Εάν χωρίς απόθεμα, θα επιβεβαιώσουμε τη χρονική ανοχή για σας βασισμένη στην ποσότητα διαταγής σας.