1200V MOSFET SCTWA50N120 N-Channel MOSFET δύναμης καρβιδίου του πυριτίου μέσω της τρύπας HiP247

1200V MOSFET SCTWA50N120 N-Channel MOSFET δύναμης καρβιδίου του πυριτίου μέσω της τρύπας HiP247

Περιγραφή προϊόντων SCTWA50N120

SCTWA50N120 MOSFET 1200 Β, 65 Α, 59 mΩ δύναμης καρβιδίου του πυριτίου (τύπος., TJ=150 °C) σε ένα HiP247™ μακρύ οδηγεί τη συσκευασία.

Προδιαγραφή SCTWA50N120

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα SCTWA50N120

• Πολύ σφιχτή παραλλαγή της -αντίστασης vs.temperature
• Πολύ υψηλή λειτουργούσα ικανότητα θερμοκρασίας συνδέσεων (TJ = 200 °C)
• Πολύ γρήγορα και γερή εγγενής δίοδος σωμάτων
• Χαμηλή ικανότητα

Εφαρμογές SCTWA50N120

• Ηλιακοί αναστροφείς, UPS
• Κινήσεις μηχανών
• Ρεύμα-ΣΥΝΕΧΕΙΣ μετατροπείς υψηλής τάσης
• Παροχές ηλεκτρικού ρεύματος τρόπου διακοπτών

Άλλοι τύποι προϊόντων ανεφοδιασμού

FAQ

Q: Είναι τα προϊόντα σας αρχικά;
Α: Ναι, όλα τα προϊόντα είναι αρχικά, η νέα αρχική εισαγωγή είναι ο σκοπός μας.
Q: Ποια πιστοποιητικά έχετε;
Α: Είμαστε επικυρωμένα επιχείρηση του ISO 9001:2015 και μέλος ERAI.
Q: Μπορείτε να υποστηρίξετε τη μικρή διαταγή ή το δείγμα ποσότητας; Είναι το δείγμα ελεύθερο;
Α: Ναι, υποστηρίζουμε τη διαταγή δειγμάτων και τη μικρή διαταγή. Το κόστος δειγμάτων είναι διαφορετικό σύμφωνα με τη διαταγή ή το πρόγραμμά σας.
Q: Πώς να στείλει τη διαταγή μου; Είναι ασφαλές;
Α: Χρησιμοποιούμε σαφής στο σκάφος, όπως DHL, τη Fedex, UPS, TNT, EMS.We μπορεί επίσης να χρησιμοποιήσει την προτεινόμενη αποστολέα σας. Τα προϊόντα θα είναι στην καλή συσκευασία και θα εξασφαλίσουν την ασφάλεια και είμαστε αρμόδιοι στη ζημία προϊόντων στη διαταγή σας.
Q: Τι γίνεται με τη χρονική ανοχή;
Α: Μπορούμε να στείλουμε τα μέρη αποθεμάτων μέσα σε 5 εργάσιμες ημέρες. Εάν χωρίς απόθεμα, θα επιβεβαιώσουμε τη χρονική ανοχή για σας βασισμένη στην ποσότητα διαταγής σας.