Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  Τσιπ -263-8 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών IMBG65R039M1HXTMA1 καρβιδίου του πυριτίου

  Αριθμός μερών:IMBG65R039M1HXTMA1

  RDS (ενεργό) (@ Tj = 25°C):39 mΩ

  VDS μέγ:650 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel τσιπ BSZ100N06LS3GATMA1 8-PowerVDFN 60V ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:BSZ100N06LS3GATMA1

  QG (τύπος @10V):nC 34

  Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss):60 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel κρυσταλλολυχνιών BSC004NE2LS5ATMA1 MOSFETs δύναμης κρυσταλλολυχνίες 8-PowerTDFN

  Αριθμός μερών:BSC004NE2LS5ATMA1

  συσκευασία:SuperSO8 5x6

  QG (τύπος @4.5V):nC 135

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel BSC100N06LS3GATMA1 τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων 8-PowerTDFN κρυσταλλολυχνιών δύναμης

  Αριθμός μερών:BSC100N06LS3GATMA1

  QG (τύπος @10V):2600 pF

  Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss):200 Α

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel IPD35N10S3L26ATMA1 100V αυτοκίνητες MOSFETs βαθμού κρυσταλλολυχνίες -252-3

  Αριθμός μερών:IPD35N10S3L26ATMA1

  Τεχνολογία:OptiMOS™-τ

  RthJC (Max):2.1 K/W

  Επικοινωνήστε
• 

  30V MOSFETs τσιπ 8-PowerTDFN ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών BSZ100N03MSGATMA1

  Αριθμός μερών:BSZ100N03MSGATMA1

  Τρόπος καναλιών:Αύξηση

  Σειρά:OptiMOS 3M

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 650V 39A IMW65R048M1HXKSA1 τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ενιαίες κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:IMW65R048M1HXKSA1

  Τύπος FET:N-Channel

  Θέση προϊόντων:Ενεργός

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 650V 21A 114W η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών IPB65R115CFD7AATMA1 -263-3 τοποθετεί

  Αριθμός μερών:IPB65R115CFD7AATMA1

  Τάση κίνησης:10V

  Αγωγός στην τάση πηγής:650 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος μέσω της τρύπας -247-3 ενιαίες MOSFETs IMW65R072M1HXKSA1 κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:IMW65R072M1HXKSA1

  Διασκεδασμός δύναμης (Max):96W (TC)

  Λειτουργούσα θερμοκρασία:-55°C ~ 150°C (TJ)

  Επικοινωνήστε
• 

  80V N-Channel η επιφάνεια τοποθετεί το τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών IPT019N08N5ATMA1

  Αριθμός μερών:IPT019N08N5ATMA1

  RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:1.9 mOhms

  Χρόνος πτώσης:17 NS

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 650V 32A τσιπ IPW65R075CFD7AXKSA1 ολοκληρωμένου κυκλώματος μέσω των κρυσταλλολυχνιών τρυπών

  Αριθμός μερών:IPW65R075CFD7AXKSA1

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:nC 68 @ 10 Β

  Διασκεδασμός δύναμης (Max):171W (TC)

  Επικοινωνήστε
• 

  AUIRF5210STRL P-Channel 100V 38A η επιφάνεια τοποθετεί τις ενιαίες MOSFETs κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:AUIRF5210STRL

  Λειτουργούσα θερμοκρασία:-55°C ~ 150°C (TJ)

  Ύψος:2,3 χιλ.

  Επικοινωνήστε