Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  Η επιφάνεια τσιπ NVBLS001N06C 60V 51A ολοκληρωμένου κυκλώματος τοποθετεί N-Channel 8-HPSOF τις κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:NVBLS001N06C

  Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:422 Α

  Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:+ 175 Γ

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 1200V 31A τσιπ NTHL080N120SC1A ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:NTHL080N120SC1A

  RDS επάνω:110mOhm

  Vgs:4.3V

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel 1200V 68A ολοκληρωμένων κυκλωμάτων NVH4L022N120M3S τσιπ κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:NVH4L022N120M3S

  Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C:68A (TC)

  Τάση κίνησης:18V

  Επικοινωνήστε
• 

  Ηλεκτρονικές MOSFETs ολοκληρωμένων κυκλωμάτων NTBLS1D1N08H N-Channel κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:NTBLS1D1N08H

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V

  Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:11200 pF @ 40 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET ολοκληρωμένων κυκλωμάτων NTBG080N120SC1 τσιπ κρυσταλλολυχνίες καρβιδίου του πυριτίου

  Αριθμός μερών:NTBG080N120SC1

  Τάση Drain−to−Source:1200 Β

  Τάση Gate−to−Source:−15/+25 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  NTTFD4D0N04HLTWG Mosfet η επιφάνεια σειράς 40V 15A τοποθετεί τις κρυσταλλολυχνίες 12-WQFN

  Αριθμός μερών:NTTFD4D0N04HLTWG

  Τεχνολογία:MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)

  Διαμόρφωση:2 N-Channel (διπλό)

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET NTHL040N120SC1 SIC N-Channel 1200V 60A 348W μέσω της τρύπας -247-3

  Αριθμός μερών:NTHL040N120SC1

  Τύπος FET:N-Channel

  Τεχνολογία:SiCFET (καρβίδιο του πυριτίου)

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET τσιπ NVMTS0D7N04CTXG ολοκληρωμένων κυκλωμάτων – ενιαίο N-Channel 40 Β 0.67m 420A δύναμης

  Αριθμός μερών:NVMTS0D7N04CTXG

  Κατηγορία προϊόντων:MOSFET

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:0.67mOhm @ 50A, 10V

  Επικοινωνήστε
• 

  Μέσω N-Channel -247-3 τρυπών NVHL060N090SC1 ιδιαίτερες κρυσταλλολυχνίες ημιαγωγών

  Αριθμός μερών:NVHL060N090SC1

  Μηδέν ρεύμα αγωγών τάσης πυλών:100 UA

  Ρεύμα διαρροής Gate−to−Source:±1 UA

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel τσιπ NTP055N65S3H ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες -220-3 μέσω της τρύπας

  Αριθμός μερών:NTP055N65S3H

  Χαρακτηριστικός διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης:30 NS

  Σειρά:SuperFET® ΙΙΙ

  Επικοινωνήστε
• 

  NTMFS0D9N03CGT1G MOSFET δύναμης καρβιδίου του πυριτίου ενιαίες N-Channel κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:NTMFS0D9N03CGT1G

  Παλόμενο ρεύμα αγωγών:900 Α

  Junction−to−Case – σταθερό κράτος:1.0 °C/W

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET δύναμης τσιπ FDBL9403-F085T6 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ενιαίες N-Channel κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:FDBL9403-F085T6

  Ρεύμα πηγής:330 Α

  Ικανότητα εισαγωγής:6985 pF

  Επικοινωνήστε