logo
Ζητήστε ένα απόσπασμα |
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΑυτοκίνητες ενότητες IGBT

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

Όλα τα Προϊόντα

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

(24373)

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ ΤΗΣ BT

(575)

Αυτοκίνητες ενότητες IGBT

(2304)

Μικροελεγκτής MCU

(16135)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα GaN

(306)

Τσιπ επεξεργαστή AI

(1351)

Προγραμματίσημη σειρά πυλών τομέων

(7072)

IC Ethernet

(1167)

Συνδετήρες

(3537)

Τσιπ IC μνήμης

(2651)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα αισθητήρων

(2884)

Τσιπ IoT

(248)

Μονάδα 5G

(160)

Τσιπ WIFI

(199)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος Iphone

(54)

Ασύρματη ενότητα επικοινωνίας

(3880)

Θερμοστάτης ελεγκτών θερμοκρασίας

(11)

Ενσωματωμένες λύσεις

(10093)
Καλύτερα προϊόντα
Μέσης ησχύος διπλές τριφασικές PIM IGBT ενότητες Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

Μέσης ησχύος διπλές τριφασικές PIM IGBT ενότητες Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 φωτοβολταϊκή ενέργεια ενότητας 950V 70A φάσης IGBT

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 φωτοβολταϊκή ενέργεια ενότητας 950V 70A φάσης IGBT

Αυτοκίνητη διπλή IGBT IGBT ενότητα ενοτήτων FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Αυτοκίνητη διπλή IGBT IGBT ενότητα ενοτήτων FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

Πιστοποίηση
Κίνα ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Πιστοποιήσεις
Κίνα ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Πιστοποιήσεις
Αναθεωρήσεις πελατών
Στάλη πολύ γρήγορα, και πολύ χρήσιμος, νέος και αρχικός, θα σύστηνε ιδιαίτερα.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Επαγγελματική και γρήγορη υπηρεσία, αποδεκτές τιμές για τα αγαθά. άριστη επικοινωνία, προϊόν όπως αναμενόταν. Συστήνω ιδιαίτερα αυτόν τον προμηθευτή.

—— Λουίς Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας και αξιόπιστης απόδοσης: "Τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα που λάβαμε από την [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] είναι υψηλής ποιότητας και έχουν δείξει αξιόπιστη απόδοση στις συσκευές μας".

—— Ρίτσαρντ από τη Γερμανία

Ανταγωνιστικές τιμές: Οι τιμές που προσφέρονται από είναι πολύ ανταγωνιστικές, καθιστώντας την εξαιρετική επιλογή για τις ανάγκες προμηθειών μας.

—— Τιμ από τη Μαλαισία

Η εξυπηρέτηση πελατών που παρέχονται από είναι εξαιρετική. Είναι πάντα ευαίσθητοι και χρήσιμοι, εξασφαλίζοντας ότι οι ανάγκες μας ικανοποιούνται άμεσα.

—— Βίνσεντ από τη Ρωσία

Μεγάλες τιμές, γρήγορη παράδοση και εξαιρετική εξυπηρέτηση πελατών.

—— Νισικαβάα από την Ιαπωνία

Αξιόπιστα εξαρτήματα, γρήγορη αποστολή και εξαιρετική υποστήριξη.

—— Σαμ Από τις Ηνωμένες Πολιτείες

Υψηλής ποιότητας εξαρτήματα και μια απρόσκοπτη διαδικασία παραγγελίας.

—— Η Λίνα από τη Γερμανία

Είμαι Online Chat Now

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor
F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

Μεγάλες Εικόνας :  F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: ΣΟ
Μάρκα: Original Factory
Πιστοποίηση: Lead free / RoHS Compliant
Αριθμό μοντέλου: F3L11MR12W2M1
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 10
Τιμή: Contact for Sample
Συσκευασία λεπτομέρειες: Μονάδα μέτρησης
Χρόνος παράδοσης: 5-8 εργάσιμες
Όροι πληρωμής: T/T,L/C,Western Union
Επικοινωνία

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Module 1200V with PressFIT Contact Technology and Integrated NTC Temperature Sensor

Περιγραφή
Αριθμός ανταλλακτικού: F3L11MR12W2M1 Σειρά: EasyPACK™
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1,2kV) Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 65α
Τεχνική διάταξη: 223nC @ 18V Θερμοκρασία λειτουργίας: -40 ° C ~ 175 ° C (TJ)

F3L11MR12W2M1 Automotive IGBT Modules 1200V EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 3-Level Module Product Description F3L11MR12W2M1 is EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 3-level module in ANPC topology 1200V, 11mΩ G1 with NTC and PressFIT contact technology. Specifications Product Category: MOSFET Modules Technology: SiC Mounting Style: Press Fit Package / Case: Module Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV Id - Continuous Drain Current: 100 A Rds On -

ετικέτα:

Αυτοκίνητες ενότητες 400A IGBT,

Ενότητα δύναμης FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Ενότητα 1200V σκονών IGBT

Στοιχεία επικοινωνίας
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Sales Manager

Τηλ.:: 86-13410018555

Φαξ: 86-0755-83957753

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα
400A αυτοκίνητη Mosfet ενοτήτων 1200V SIC IGBT ενότητα FS03MR12A6MA1LBBPSA1

400A αυτοκίνητη Mosfet ενοτήτων 1200V SIC IGBT ενότητα FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): 1200V (1.2kV)

Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: 400A

RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: 5.55V @ 240mA
αυτοκίνητες IGBT ενότητες 3 ενότητα F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 400A επιπέδων IGBT

αυτοκίνητες IGBT ενότητες 3 ενότητα F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 400A επιπέδων IGBT

Αριθμός τμήματος: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Τύπος IGBT: Τάφρος

Κατάσταση του προϊόντος: Ενεργός

Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): 950 Β
Στάση τομέων τάφρων ενότητας 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Στάση τομέων τάφρων ενότητας 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): 950 Β

Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max): 310 Α

Δύναμη - Max: 20 MW

Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα: 2.25V @ 15V, 400A
Αυτοκίνητες ενότητες FS05MR12A6MA1BBPSA1 ενοτήτων 1200V 200A δύναμης καρβιδίου του πυριτίου HEV

Αυτοκίνητες ενότητες FS05MR12A6MA1BBPSA1 ενοτήτων 1200V 200A δύναμης καρβιδίου του πυριτίου HEV

Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)

Τεχνική μέθοδος: 1200V (1,2kV)

ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: 200A

Τύπος στερέωσης: Στήριξη πλαισίου
Ενότητες IGBT αυτοκινήτου FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Ενότητες IGBT αυτοκινήτου FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Αριθμός τμήματος: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): 750 Β

Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο): 200 A

Δύναμη - Max: 20 mW
περίπου

Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

VN7008AJTR Ενοποιημένο κύκλωμα Chip High-Side Driver 96A High Side Switches PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4.7Ohm Βιομηχανικοί αναλογικοί διακόπτες CMOS

LT6700CS6-1 Συμπληρωμένο κύκλωμα Chip Μικροηλεκτρική χαμηλής τάσης διπλός συγκριτής με αναφορά 400mV

IC Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Αλάσκα Ultra Gigabit Ethernet PHY Πληροφοριακοί δέκτες

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | Κίνα καλός Ποιότητα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προμηθευτής. © 2022 - 2026 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.