Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  Τσιπ TW070J120B, N-Channel S1Q MOSFETs κρυσταλλολυχνίες -3p-3 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

  Αριθμός μερών:TW070J120B, S1Q

  Υψηλή τάση:VDSS = 1200 Β

  Τάση πύλη-πηγής:+25V/-10V

  Επικοινωνήστε
• 

  Κρυσταλλολυχνίες -247-3 TW015N120C, N-Channel S1F ενιαίες MOSFETs FET κρυσταλλολυχνίες 1200V

  Αριθμός μερών:TW015N120C, S1F

  Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω):18V

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:nC 158 @ 18 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  Κρυσταλλολυχνίες TW107N65C, N-Channel -247-3 καρβιδίου MOS του πυριτίου S1F τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος 650V

  Αριθμός μερών:TW107N65C, S1F

  Qg - δαπάνη πυλών:nC 28

  Vgs - τάση πύλη-πηγής:- 10 V, + 25 V

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ TW027N65C, N-Channel S1F κρυσταλλολυχνίες -247-3 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καρβίδιο του πυριτίου

  Αριθμός μερών:TW027N65C, S1F

  Κατηγορία προϊόντων:MOSFET

  Αριθμός καναλιών:1 κανάλι

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET 650V 100A 20mOhm καρβιδίου του πυριτίου αυτοκίνητος-βαθμού κρυσταλλολυχνιών SCTW100N65G2AG

  Αριθμός μερών:SCTW100N65G2AG

  Τύπος FET:N-Channel

  Τεχνολογία:SiCFET (καρβίδιο του πυριτίου)

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET 8-PowerVDFN SCTL90N65G2V MOSFET 650V 18mOhm δύναμης καρβιδίου του πυριτίου δακτυλογραφεί 40 Α

  Αριθμός μερών:SCTL90N65G2V

  Τεχνολογία:ΟΥΤΩ

  Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:N-Channel

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 1200V τσιπ SCT30N120H ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ενιαίες MOSFETs κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:SCT30N120H

  Τεχνολογία:SiCFET (καρβίδιο του πυριτίου)

  Τάση κίνησης:20V

  Επικοινωνήστε
• 

  1200V MOSFET SCTWA50N120 N-Channel MOSFET δύναμης καρβιδίου του πυριτίου μέσω της τρύπας HiP247

  Αριθμός μερών:SCTWA50N120

  RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:52 mOhms

  Vgs - τάση πύλη-πηγής:- 10 V, + 25 V

  Επικοινωνήστε
• 

  Τσιπ TW060N120C, N-Channel S1F κρυσταλλολυχνίες -247-3 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καρβίδιο του πυριτίου

  Αριθμός μερών:TW060N120C, S1F

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:nC 46 @ 18 Β

  Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:1530 pF @ 800 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFETs 1200V 91A ενιαίο τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών SCTW70N120G2V

  Αριθμός μερών:SCTW70N120G2V

  Τάση κατώτατων ορίων πύλη-πηγής:4.9 Β

  Qg - δαπάνη πυλών:nC 150

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 153W τσιπ SCT20N120AG ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες μέσω της τρύπας

  Αριθμός μερών:SCT20N120AG

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:239mOhm @ 10A, 20V

  Vgs (Max):+25V, -10V

  Επικοινωνήστε
• 

  Ηλεκτρονικές N-Channel ολοκληρωμένων κυκλωμάτων SCTW35N65G2VAG κρυσταλλολυχνίες μέσω της τρύπας

  Αριθμός μερών:SCTW35N65G2VAG

  Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:1370 pF @ 400 Β

  Λειτουργούσα θερμοκρασία:-55°C ~ 200°C (TJ)

  Επικοινωνήστε