Αρχική Σελίδα Προϊόντα Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

Name: MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Availability: InStock

Όλα τα Προϊόντα

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
(18932)

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ ΤΗΣ BT
(541)

Αυτοκίνητες ενότητες IGBT
(1941)

Μικροελεγκτής MCU
(12947)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα GaN
(71)

Τσιπ επεξεργαστή AI
(1179)

Προγραμματίσημη σειρά πυλών τομέων
(6737)

IC Ethernet
(950)

Συνδετήρες
(2853)

Τσιπ IC μνήμης
(2443)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αισθητήρων
(2209)

Τσιπ IoT
(235)

Μονάδα 5G
(132)

WiFi 6 τσιπ
(142)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος Iphone
(55)

Ασύρματη ενότητα επικοινωνίας
(3329)

Θερμοστάτης ελεγκτών θερμοκρασίας
(8)

Καλύτερα προϊόντα

Μέσης ησχύος διπλές τριφασικές PIM IGBT ενότητες Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 φωτοβολταϊκή ενέργεια ενότητας 950V 70A φάσης IGBT

Αυτοκίνητη διπλή IGBT IGBT ενότητα ενοτήτων FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Πιστοποίηση

Κίνα ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Πιστοποιήσεις

Αναθεωρήσεις πελατών

Στάλη πολύ γρήγορα, και πολύ χρήσιμος, νέος και αρχικός, θα σύστηνε ιδιαίτερα.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Επαγγελματική και γρήγορη υπηρεσία, αποδεκτές τιμές για τα αγαθά. άριστη επικοινωνία, προϊόν όπως αναμενόταν. Συστήνω ιδιαίτερα αυτόν τον προμηθευτή.

—— Λουίς Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας και αξιόπιστης απόδοσης: "Τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα που λάβαμε από την [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] είναι υψηλής ποιότητας και έχουν δείξει αξιόπιστη απόδοση στις συσκευές μας".

—— Ρίτσαρντ από τη Γερμανία

Ανταγωνιστικές τιμές: Οι τιμές που προσφέρονται από είναι πολύ ανταγωνιστικές, καθιστώντας την εξαιρετική επιλογή για τις ανάγκες προμηθειών μας.

—— Τιμ από τη Μαλαισία

Η εξυπηρέτηση πελατών που παρέχονται από είναι εξαιρετική. Είναι πάντα ευαίσθητοι και χρήσιμοι, εξασφαλίζοντας ότι οι ανάγκες μας ικανοποιούνται άμεσα.

—— Βίνσεντ από τη Ρωσία

Μεγάλες τιμές, γρήγορη παράδοση και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Αξιόπιστα εξαρτήματα, γρήγορη αποστολή και εξαιρετική υποστήριξη.

—— Σαμ Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας εξαρτήματα και μια απρόσκοπτη διαδικασία παραγγελίας.

—— Η Λίνα από τη Γερμανία

Είμαι Online Chat Now

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

Μεγάλες Εικόνας : MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	ΣΟ
Μάρκα:	Original Factory
Πιστοποίηση:	Lead free / RoHS Compliant
Αριθμό μοντέλου:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	10
Τιμή:	Contact for Sample
Συσκευασία λεπτομέρειες:	ενότητα
Χρόνος παράδοσης:	5-8 ημέρες εργασίας
Όροι πληρωμής:	T/T, L/C, Western Union

Επικοινωνία

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

Περιγραφή

Αριθμός τμήματος:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG	Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:	79 Α
Pd - διασκεδασμός δύναμης:	310 W	RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:	31 mOhms
Χρόνος ανόδου:	30 NS	Τοποθετώντας ύφος:	Η βίδα τοποθετεί
Επισημαίνω:	MSCSM120DDUM31CTBL2NG , Στροφικές τοποθεσίες IGBT μονάδες ισχύος

Μονούλες IGBT MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

Περιγραφή του προϊόντος MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Οι ενότητες MSCSM120DDUM31CTBL2NG χρησιμοποιούνται σε εφαρμογές όπως συστήματα ηλεκτρικής ενέργειας υψηλής αξιοπιστίας, μετατροπείς υψηλής απόδοσης AC/DC και DC/AC, έλεγχο κινητήρα και διακόπτες εναλλασσόμενου ρεύματος.

