Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  SCT2080KEGC11 N-channel καρβίδιο -247-3 MOSFET δύναμης κρυσταλλολυχνίες 262W του πυριτίου

  Αριθμός μερών:SCT2080KEGC11

  RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:80 mOhms

  Vgs - τάση πύλη-πηγής:- 6 Β, + 22 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  SCT3080KRC14 τσιπ -247-4 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων N-Channel SIC MOSFET δύναμης κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:SCT3080KRC14

  Αριθμός καναλιών:1 κανάλι

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:104mOhm @ 10A, 18V

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel SIC τσιπ SCT4045DEC11 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOSFET δύναμης κρυσταλλολυχνίες -247-3

  Αριθμός μερών:SCT4045DEC11

  Χαρακτηριστικός διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης:5,8 ns

  Χρόνος ανόδου:28 NS

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel SIC MOSFET δύναμης τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων -263-7L κρυσταλλολυχνιών SCT4045DW7TL

  Αριθμός μερών:SCT4045DW7TL

  Αποστράγγιση - Τάση διάσπασης πηγής:750V

  Πύλη - ρεύμα διαρροής πηγής (Max):100nA

  Επικοινωνήστε
• 

  SCT4026DEHRC11 αυτοκίνητες N-Channel SIC βαθμού MOSFET δύναμης κρυσταλλολυχνίες -247-3

  Αριθμός μερών:SCT4026DEHRC11

  Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @:4,8V @ 15,4mA

  Τοποθετώντας τύπος:Μέσω της τρύπας

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel SIC MOSFET δύναμης αυτοκίνητος βαθμός -247-3 κρυσταλλολυχνιών SCT4062KEHRC11

  Αριθμός μερών:SCT4062KEHRC11

  Τρόπος καναλιών:Αύξηση

  Τύπος κρυσταλλολυχνιών:1 Ν-Κανάλι

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel SIC τσιπ SCT4013DRC15 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOSFET δύναμης κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:SCT4013DRC15

  Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω):18V

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:16.9mOhm @ 58A, 18V

  Επικοινωνήστε
• 

  SCT2450KEGC11 N-Channel SIC MOSFET δύναμης κρυσταλλολυχνίες -247-3 τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

  Αριθμός μερών:SCT2450KEGC11

  Μπροστινό Transconductance - λ.:1 s

  Τύπος FET:N-Channel

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel SIC MOSFET δύναμης αυτοκίνητος βαθμός -247-3 κρυσταλλολυχνιών SCT2080KEHRC11

  Αριθμός μερών:SCT2080KEHRC11

  Τάση αγωγός-πηγής:1200V

  -κρατική αντίσταση αγωγός-πηγής (τύπος.):80mΩ

  Επικοινωνήστε
• 

  1200V N-channel SCT3080KLGC11 MOSFET δύναμης καρβιδίου του πυριτίου κρυσταλλολυχνίες -247-3

  Αριθμός μερών:SCT3080KLGC11

  Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:31 Α

  RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:80 mOhms

  Επικοινωνήστε
• 

  N-channel SIC κρυσταλλολυχνιών SCT3022KLHRC11 MOSFET δύναμης κρυσταλλολυχνίες -247-3 1200V

  Αριθμός μερών:SCT3022KLHRC11

  Θερμοκρασία διακλάδωσης (Μέγιστη):175°C

  Θερμοκρασία αποθήκευσης (ελάχιστη):-55°C

  Επικοινωνήστε
• 

  Συμπληρωμένο κύκλωμα Τσιπ STL33N60DM2 N Δικτυακή ισχύς MOSFET Τρανζίστορες 8PowerVDFN

  Αριθμός τμήματος:STL33N60DM2

  Τεχνική μέθοδος:600 V

  Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs:140mOhm @ 10,5A, 10V

  Επικοινωνήστε