W632GU6RB-11 Chip IC μνήμης 2Gbit DDR3L SDRAM 933MHz χαμηλής τάσης για ενσωματωμένα συστήματα

Το W632GU6RB-11 είναι ένα τσιπ μνήμης 2Gb DDR3L SDRAM. Η DDR3L είναι μια έκδοση χαμηλής τάσης της DDR3 που μειώνει σημαντικά την κατανάλωση ενέργειας, διατηρώντας παράλληλα δυνατότητες μεταφοράς δεδομένων υψηλής ταχύτητας, καθιστώντας την ιδανική για ενσωματωμένα συστήματα με απαιτήσεις για ενεργειακή απόδοση και εύρος ζώνης.

Το W632GU6RB-11 διαθέτει αρχιτεκτονική 16M × 8 τράπεζες × 16-bit, με συνολική χωρητικότητα 2Gb και εύρος ζώνης διαύλου δεδομένων 16 bit (x16). Υποστηρίζει τάση πυρήνα 1,35 V (VDD) και τάση I/O 1,35 V/1,5 V (VDDQ), ενώ παραμένει συμβατό με τα τυπικά επίπεδα I/O 1,5 V της DDR3, επιτρέποντας ευέλικτη επιλογή κατά τη σχεδίαση του συστήματος. Το τσιπ στεγάζεται σε πακέτο VFBGA 96 μπίλιων, διαστάσεων μόλις 7,5 mm × 13 mm, καθιστώντας το κατάλληλο για ενσωματωμένες εφαρμογές με περιορισμένο χώρο.

• Τροφοδοσία: 1,35V (τυπ.), VDD, VDDQ = 1,283V έως 1,45V
• Αντίστροφη συμβατότητα με VDD, VDDQ = 1,5V ± 0,075V
• Αρχιτεκτονική Double Data Rate: δύο μεταφορές δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού
• Οκτώ εσωτερικές τράπεζες για ταυτόχρονη λειτουργία
• Αρχιτεκτονική προανάκτησης 8 bit
• CAS Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 και 14
• Λειτουργίες Burst length 8 (BL8) και burst chop 4 (BC4): σταθερές μέσω register λειτουργίας (MRS) ή επιλέξιμες On-The-Fly (OTF)
• Προγραμματιζόμενη σειρά ανάγνωσης burst: εναλλασσόμενη ή nibble διαδοχική
• Αμφίδρομα, διαφορικά strobe δεδομένων (DQS και DQS#) μεταδίδονται / λαμβάνονται με δεδομένα
• Ευθυγραμμισμένα με την ακμή με τα δεδομένα ανάγνωσης και κεντραρισμένα με τα δεδομένα εγγραφής
• Το DLL ευθυγραμμίζει τις μεταβάσεις DQ και DQS με το ρολόι
• Διαφορικές εισόδους ρολογιού (CK και CK#)
• Εντολές εισάγονται σε κάθε θετική ακμή CK, τα δεδομένα και η μάσκα δεδομένων αναφέρονται στις δύο ακμές ενός διαφορικού ζεύγους strobe δεδομένων (διπλή ταχύτητα δεδομένων)
• Posted CAS με προγραμματιζόμενη πρόσθετη καθυστέρηση (AL = 0, CL - 1 και CL - 2) για βελτιωμένη απόδοση του διαύλου εντολών, διευθύνσεων και δεδομένων
• Καθυστέρηση ανάγνωσης = Πρόσθετη καθυστέρηση συν CAS Latency (RL = AL + CL)
• Λειτουργία αυτόματης προφόρτισης για burst ανάγνωσης και εγγραφής
• Ανανέωση, Αυτόματη ανανέωση, Αυτόματη ανανέωση (ASR) και Μερική ανανέωση περιοχής (PASR)
• Απενεργοποίηση με προφόρτιση και Ενεργή απενεργοποίηση
• Μάσκες δεδομένων (DM) για δεδομένα εγγραφής
• Προγραμματιζόμενη CAS Write Latency (CWL) ανά συχνότητα λειτουργίας
• Καθυστέρηση εγγραφής WL = AL + CWL
• Πολυλειτουργικό register (MPR) για ανάγνωση μιας προκαθορισμένης ακολουθίας bit βαθμονόμησης συστήματος
• Υποστήριξη βαθμονόμησης χρονισμού σε επίπεδο συστήματος μέσω write leveling και μοτίβου ανάγνωσης MPR
• Βαθμονόμηση ZQ για οδηγό εξόδου και ODT χρησιμοποιώντας εξωτερικό αντιστάτη αναφοράς προς τη γείωση
• Ασύγχρονη ακίδα RESET# για ακολουθία αρχικοποίησης Power-up και λειτουργία επαναφοράς
• Προγραμματιζόμενη τερματισμός εντός τσιπ (ODT) για ζεύγη δεδομένων, μάσκας δεδομένων και διαφορικών strobe
• Δυναμική λειτουργία ODT για βελτιωμένη ακεραιότητα σήματος και προεπιλεγμένες αντιστάσεις τερματισμού κατά τις εγγραφές
• Μέγεθος σελίδας 2K Byte

• Ενσωματωμένα συστήματα: Εφαρμογές που απαιτούν κρυφές μνήμες υψηλής ταχύτητας μεσαίας χωρητικότητας, όπως βιομηχανικός έλεγχος, διεπαφές ανθρώπου-μηχανής (HMI) και τερματικά συλλογής δεδομένων
• Εξοπλισμός δικτύου: Προσωρινή αποθήκευση δεδομένων σε συσκευές επικοινωνίας όπως δρομολογητές, μεταγωγείς και πύλες
• Καταναλωτικά ηλεκτρονικά: Καταναλωτικά προϊόντα ευαίσθητα στο κόστος, όπως ψηφιακές τηλεοράσεις, αποκωδικοποιητές και έξυπνα ηχεία
• Ηλεκτρονικά αυτοκινήτων: Συστήματα ψυχαγωγίας εντός οχήματος και συσκευές πλοήγησης (πρέπει να επιλεγεί η έκδοση βιομηχανικής ποιότητας θερμοκρασίας)
• Βιομηχανική όραση: Προσωρινή αποθήκευση καρέ για κάμερες μηχανικής όρασης και κάρτες λήψης εικόνων