Προδιαγραφή του MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Αριθμός τμήματος	MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Πολικότητα του τρανζίστορα:	N-Κανάλι
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης σβήσης:	50 ns
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης:	30 ns
Vds - τάση διακοπής της πηγής αποχέτευσης:	1.2 kV
Vgs th - Πύλη-πηγή κατώτατης τάσης	1.8 V

ΧαρακτηριστικάMSCSM120DDUM31CTBL2NG

Εσωτερικός θερμιστής για παρακολούθηση της θερμοκρασίας
Επεκτεινόμενο εύρος θερμοκρασιών

Άλλοι τύποι προϊόντων εφοδιασμού

Αριθμός τμήματος	Πακέτο
PCA9517DGKR	Δελτίο ΕΚΑΧ
LPC11U24FHI33	ΚΠΝ48
W949D6BBFX7C	BGA
ΒSC883N03MSG	TDSON-8
Κ3RG3G30MM-MGCH	BGA
STS1DNC45	SOP-8

Γενικές ερωτήσεις

Ε: Τα προϊόντα σας είναι πρωτότυπα;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι πρωτότυπα, νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Ε: Ποια Πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε πιστοποιημένη εταιρεία ISO 9001:2015 και μέλος της ERAI.
Ε: Μπορείτε να υποστηρίξετε παραγγελία μικρής ποσότητας ή δείγμα; Είναι το δείγμα δωρεάν;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε παραγγελία δείγματος και μικρή παραγγελία. Το κόστος δείγματος είναι διαφορετικό ανάλογα με την παραγγελία ή το έργο σας.
Ε: Πώς να στείλω την παραγγελία μου; Είναι ασφαλές;
Α: Χρησιμοποιούμε ταχυδρομική αποστολή, όπως DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Μπορούμε επίσης να χρησιμοποιήσουμε τον προτεινόμενο μεταφορέα σας.Τα προϊόντα θα είναι σε καλή συσκευασία και να διασφαλίσει την ασφάλεια και είμαστε υπεύθυνοι για ζημιές προϊόντος στην παραγγελία σας.
Ε: Τι γίνεται με τον χρόνο προετοιμασίας;
Α: Μπορούμε να στείλουμε τα εξαρτήματα από αποθέματα εντός 5 εργάσιμων ημερών. Εάν δεν υπάρχουν αποθέματα, θα επιβεβαιώσουμε τον χρόνο προετοιμασίας για εσάς με βάση την ποσότητα της παραγγελίας σας.

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Sales Manager

Τηλ.:: 86-13410018555

Φαξ: 86-0755-83957753

Άλλα προϊόντα

400A αυτοκίνητη Mosfet ενοτήτων 1200V SIC IGBT ενότητα FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): 1200V (1.2kV)

Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: 400A

RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: 5.55V @ 240mA

αυτοκίνητες IGBT ενότητες 3 ενότητα F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 400A επιπέδων IGBT

Αριθμός τμήματος: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Τύπος IGBT: Τάφρος

Κατάσταση του προϊόντος: Ενεργός

Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): 950 Β

Στάση τομέων τάφρων ενότητας 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): 950 Β

Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max): 310 Α

Δύναμη - Max: 20 MW

Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα: 2.25V @ 15V, 400A

Αυτοκίνητες ενότητες FS05MR12A6MA1BBPSA1 ενοτήτων 1200V 200A δύναμης καρβιδίου του πυριτίου HEV

Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)

Τεχνική μέθοδος: 1200V (1,2kV)

ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 200A

Τύπος στερέωσης: Στήριξη πλαισίου

Ενότητες IGBT αυτοκινήτου FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Αριθμός τμήματος: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): 750 Β

Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο): 200 A

Δύναμη - Max: 20 mW

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Τρανζίστορες

MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Στροφικές τοποθεσίες IGBT μονάδες ισχύος

Αυτοκίνητες ενότητες 400A IGBT,

Ενότητα δύναμης FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,