|
Λεπτομέρειες:
|
| Αριθμός ανταλλακτικού: | IPW60R017C7 | Vgs (μέγιστο): | ±20V |
|---|---|---|---|
| Διάρκεια ισχύος (μέγιστο): | 446W (Tc) | Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Τύπος τοποθέτησης: | Με τρύπα | Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 9890 pF @ 400 V |
| Επισημαίνω: | IPW60R017C7,IPW60R017C7 Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος,Τρανζίστορες N-Channel MOSFET |
||
Η σειρά 600V CoolMOSTM C7 superjunction (SJ) MOSFET προσφέρει ~ 50% μείωση στις απώλειες στροφής (Eοσ) σε σύγκριση με το CoolMOS TM CP, παρέχοντας εξαιρετικές επιδόσεις σε PFC, TTF και άλλες τοπολογίες σκληρής διασύνδεσης.
| Παράμετρος | Αξία |
|---|---|
| Αριθμός τμήματος | IPW60R017C7 |
| Τύπος FET | N-Κανάλι |
| Τεχνολογία | MOSFET (οξείδιο μετάλλου) |
| Δέσμευση αποχέτευσης στην πηγή (V)dss) | 600 V |
| ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (I)d) @ 25°C | 109Α (Τ)γ) |
| ΤετάρτηΔΣΕμπρός, Μιν Ρ.ΔΣΕπικαιροποιημένο) | 10V |
| RΔΣΣε (μέγιστο) @ Id, VΓΣ | 17mΩ @ 58,2A, 10V |
| VΓεωργία(Μαξ) @ Id | 4V @ 2,91mA |
| Τόλμη πύλης (Q)g) (μέγιστο) @ VΓΣ | 240 nC @ 10 V |
| Αριθμός τμήματος | Πακέτο |
|---|---|
| 5CEFA4M13I7N | BGA |
| LM5175RHFR | Επικαιροποίηση |
| TPS650942A0RSKR | Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ |
| TPS63070RNMR | Δελτίο ΕΚΑΧ |
| MSP430F2481TPMR | Αριθμός: |
| STM32H743IIT6 | Δελτίο ΕΚΑΧ, αριθ. |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Sales Manager
Τηλ.:: 86-13410018555
Φαξ: 86-0755-83957753