Κίνα Τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

• 

  N-Channel τσιπ BUK9M20-60ELX LFPAK33 ολοκληρωμένου κυκλώματος ενιαίες MOSFET επιπέδων λογικής κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:BUK9M20-60ELX

  Συσκευασία/περίπτωση:Μέθυσος-1210, 8-LFPAK33 (5-μόλυβδος)

  Τοποθετώντας ύφος:SMD/SMT

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel MOSFET τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών NTBG060N065SC1 d2pak-7 650V

  Αριθμός μερών:NTBG060N065SC1

  Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs:nC 74 @ 18 Β

  Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:1473 pF @ 325 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET καρβιδίου του πυριτίου τσιπ NTBG025N065SC1 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες -263-8

  Αριθμός μερών:NTBG025N065SC1

  Ταυτότητα - συνεχές ρεύμα αγωγών:106 Α

  RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:28.5 mOhms

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel τσιπ NTH4L075N065SC1 -247-4 650V ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOSFET κρυσταλλολυχνία

  Αριθμός μερών:NTH4L075N065SC1

  Υπερβολικά χαμηλή δαπάνη πυλών:QG (κουτσούβελο) = nC 61

  Χαμηλή ικανότητα παραγωγής:Coss = 107 pF

  Επικοινωνήστε
• 

  650V N-Channel MOSFET κρυσταλλολυχνίες NTH4L025N065SC1 μέσω της τρύπας -247-4 τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος

  Αριθμός μερών:NTH4L025N065SC1

  Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:-55°C (TJ)

  Pd - διασκεδασμός δύναμης:348 W

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel MOSFET τσιπ -247-3 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών NTHL020N120SC1 1200V

  Αριθμός μερών:NTHL020N120SC1

  RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs:28mOhm @ 60A, 20V

  Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:2890 pF @ 800 Β

  Επικοινωνήστε
• 

  1200V MOSFET IMBG120R045M1H τάφρων SIC N-Channel MOSFET κρυσταλλολυχνίες -263-8

  Αριθμός μερών:IMBG120R045M1H

  Το βραχυκύκλωμα αντιστέκεται το χρόνο:3 µs

  Τάση πυλών διακοπών:0V

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET τάφρων τσιπ IMBG120R060M1H -263-8 1200V SIC ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:IMBG120R060M1H

  Παλόμενο ρεύμα αγωγών:94A

  Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C:181W

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel IMBG120R220M1H 1200V τάφρος -263-8 καρβιδίου του πυριτίου MOSFET κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:IMBG120R220M1H

  Χρόνος πτώσης:11 NS

  Μπροστινό Transconductance - λ.:1.9 S

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel τσιπ MSC025SMA120J ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOSFET δύναμης κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:MSC025SMA120J

  Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:- 55 Γ

  Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:+ 175 Γ

  Επικοινωνήστε
• 

  MOSFET καρβιδίου του πυριτίου N-Channel 1200V 19A 94W κρυσταλλολυχνιών IMW120R140M1H μέσω της τρύπας

  Αριθμός μερών:IMW120R140M1H

  Λειτουργούσα θερμοκρασία:-55°C ~ 175°C (TJ)

  Πολικότητα:Ν

  Επικοινωνήστε
• 

  N-Channel καρβιδίου του πυριτίου τσιπ MSC025SMA120S 1200 Β ολοκληρωμένων κυκλωμάτων MOSFET κρυσταλλολυχνίες

  Αριθμός μερών:MSC025SMA120S

  Τύπος FET:N-Channel

  Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C:89A (TC)

  Επικοινωνήστε